公开(公告)号：KR1020150042719A

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：KR1020140135698

申请日：2014-10-08

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 박정수 ,  김재현 ,  백성호 ,  박이슬

IPC: H01M4/139 ,  H01M4/62 ,  H01M4/04

CPC classification number: H01M4/139 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/48 ,  H01M4/62 ,  H01M4/621 ,  H01M4/622 ,  H01M4/668 ,  H01M6/18 ,  H01M10/052 ,  H01M10/058

Abstract: 본발명은방사선경화수지를이용한이차전지극판의제조방법에관한것으로, 상세하게는양극활물질또는음극활물질, 도전제및 방사선경화성수지를포함하는혼합물을집전체표면에도포하는단계(단계 1);및상기집전체표면에형성된혼합물에 10 내지 1000 kGy의흡수선량으로방사선을조사하는단계을제공한다. 본발명은, 이차전지극판의바인더로서방사선경화수지를사용하며, 상기방사선경화수지에방사선을조사함으로써집전체와활물질간의접착력을향상시킬수 있다. 또한, 방사선조사로인하여건조단계를생략할수 있으므로이차전지극판의제조방법이보다간단하고이에따라비용이적게드는장점이있다. 나아가, 방사선이조사된바인더의경화로인하여이차전지활물질의부피팽창을막아줄수 있어, 상기제조방법으로제조된이차전지극판을포함하는이차전지가보다안정한전지효율을나타낼뿐만아니라수명이증가하는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用辐射固化树脂制造二次电池用电极板的方法，更具体地说，涉及一种使用辐射固化树脂制造二次电池用电极板的方法，该方法提供了一种施加于 集电体的表面包含正极活性物质或负极活性物质，导电剂和辐射固化树脂（步骤1）的混合物，以及使用辐射剂量对形成在集电体表面上的混合物施加辐射的步骤 10到1000 kGy。 本发明使用辐射固化树脂作为二次电池用电极板的粘合剂，并且通过照射辐射固化树脂来增加集电体和活性材料之间的粘附性。 此外，施加辐射允许省略干燥阶段，因此制造用于二次电池的电极板的工艺更简单且成本更低。 此外，照射的粘合剂的硬化防止二次电池中的活性材料的体积增加; 结果，包括用上述方法制造的电极板的二次电池显示出更稳定的电池效率以及电池寿命的增加。

公开(公告)号：KR101654281B1

公开(公告)日：2016-09-06

申请号：KR1020150020232

申请日：2015-02-10

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 백성호 ,  박정수 ,  김재현

IPC: H01M4/38 ,  H01M10/052 ,  B82B3/00 ,  B82B1/00

Abstract: 본발명은표면에금속이코팅된리튬이차전지용실리콘나노와이어를제조하는방법및 이로부터제조된리튬이차전지용실리콘나노와이어를제공하며, 상기방법은금속촉매식각법에의하여실리콘나노와이어를형성하는 (a) 단계; 식각된실리콘나노와이어표면에무작위로전착된금속을제거하는 (b) 단계; 및실리콘나노와이어를강산의희석액에담지하여실리콘나노와이어표면에금속입자를석출시키는 (c) 단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020160098653A

公开(公告)日：2016-08-19

申请号：KR1020150020232

申请日：2015-02-10

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 백성호 ,  박정수 ,  김재현

IPC: H01M4/38 ,  H01M10/052 ,  B82B3/00 ,  B82B1/00

CPC classification number: H01M4/386 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01M10/052

Abstract: 본발명은표면에금속이코팅된리튬이차전지용실리콘나노와이어를제조하는방법및 이로부터제조된리튬이차전지용실리콘나노와이어를제공하며, 상기방법은금속촉매식각법에의하여실리콘나노와이어를형성하는 (a) 단계; 식각된실리콘나노와이어표면에무작위로전착된금속을제거하는 (b) 단계; 및실리콘나노와이어를강산의희석액에담지하여실리콘나노와이어표면에금속입자를석출시키는 (c) 단계를포함한다.

