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公开(公告)号：WO2019027216A1
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：PCT/KR2018/008654
申请日：2018-07-31
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원 , 조선대학교산학협력단
IPC: A61B5/00 , A61B5/0488 , A61B5/0402 , A61B5/0476
Abstract: 본 발명은 미세동물의 생체신호 측정을 위한 트랩유닛을 구비한 생체신호측정기 및 이를 이용한 미세동물의 생체신호 측정방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 미세동물의 생명을 유지하면서 동시에 복수의 미세동물의 생체신호를 신속하게 측정할 수 있는 미세동물의 생체신호 측정을 위한 트랩유닛을 구비한 생체신호측정기 및 이를 이용한 미세동물의 생체신호 측정방법에 관한 것이다. 본 발명의 구성은 미세동물이 고정되는 트랩채널을 갖는 트랩유닛; 및 상기 트랩유닛에 고정된 상기 미세동물에 전극부를 삽입하여 생체신호를 측정하는 승강유닛을 포함하며, 상기 트랩채널의 형상은 상기 트랩유닛에 투입된 상기 미세동물의 머리부를 고정하도록 형성된 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 미세동물의 생체신호 측정을 위한 트랩유닛을 구비한 생체신호측정기를 제공한다.
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公开(公告)号：KR101994341B1
公开(公告)日：2019-07-08
申请号：KR1020170097217
申请日：2017-07-31
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원 , 광주과학기술원 , 조선대학교산학협력단
IPC: A61B5/00 , A61B5/0488 , A61B5/0402 , A61B5/0476
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公开(公告)号：WO2019027218A1
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：PCT/KR2018/008658
申请日：2018-07-31
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본 발명은 미세동물의 생체신호 측정장치 및 이의 측정방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 미세동물의 생명을 유지하면서 미세동물을 간편하고 신속하게 고정시켜 생체신호를 신속하게 측정할 수 있도록 하기 위한 미세동물의 생체신호 측정장치 및 이의 측정방법에 관한 것이다. 본 발명의 구성은 상부에 미세동물이 놓여지는 기판; 상기 미세동물이 상기 기판상에 놓여진 상태로 고정되도록, 내부 공간에 상기 미세동물을 수용하는 고정액; 및 상기 고정액의 내부에 수용된 미세동물에 삽입되어 상기 미세동물의 생체신호를 측정하는 침전극을 포함하며, 상기 미세동물은 상기 고정액의 표면장력에 의해 상기 기판에 고정되는 것을 특징으로 하는 미세동물의 생체신호 측정장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR102241309B1
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：KR1020140104419
申请日：2014-08-12
Applicant: 광주과학기술원 , 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본발명의실시예에따른광 자극기는체내의특정신경세포를자극하여신경신호를얻기위한장치로서, 전극을포함하고, 상기전극과연결되는다수개의전기단자가구비되는본체부, 상기본체부의일측에서연장되며, 전기습윤을구동시키기위한다수개의전도성물방울이소정의거리로이격되어배치되는광선로기판; 및상기본체부에배치되며, 상기광선로기판에형성된전도성물방울이배치되는방향으로광을발생시키는광원부를포함하고, 상기전기단자각각은상기각각의전도성물방울과연결되며, 상기전도성물방울은상기전기단자에의해전기장이인가되는경우에광을통과시키고, 전기장이인가되지않는경우에진행되는광을상기전도성물방울의상부로반사시켜특정신경세포를자극하는것을특징으로한다. 따라서, 단일자극지점의신경세포를자극할뿐만아니라깊이방향으로여러지점의신경세포를자극할수 있어더욱정밀하게신경신호의측정및 분석을수행할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102011199B1
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：KR1020170097029
申请日：2017-07-31
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원 , 광주과학기술원 , 전남대학교병원
IPC: A61B5/0478 , A61D7/04
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公开(公告)号：WO2021177489A1
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：PCT/KR2020/003118
申请日：2020-03-05
IPC: H02N1/04
Abstract: 본 발명은 마찰 발전 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 마찰발전소자는, 제1 유전층, 제2 유전층 및 제1 유전층과 제2 유전층 사이에 배치된 적어도 하나의 금속층을 포함하는 유연 전극부 및 유연 전극부의 양 측면에 이격되고 서로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 고정 전극부를 포함하고, 유연 전극부는 유체 흐름에 의해 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 하나와 접촉 및 비접촉에 의해 마찰 대전을 발생시키며, 마찰 대전에 의해 생성된 전하는 금속층을 통해 이동할 수 있다. 이에 따라, 마찰 대전에 의해 생성된 전하를 효과적으로 이동시키고, 마찰 빈도를 높여 발전 효율을 높일 수 있다.
