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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2023058928A1
公开(公告)日：2023-04-13
申请号：PCT/KR2022/013869
申请日：2022-09-16
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본 발명은 스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 일실시예에 따른 스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자는 제1 방향으로 연장되어 형성된 중금속 입력단자 및 중금속 입력단자 상에 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장되어 형성되고 강자성층을 구비하는 정보단자를 포함하고, 여기서 정보단자는 중금속 입력단자와 인접하는 제1 영역 및 중금속 입력단자와 인접하지 않는 제2 영역을 포함하고, 제1 영역과 제2 영역으로 인한 비균일적인 스핀궤도토크 효과(spin hall effect, SHE)에 기초하여 강자성층의 자화 반전이 제어될 수 있다.
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公开(公告)号：WO2022055076A1
公开(公告)日：2022-03-17
申请号：PCT/KR2021/006900
申请日：2021-06-03
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본 발명은 자구벽 이동에 기반한 스핀 토크 다수결 게이트에 관한 것으로서, 일실시예에 따른 스핀 토크 다수결 게이트는 복수의 입력단과, 복수의 입력단에서 발생된 자구벽(domain wall)이 이동하는 도선과 연결되어, 자구벽의 이동에 따른 다수결 연산을 통해 출력 신호를 생성하는 홀-크로스부 및 생성된 출력 신호를 외부로 출력하는 출력단을 포함하고, 도선은 복수의 입력단으로부터 홀-크로스부로 갈수록 폭이 좁아지도록 형성될 수 있다.
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公开(公告)号：KR102203486B1
公开(公告)日：2021-01-18
申请号：KR1020200003905
申请日：2020-01-10
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본발명은, 복수개의입력영역, 상기복수개의입력영역이만나는교차영역, 및상기교차영역에서뻗어나오는출력영역을포함하는제1 자성층과, 상기제1 자성층의상기출력영역상에형성된비자성금속층과, 상기비자성금속층의상면에형성된제2 자성층을포함하는, 자구벽이동방식의논리게이트소자를제공한다.
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公开(公告)号：KR101924723B1
公开(公告)日：2018-12-03
申请号：KR1020170070732
申请日：2017-06-07
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 스커미온 메모리 소자는, 제1 방향으로 연장되는 제1 전류인가패턴; 상기 제1 전류인가패턴과 동일한 배치평면에서 배치되고 상기 제1 전류인가패턴의 일단에서 제1 방향을 가로지는 제2 방향으로 연장되는 제2 전류 인가패턴; 상기 제1 전류인가패턴 상에 배치된 스커미온 형성층; 상기 스커미온 형성층 상에 정렬되어 배치된 터널 베리어층; 및 상기 터널 베리어층 상에 정렬되어 배치된 고정 자성층을 포함한다. 상기 제1 전류인가패턴에 흐르는 면내 쓰기 전류는 상기 스커미온 형성층에 스커미온을 형성하고, 상기 제2 전류인가패턴에 흐르는 면내 지우기 전류는 상기 스커미온 형성층에 생성된 스커미온을 제거한다.
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