Abstract translation: 在本发明中提供了一种用于制造表面上涂有金属的锂二次电池用硅纳米线的方法和由其制造的锂二次电池用硅纳米线。 该方法包括以下步骤：（a）通过金属催化剂蚀刻方法形成硅纳米线; （b）去除所蚀刻的硅纳米线表面上随机电沉积的金属; 和（c）在硅纳米线的表面上将硅纳米线携带在强酸和沉淀金属颗粒的稀释溶液中。 提供了具有高容量并且可以高速执行充电和放电的锂二次电池。

公开(公告)号：KR101610354B1

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：KR1020140124313

申请日：2014-09-18

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 박이슬 ,  김순현 ,  김재현 ,  박정수 ,  오미솔

IPC: H01M4/1391 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/48 ,  H01M4/583 ,  H01M4/64 ,  B01D39/14

Abstract: 본발명은탄소나노섬유를제조하는단계; 상기탄소나노섬유의표면을활성화하는단계; 상기활성화된탄소나노섬유를전착수용액내에침적시키는단계; 상기활성화된탄소나노섬유상에전착법으로금속산화물의층을전착하는단계; 및상기금속산화물의층이전착된탄소나노섬유를열처리하는단계를포함하는금속산화물이담지된탄소나노섬유전극의제조방법에관한것이다. 본발명의제조방법은탄소나노섬유전극을비교적간단한공정으로단시간에합성하는방법을제공하며, 이에따라제조된탄소나노섬유전극은높은충방전용량, 강도및 전도성을가진다.

公开(公告)号：KR101475757B1

公开(公告)日：2014-12-23

申请号：KR1020120128399

申请日：2012-11-13

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 백성호 ,  김재현 ,  박정수

IPC: H01M4/1395 ,  C23C28/02 ,  H01M10/052 ,  H01M4/38

Abstract: 본기재는 (a) 실리콘기판위에금속막을형성하는단계; (b) 상기금속막이형성된실리콘기판을열처리하여, 실리콘박막이적층된금속막을얻는단계; 및 (c) 상기실리콘박막을식각액에담지하여실리콘나노와이어를형성하는단계를포함하는리튬이차전지용실리콘계음극의제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及锂二次电池用硅基阳极的制造方法，该方法包括以下工序：（a）在硅基板上制造金属膜; （b）通过加热其上制造金属膜的硅基板获得层叠有硅膜的金属膜; 和（c）通过将硅膜浸入蚀刻溶液中制备硅纳米线。

公开(公告)号：KR101389017B1

公开(公告)日：2014-04-28

申请号：KR1020120113536

申请日：2012-10-12

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 배은진 ,  김재현 ,  백성호 ,  박정수

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 기판 상에 용액 방식으로 CIGS 박막 형성하는 단계; 상기 단계에서 형성된 CIGS 박막을 용액 방식으로 셀렌화하는 단계; 및 비활성기체 분위기 챔버에서 열처리하는 단계를 포함하는 CIGS 광흡수층 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020160033843A

公开(公告)日：2016-03-29

申请号：KR1020140124313

申请日：2014-09-18

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 박이슬 ,  김순현 ,  김재현 ,  박정수 ,  오미솔

IPC: H01M4/1391 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/48 ,  H01M4/583 ,  H01M4/64 ,  B01D39/14

CPC classification number: H01M4/1391 ,  B01D39/00 ,  B01D39/14 ,  D01F9/22 ,  D01F9/28 ,  D04H1/728 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/48 ,  H01M4/583 ,  H01M4/64 ,  H01M8/02

Abstract: 본발명은탄소나노섬유를제조하는단계; 상기탄소나노섬유의표면을활성화하는단계; 상기활성화된탄소나노섬유를전착수용액내에침적시키는단계; 상기활성화된탄소나노섬유상에전착법으로금속산화물의층을전착하는단계; 및상기금속산화물의층이전착된탄소나노섬유를열처리하는단계를포함하는금속산화물이담지된탄소나노섬유전극의제조방법에관한것이다. 본발명의제조방법은탄소나노섬유전극을비교적간단한공정으로단시간에합성하는방법을제공하며, 이에따라제조된탄소나노섬유전극은높은충방전용량, 강도및 전도성을가진다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用金属氧化物层负载的碳纳米纤维电极的制造方法，包括以下步骤：制造碳纳米纤维; 活化碳纳米纤维的表面; 将活性炭纳米管浸入电沉积溶液中; 通过电沉积方法将金属氧化物层沉积在活性炭纳米管上; 并用热处理金属氧化物层电沉积的碳纳米管。 本发明提供了一种通过相对简单的方法在短时间内合成碳纳米纤维电极的方法。 通过本发明的方法制造的碳纳米纤维具有高的充放电能力，强度和导电性。

