公开(公告)号：KR100969494B1

公开(公告)日：2010-07-13

申请号：KR1020080015082

申请日：2008-02-20

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 서광석 ,  김성원 ,  고유민

IPC: H01L21/336

Abstract: 본 발명은 2층의 레지스트를 사용하여 T-게이트와 게이트 리세스를 형성하는 방법에 대한 것이다. 특히, 본 발명에 따른 T-게이트 및 게이트 리세스 형성방법은 간단히 비대칭 T-게이트(감마 게이트)를 형성하는 동시에 비대칭 게이트 리세스를 형성할 수 있다. 2층의 레지스트는 기판상의 제1레지스트와 그 제1레지스트상의 제2레지스트로 형성되며, 특히 제2레지스트로서 화학 증폭형 레지스트(chemically amplified resist)를 사용함으로써 본 발명의 목적을 달성할 수 있다.
화학 증폭형 레지스트, T-게이트, 고전자이동도 트렌지스터, 비대칭형 게이트 리세스

公开(公告)号：KR1020090089923A

公开(公告)日：2009-08-25

申请号：KR1020080015082

申请日：2008-02-20

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 서광석 ,  김성원 ,  고유민

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66621 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/4236

Abstract: A gate recess and a method for forming a gate are provided to reduce a process cost by not requiring an additional electronic beam lithography process. A first resist layer(110) is formed on a substrate(100). A pattern of a gate foot is formed in the first resist layer. A second resist layer(150) is formed on the first resist layer. The pattern of the gate head is formed in the second resist layer. The substrate is etched. The pattern of the gate foot inclines to a source(130) and forms a gamma gate pattern.

Abstract translation: 提供了一种栅极凹槽和用于形成栅极的方法，以通过不需要额外的电子束光刻工艺来降低工艺成本。 在基板（100）上形成第一抗蚀剂层（110）。 在第一抗蚀剂层中形成栅极脚的图形。 在第一抗蚀剂层上形成第二抗蚀剂层（150）。 门头的图案形成在第二抗蚀剂层中。 衬底被蚀刻。 栅极脚的图案倾斜到源极（130）并形成伽马栅极图案。