패턴-천공된 마스크를 이용하는 하전입자의 집속 패터닝방법 및 이에 사용되는 마스크
    1.
    发明授权
    패턴-천공된 마스크를 이용하는 하전입자의 집속 패터닝방법 및 이에 사용되는 마스크 有权
    패턴 - 천공된마스크를이용하는하전입자의집속패터닝방법이이에사용되는마스크

    公开(公告)号:KR100907787B1

    公开(公告)日:2009-07-15

    申请号:KR1020080022775

    申请日:2008-03-12

    Abstract: 본 발명은 패턴-천공된 마스크를 이용하는 하전입자의 집속 패터닝 방법 및 이에 사용되는 마스크에 관한 것으로서, 일면 또는 양면에 전극층 또는 이온층을 갖는 패턴-천공된 마스크를 패터닝하고자 하는 기판 위에 올려 놓고, 전압을 인가하여 전기적 집속 렌즈(electrodynamic focusing lens)를 형성함으로써 집속 패터닝을 유도하는 것을 특징으로 하며, 이러한 본 발명의 방법에 의하면, 노이즈 패턴(noise pattern)을 생성하지 않으면서 목적하는 구조체를 고정밀, 고효율로 반복적으로 집속 패터닝할 수 있다.

    Abstract translation: 提供了使用具有图案化孔的掩模来使带电粒子图案化的方法,以通过重复使用掩模来最小化带电粒子的边缘。 一种用于聚焦图案化带电粒子的方法包括以下步骤:将经图案冲孔且具有离子层的掩模或电极层(5,6)装载在基板中的接地反应物上,并通过施加电压形成电聚光透镜 面具; 引入带电粒子的步骤,并且通过掩模图案将带电粒子引导到衬底并将带电粒子附着到衬底。

    패턴-천공된 마스크를 이용하는 하전입자의 집속 패터닝방법 및 이에 사용되는 마스크
    2.
    发明公开
    패턴-천공된 마스크를 이용하는 하전입자의 집속 패터닝방법 및 이에 사용되는 마스크 有权
    使用具有图案孔的掩模和使用其的电活动聚焦掩模聚焦填充图案的方法

    公开(公告)号:KR1020080104947A

    公开(公告)日:2008-12-03

    申请号:KR1020080022775

    申请日:2008-03-12

    CPC classification number: G03F1/20 G03F7/2059 H01J37/3174

    Abstract: A method for focusing patterning charged particles using a mask with patterned holes is provided to minimize the dame of charged particle by using the mask repetitively. A method for focusing patterning charged particles includes the step for loading the mask which is pattern-punched and has an ion layer or the electrode layers(5,6) on the substrate in the earthed react and forming the electrical condenser lens by applying the voltage to the mask; the step that introduces the charged particle, and that induces the charged particle to the substrate through the pattern of mask and that attaches the charged particle to the substrate.

    Abstract translation: 提供使用具有图案化孔的掩模对带电粒子进行聚焦图案的方法,以通过重复使用掩模来最小化带电粒子的残留。 用于聚焦图案化带电粒子的方法包括用于加载图案冲压并具有离子层的掩模或接地反应中的基板上的电极层(5,6)的步骤,并通过施加电压来形成电聚焦透镜 到面具; 引入带电粒子的步骤,并且通过掩模图案将带电粒子引导到衬底,并将带电粒子附着到衬底上。

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