公开(公告)号：KR101589458B1

公开(公告)日：2016-02-02

申请号：KR1020130120240

申请日：2013-10-10

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 백성호 ,  김재현 ,  박정수

IPC: H01M4/48 ,  H01M4/36 ,  H01M10/058 ,  H01M4/62

Abstract: 본발명은전기전도도가우수한금속입자가코팅된실리콘나노와이어및 이의제조방법, 상기실리콘나노와이어를이용하여, 실리콘계음극활물질을제조하는방법및 이를이용한리튬 2차전지를제조하는방법을제공한다. 본발명에따른, 금속입자가코팅된실리콘나노와이어를이용하여제조된음극활물질을포함하는리튬 2차전지의경우, 고용량유지및 사이클수명개선효과가있을뿐만아니라, 고속충/방전구현이가능하다. 본발명에따른, 금속입자가코팅된실리콘나노와이어를제조하는방법은, (a) 실리콘기판상에서로이격된제 1 금속입자들을형성하는단계; (b) 상기실리콘기판을선택적으로식각하여실리콘나노와이어를형성하는단계; (c) 상기제 1 금속입자들을제거하는단계; (d) 상기실리콘나노와이어표면상에서로이격된제 2 금속입자들을형성하는단계; 및 (e) 표면상에상기제 2 금속입자들이형성된실리콘나노와이어를상기실리콘기판으로부터분리하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020150041818A

公开(公告)日：2015-04-20

申请号：KR1020130120240

申请日：2013-10-10

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 백성호 ,  김재현 ,  박정수

IPC: H01M4/48 ,  H01M4/36 ,  H01M10/058 ,  H01M4/62

CPC classification number: H01M4/48 ,  H01M4/36 ,  H01M4/485 ,  H01M4/62 ,  H01M10/058

Abstract: 본발명은전기전도도가우수한금속입자가코팅된실리콘나노와이어및 이의제조방법, 상기실리콘나노와이어를이용하여, 실리콘계음극활물질을제조하는방법및 이를이용한리튬 2차전지를제조하는방법을제공한다. 본발명에따른, 금속입자가코팅된실리콘나노와이어를이용하여제조된음극활물질을포함하는리튬 2차전지의경우, 고용량유지및 사이클수명개선효과가있을뿐만아니라, 고속충/방전구현이가능하다. 본발명에따른, 금속입자가코팅된실리콘나노와이어를제조하는방법은, (a) 실리콘기판상에서로이격된제 1 금속입자들을형성하는단계; (b) 상기실리콘기판을선택적으로식각하여실리콘나노와이어를형성하는단계; (c) 상기제 1 금속입자들을제거하는단계; (d) 상기실리콘나노와이어표면상에서로이격된제 2 금속입자들을형성하는단계; 및 (e) 표면상에상기제 2 금속입자들이형성된실리콘나노와이어를상기실리콘기판으로부터분리하는단계를포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及具有导电性优异的金属颗粒的硅纳米线，其制造方法，使用该硅纳米线的硅系负极活性物质的制造方法以及锂二次电池的制造方法 使用方法。 根据本发明的包含通过使用其上涂覆有金属颗粒的硅纳米线制造的硅基负极活性材料的锂二次电池保持其高容量并且具有改善的循环寿命，并且可以高速充电和排出。 根据本发明的用于制造其上涂覆有金属颗粒的硅纳米线的方法包括以下步骤：（a）在硅衬底上形成彼此间隔开的第一金属颗粒; （b）选择性地蚀刻硅衬底以形成硅纳米线; （c）去除第一金属颗粒; （d）在所述硅纳米线上形成彼此间隔开的第二金属颗粒; 和（e）从硅衬底分离硅纳米线与其上形成的第二金属颗粒。

公开(公告)号：KR1020140047762A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：KR1020120113536

申请日：2012-10-12

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 배은진 ,  김재현 ,  백성호 ,  박정수

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing a CIGS light absorbing layer. According to one embodiment of the present invention, the method of manufacturing a CIGS light absorbing layer includes a step of forming a CIGS thin film; a selenization step; and a thermal treatment step. According to one embodiment of the present invention, the CIGS thin film is formed on a substrate by using a selenium precursor solution. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S10) Forming a CIGS thin film on a substrate in a solution method; (S20) Selenizing the CIGS thin film in the solution method; (S30) Thermal treatment in a nitrogen atmosphere chamber

Abstract translation: 本发明涉及一种制造CIGS光吸收层的方法。 根据本发明的一个实施例，制造CIGS光吸收层的方法包括形成CIGS薄膜的步骤; 硒化步骤 和热处理步骤。 根据本发明的一个实施方案，通过使用硒前体溶液在基底上形成CIGS薄膜。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S10）溶液法在基板上形成CIGS薄膜; （S20）溶液法对CIGS薄膜进行硒化处理; （S30）氮气氛下的热处理