公开(公告)号：KR100505370B1

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：KR1020020057281

申请日：2002-09-19

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 이재훈 ,  남우진 ,  박기찬 ,  문국철 ,  정상훈 ,  한민구

IPC: G09G3/20

Abstract: 본 발명은 액티브 매트릭스 O-LED의 화소구조에 관한 것으로, 특히 본 발명의 액티브 매트릭스 O-LED의 화소구조는 외부에서 인가되는 스캔 신호에 의해 구동 화소를 선택하며, 데이터 전류가 인가되는 제1 및 제2 스위칭 소자와; 상기 제1 및 제2 스위칭 소자에 의해 인가되는 제어전류에 의해 소정의 전하를 저장하는 커패시터와; 상기 제1 및 제2 스위칭 소자에 의해 선택되며 데이터 전류를 기입하고, 외부 전원이 인가되는 제3 스위칭 소자; 및 상기 제3 스위칭 소자와 미러 구조로 구성되며, 상기 커패시터에 저장된 전하에 의한 전압을 입력받아 전류를 해당 화소에 인가하는 구동 소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100485130B1

公开(公告)日：2005-04-25

申请号：KR1020020063570

申请日：2002-10-17

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  남우진 ,  정상훈 ,  문국철 ,  박기찬

IPC: H03K17/56

Abstract: 본 발명은 트랜지스터의 스위칭방법 및 이를 이용한 스위칭회로에 관한 것으로, 특히 용량성 결합(capacitive coupling)과 부트-스트래핑(boot-strapping)을 이용하여 N-형 트랜지스터의 경우 출력전압보다 낮은 전압을 갖는 입력 신호로도 트랜지스터를 턴-온(turn on)시키며, P-형 트랜지스터의 경우 출력전압보다 높은 전압을 갖는 입력신호로도 트랜지스터를 턴-온 시키는 기술에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020040025344A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：KR1020020057281

申请日：2002-09-19

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 이재훈 ,  남우진 ,  박기찬 ,  문국철 ,  정상훈 ,  한민구

IPC: G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3225 ,  G09G3/3266 ,  G09G3/3283

Abstract: PURPOSE: A pixel structure of an active matrix O-LED(Organic Light Emitting Device) is provided to have a uniform light emission characteristics by compensating nonuniform electrical characteristics of a TFT device between pixels. CONSTITUTION: The first and the second switching device select a driving pixel by a scan signal applied from the external, and receive a data current. A capacitor(65) stores charges by a control current applied by the first and the second switching device. The third switching device is selected by the first and the second switching device and writes a data current, and an external power is applied to the third switching device. And a driving device is constituted with a mirror structure with the third switching device, and receives a voltage by the charges stored in the capacitor and applies a current to a corresponding pixel.

Abstract translation: 目的：提供有源矩阵O-LED（有机发光器件）的像素结构，以通过补偿像素之间的TFT器件的不均匀电特性来具有均匀的发光特性。 构成：第一和第二开关器件通过从外部施加的扫描信号来选择驱动像素，并接收数据电流。 电容器65通过由第一和第二开关器件施加的控制电流来存储电荷。 第三开关装置由第一开关装置和第二开关装置选择，并写入数据电流，并且向第三开关装置施加外部电力。 并且驱动装置由具有第三开关装置的反射镜结构构成，并且通过存储在电容器中的电荷接收电压并向相应的像素施加电流。

公开(公告)号：KR1020040034918A

公开(公告)日：2004-04-29

申请号：KR1020020063570

申请日：2002-10-17

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  남우진 ,  정상훈 ,  문국철 ,  박기찬

IPC: H03K17/56

Abstract: PURPOSE: A switching method of a transistor and a switching circuit using the same are provided to switch the transistor by using a lower voltage range than an output voltage with only an N-type or a P-type transistor. CONSTITUTION: A gate voltage and a source voltage are differently changed by forming differently each capacitive coupling effect of a gate and a source of a switching transistor. A voltage difference between the gate voltage and the source voltage is larger than a threshold voltage of the transistor by increasing a variation of the gate voltage and reducing a variation of the source voltage. A supply voltage is applied to an output terminal by turning on the transistor and performing a bootstrapping operation.

Abstract translation: 目的：提供晶体管的切换方法和使用其的开关电路，通过使用比仅具有N型或P型晶体管的输出电压更低的电压范围来切换晶体管。 构成：通过不同地形成开关晶体管的栅极和源极的每个电容耦合效应，栅极电压和源极电压被不同地改变。 通过增加栅极电压的变化并减小源极电压的变化，栅极电压和源极电压之间的电压差大于晶体管的阈值电压。 通过接通晶体管并执行自举操作将电源电压施加到输出端子。