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公开(公告)号：WO2022225231A1
公开(公告)日：2022-10-27
申请号：PCT/KR2022/005024
申请日：2022-04-07
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본 개시의 마그네트론 스퍼터링 장치는, 내부가 진공 상태인 챔버, 챔버 내부로 아르곤(Ar) 가스를 공급하는 가스 공급관, 챔버 내부에 마련되며, 스퍼터링 타겟 및 스퍼터링 타겟 하단에 배치되어 자기장을 형성하는 자성체를 포함하는 스퍼터링 헤드, 스퍼터링 타겟으로 전류를 제공하여 플라즈마를 형성하는 전원 공급 장치, 챔버 외부로부터 스퍼터링 헤드로 순환하는 냉매가 흐르는 냉매관을 포함하여, 스퍼터링 헤드를 극저온 냉각하는 냉각 장치 및 냉매관 중 챔버 외부에 위치한 영역을 감싸며, 냉매관과 연통하는 냉매 주입구 및 냉매 배출구를 포함하는 스퍼터링 쉴드를 포함하고, 스퍼터링 쉴드는 챔버와 연통하는 연통구를 포함하여, 내부가 진공 상태로 형성되어, 냉매관은, 챔버 외부에 위치한 영역이 진공 상태인 스퍼터링 쉴드의 내부에 배치되고, 스피터링 쉴드와 스피터링 헤드 사이에 위치한 영역이 진공 상태인 챔버의 내부에 배치되어, 이중 진공 구조에 배치된 상태로 냉매를 전달할 수 있다.
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公开(公告)号：KR102241302B1
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：KR1020190143185
申请日：2019-11-11
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Inventor： 김준서
Abstract: 힘센서가개시된다. 힘센서는일 방향에개구부가형성된프레임, 프레임의내부의좌우에대면하여배치되어기 설정된제1 자기장을형성하는자화반전용영구자석층, 프레임과기 설정된거리이격되어배치되는기판지지층, 기판지지층상에자화반전용영구자석층방향으로기판지지층과수직으로배치되는기판및 기판에배치되고, 기설정된저항값을가지는자기터널접합소자를포함하고, 기판은외부의압력에의해프레임과기판지지층사이의간격이줄어듬에따라프레임의개구부에삽입되고, 자기터널접합소자는기판이프레임의개구부에삽입됨에따라, 기설정된제1 자기장이형성된영역에위치하는경우, 기설정된저항값이변화되고, 기설정된저항값이변화에기초하여압력이감지된다.
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公开(公告)号：KR101846477B1
公开(公告)日：2018-04-09
申请号：KR1020170054241
申请日：2017-04-27
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L21/324 , H01L21/268 , H01L21/263 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/2636 , H01L21/268 , H01L29/786
Abstract: 국소열처리를통한트랜지스터특성복원방법을제공한다. 국소열처리를통한트랜지스터특성복원방법은손상된트랜지스터소자가내재된전자장치를준비하는단계및 이때의전자장치중 상기손상된트랜지스터소자에레이저를조사하는단계를포함하고, 이때의레이저조사에따른열처리를통하여상기손상된트랜지스터소자의특성을복원하는것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102251277B1
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：KR1020190038810
申请日：2019-04-03
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본발명은정전용량식터치센서, 압전센서및 듀얼게이트트랜지스터를포함하고; 상기듀얼게이트트랜지스터는하부게이트전극; 상기하부게이트전극상부에위치한하부게이트절연층; 상기하부게이트절연층상부에위치한반도체층; 상기반도체층상부에위치한상부게이트절연층; 상기상부게이트절연층상부에위치한상부게이트전극; 및서로이격되어위치하는소스전극및 드레인전극; 을포함하는트랜지스터모듈을제공한다.
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公开(公告)号：KR102090501B1
公开(公告)日：2020-03-18
申请号：KR1020180047886
申请日：2018-04-25
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Inventor： 김준서
IPC: B42D25/369 , B42D25/391 , B42D25/40
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公开(公告)号：KR101924723B1
公开(公告)日：2018-12-03
申请号：KR1020170070732
申请日：2017-06-07
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 스커미온 메모리 소자는, 제1 방향으로 연장되는 제1 전류인가패턴; 상기 제1 전류인가패턴과 동일한 배치평면에서 배치되고 상기 제1 전류인가패턴의 일단에서 제1 방향을 가로지는 제2 방향으로 연장되는 제2 전류 인가패턴; 상기 제1 전류인가패턴 상에 배치된 스커미온 형성층; 상기 스커미온 형성층 상에 정렬되어 배치된 터널 베리어층; 및 상기 터널 베리어층 상에 정렬되어 배치된 고정 자성층을 포함한다. 상기 제1 전류인가패턴에 흐르는 면내 쓰기 전류는 상기 스커미온 형성층에 스커미온을 형성하고, 상기 제2 전류인가패턴에 흐르는 면내 지우기 전류는 상기 스커미온 형성층에 생성된 스커미온을 제거한다.
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