패턴-천공된 마스크를 이용하는 하전입자의 집속 패터닝방법 및 이에 사용되는 마스크
    1.
    发明授权
    패턴-천공된 마스크를 이용하는 하전입자의 집속 패터닝방법 및 이에 사용되는 마스크 有权
    패턴 - 천공된마스크를이용하는하전입자의집속패터닝방법이이에사용되는마스크

    公开(公告)号:KR100907787B1

    公开(公告)日:2009-07-15

    申请号:KR1020080022775

    申请日:2008-03-12

    Abstract: 본 발명은 패턴-천공된 마스크를 이용하는 하전입자의 집속 패터닝 방법 및 이에 사용되는 마스크에 관한 것으로서, 일면 또는 양면에 전극층 또는 이온층을 갖는 패턴-천공된 마스크를 패터닝하고자 하는 기판 위에 올려 놓고, 전압을 인가하여 전기적 집속 렌즈(electrodynamic focusing lens)를 형성함으로써 집속 패터닝을 유도하는 것을 특징으로 하며, 이러한 본 발명의 방법에 의하면, 노이즈 패턴(noise pattern)을 생성하지 않으면서 목적하는 구조체를 고정밀, 고효율로 반복적으로 집속 패터닝할 수 있다.

    Abstract translation: 提供了使用具有图案化孔的掩模来使带电粒子图案化的方法,以通过重复使用掩模来最小化带电粒子的边缘。 一种用于聚焦图案化带电粒子的方法包括以下步骤:将经图案冲孔且具有离子层的掩模或电极层(5,6)装载在基板中的接地反应物上,并通过施加电压形成电聚光透镜 面具; 引入带电粒子的步骤,并且通过掩模图案将带电粒子引导到衬底并将带电粒子附着到衬底。

    나노입자 패터닝 방법 및 이를 이용한 소결체의 제조 방법
    2.
    发明公开
    나노입자 패터닝 방법 및 이를 이용한 소결체의 제조 방법 有权
    纳米颗粒的形成过程和图形纳米粒子的烧结产物

    公开(公告)号:KR1020050004436A

    公开(公告)日:2005-01-12

    申请号:KR1020030044610

    申请日:2003-07-02

    Inventor: 김형철 최만수

    CPC classification number: B82B3/0095 B82Y40/00

    Abstract: PURPOSE: A high-efficiency patterning process of nanoparticles is provided to reduce noise particles deposited on the outside of a pattern, and improve productivity and reproducibility. Also, the patterned nanoparticle assemblies are sintered to produce critical dimension control. CONSTITUTION: The patterning process of nanoparticles comprises the steps of: (i) preparing bipolar charged polydisperse nanoparticles generated from evaporation and condensation method; (ii) extracting monodisperse nanoparticles having a desirable size by regulating the center electrode of differential mobility analyzer(DMA); (iii) placing a photoresist patterned substrate for deposition to the center electrode of electro-static precipitator(ESP) and applying voltage to the center electrode, ranging from -10 to +10kV; (iv) injecting charged monodisperse nanoparticles into ESP and depositing charged nanoparticles on the substrate due to electric field between center electrode and applied to voltage; (v) removing the photoresist pattern on the substrate. The nanoparticle assemblies in a patterned manner on the substrate are thermal treated at 200-300deg.C for 100-150min.

    Abstract translation: 目的:提供纳米颗粒的高效图案化工艺,以减少沉积在图案外部的噪声颗粒,并提高生产率和再现性。 此外,图案化的纳米颗粒组件被烧结以产生关键尺寸控制。 构成:纳米颗粒的图案化过程包括以下步骤:(i)制备由蒸发和冷凝法产生的双极电荷多分散纳米粒子; (ii)通过调节差速迁移率分析仪(DMA)的中心电极提取具有理想尺寸的单分散纳米粒子; (iii)将静电除尘器(ESP)的中心电极放置用于沉积的光致抗蚀剂图案化基板,并向中心电极施加-10至+ 10kV的电压; (iv)将电荷的单分散纳米粒子注入到ESP中,并由于中心电极之间的电场并施加到电压而在基片上沉积带电的纳米粒子; (v)去除衬底上的光刻胶图案。 将基片上图案化的纳米颗粒组件在200-300℃热处理100-150分钟。

    패턴-천공된 마스크를 이용하는 하전입자의 집속 패터닝방법 및 이에 사용되는 마스크
    3.
    发明公开
    패턴-천공된 마스크를 이용하는 하전입자의 집속 패터닝방법 및 이에 사용되는 마스크 有权
    使用具有图案孔的掩模和使用其的电活动聚焦掩模聚焦填充图案的方法

    公开(公告)号:KR1020080104947A

    公开(公告)日:2008-12-03

    申请号:KR1020080022775

    申请日:2008-03-12

    CPC classification number: G03F1/20 G03F7/2059 H01J37/3174

    Abstract: A method for focusing patterning charged particles using a mask with patterned holes is provided to minimize the dame of charged particle by using the mask repetitively. A method for focusing patterning charged particles includes the step for loading the mask which is pattern-punched and has an ion layer or the electrode layers(5,6) on the substrate in the earthed react and forming the electrical condenser lens by applying the voltage to the mask; the step that introduces the charged particle, and that induces the charged particle to the substrate through the pattern of mask and that attaches the charged particle to the substrate.

    Abstract translation: 提供使用具有图案化孔的掩模对带电粒子进行聚焦图案的方法,以通过重复使用掩模来最小化带电粒子的残留。 用于聚焦图案化带电粒子的方法包括用于加载图案冲压并具有离子层的掩模或接地反应中的基板上的电极层(5,6)的步骤,并通过施加电压来形成电聚焦透镜 到面具; 引入带电粒子的步骤,并且通过掩模图案将带电粒子引导到衬底,并将带电粒子附着到衬底上。

    나노입자 패터닝 방법 및 이를 이용한 소결체의 제조 방법
    4.
    发明授权
    나노입자 패터닝 방법 및 이를 이용한 소결체의 제조 방법 有权
    使用相同方法进行纳米材料的制作和烧制

    公开(公告)号:KR100638091B1

    公开(公告)日:2006-10-25

    申请号:KR1020030044610

    申请日:2003-07-02

    Inventor: 김형철 최만수

    Abstract: 본 발명은 나노입자 패터닝 및 이를 이용한 소결체의 제조 방법에 관한 것으로서, a) 다분산 나노입자를 양극 하전 (bipolar charge) 상태로 만드는 단계; b) DMA (differential mobility analyzer)의 중심 전극을 조정하여 원하는 크기의 단분산 나노입자를 추출하는 단계; c) 원하는 감광막 패턴이 형성된 증착용 기판을 정전증착장치의 중심 전극 상에 위치시키고, 중심 전극에 전압을 인가하는 단계; d) 하전된 단분산 나노입자를 정전증착장치에 주입하여 중심 전극의 전압과 외통의 접지된 전압 사이에 발생하는 전기장에 의해 기판 상에 유도 증착시키는 단계; 및 e) 기판 상의 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 나노입자 패터닝 방법과 상기 방법으로 제조된 나노입자 패턴을 열처리하는 것을 포함하는 나노입자 소결체 제조 방법을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 방법은 패턴 밖에 증착되는 노이즈 입자의 수를 궁극적 수준까지 절감시키고, 그 생산성과 재현성 및 타 기술로의 이식성과 확장성이 우수하며, 또한 발명에 의한 나노입자 조립체 제조 방법은 선폭 감소 효과가 있어 경제적, 시간적 장점을 갖는다.

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