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公开(公告)号：KR102166119B1
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：KR1020190005475
申请日：2019-01-16
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/04 , H01M10/052 , H01L29/06 , H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/306 , H01L21/02 , B82Y40/00
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公开(公告)号：KR101643919B1
公开(公告)日：2016-07-29
申请号：KR1020140182399
申请日：2014-12-17
Applicant: 광주과학기술원
CPC classification number: A61N5/0601 , A61N5/0622 , A61N2005/0612 , A61N2005/063
Abstract: 본발명의실시예에따른광 자극기는체내의특정신경세포를자극하여신경신호를얻기위한장치로서, 전극을포함하고, 상기전극과연결되는다수개의전기단자가구비되는본체부, 상기본체부의일측에서연장되며, 다수개의전기변색필름이배치되는광선로기판및 상기본체부에배치되며, 상기광선로기판에형성된상기전기변색필름이배치되는방향으로광을발생시키는광원부를포함하고, 상기전기단자각각은상기각각의전기변색필름과연결되며, 상기전기변색필름은상기전기단자에의해소정의전압이인가되는경우에, 상기전기변색필름에도달한광의진행경로를변경하여특정신경세포를자극할수 있다. 따라서, 단일자극지점의신경세포를자극할뿐만아니라깊이방향으로여러지점의신경세포를자극할수 있어더욱정밀하게신경신호의측정및 분석을수행할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020030054133A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：KR1020010084249
申请日：2001-12-24
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L29/78
Abstract: PURPOSE: An epitaxial structure for InP based MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) and a method for manufacturing an MOSFET using the same are provided to be capable of obtaining stable and uniform device characteristics by carrying out a liquid phase oxidation step and an oxygen plasma processing step. CONSTITUTION: An epitaxial structure is provided with a semi-insulating InP substrate(10), an InAlAs or InP buffer layer(11) formed on the substrate, an InGaAs channel layer(12) formed on the buffer layer, an InP anti-oxidizing layer(13) formed on the channel layer, and a high concentration N-type InGaAs ohmic/oxide layer(14) formed on the anti-oxidizing layer. At this time, the InGaAs oxide layer is formed by using the following two-step process. The Ga and As of an InGaAs layer are oxidized by using an acidity controlled liquid phase oxidation solution. The In of the InGaAs layer is then oxidized by using an oxygen plasma process.
Abstract translation: 目的：提供用于基于InP的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的外延结构和使用其的制造MOSFET的方法，以通过进行液相氧化步骤和氧气来获得稳定而均匀的器件特性 等离子体处理步骤。 构造：外延结构设置有半绝缘InP衬底（10），形成在衬底上的InAlAs或InP缓冲层（11），形成在缓冲层上的InGaAs沟道层（12），InP抗氧化 形成在沟道层上的层（13）和形成在抗氧化层上的高浓度N型InGaAs欧姆/氧化物层（14）。 此时，通过使用以下两步法形成InGaAs氧化物层。 通过使用酸度控制液相氧化溶液氧化InGaAs层的Ga和As。 然后通过使用氧等离子体工艺将InGaAs层的In氧化。
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