公开(公告)号：KR100493707B1

公开(公告)日：2005-06-03

申请号：KR1020020010828

申请日：2002-02-28

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김재정 ,  김문수

IPC: H01L27/108

Abstract: 반도체 장치의 전극으로 사용되는 루테늄 박막에 대하여 개시한다. 본 발명의 루테늄 박막 형성 방법은: 루테늄 소스 가스와 산소 가스를 사용하여 화학 기상 증착법으로 반응 챔버 내의 기판 상에 루테늄 박막을 형성하는 방법에 있어서, 할로겐 화합물을 이용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 할로겐 화합물을 이용하여 보다 많은 루테늄 시드들이 생기도록 유도하므로 보다 균일한 루테늄 박막을 증착하기 때문에, 누설 전류가 감소하고 항복 전압이 증가하는 전기적 특성이 좋아지게 되는 효과가 있다. 그리고, 고온 공정에서도 박막 증착률이 커져서 저온 공정에서 생기기 쉬운 탄소 불순물이 생기지 않아 별도의 열처리 공정이 필요하지 않기 때문에, 생산성 향상과 원가 절감 효과가 있다. 또한, 보다 작은 선폭을 가진 단차 패턴의 고품질 루테늄 박막을 형성할 수 있어서, 유전 물질과 상부 전극을 쉽게 채워 넣을 수 있는 디램 커패시터의 하부 전극을 형성할 수 있기 때문에 반도체 산업에 기여할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020030071226A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：KR1020020010828

申请日：2002-02-28

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김재정 ,  김문수

IPC: H01L27/108

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a ruthenium thin film is provided to reduce a leakage current and increase a breakdown voltage by forming more ruthenium seeds while using halogen compound. CONSTITUTION: The ruthenium thin film is formed on a substrate in a reaction chamber through a chemical vapor deposition(CVD) method using ruthenium source gas and oxygen gas wherein the halogen compound is used. The substrate is prepared in the reaction chamber. The halogen compound is injected into the reaction chamber to deposit halogen atoms on the substrate. The ruthenium source gas and the oxygen gas are implanted to deposit ruthenium on the substrate having the deposited halogen atoms.

Abstract translation: 目的：提供一种钌薄膜的制造方法，通过在使用卤素化合物的同时形成更多的钌种子来减少漏电流并提高击穿电压。 构成：使用钌源气体和使用卤素化合物的氧气通过化学气相沉积（CVD）法在反应室中的基板上形成钌薄膜。 在反应室中制备底物。 将卤素化合物注入到反应室中以在基底上沉积卤素原子。 注入钌源气体和氧气以在具有沉积的卤素原子的衬底上沉积钌。