트랜지스터의 스위칭방법 및 이를 이용한 스위칭회로
    1.
    发明授权
    트랜지스터의 스위칭방법 및 이를 이용한 스위칭회로 失效
    使用该晶体管和切换电路的切换方法

    公开(公告)号:KR100485130B1

    公开(公告)日:2005-04-25

    申请号:KR1020020063570

    申请日:2002-10-17

    Abstract: 본 발명은 트랜지스터의 스위칭방법 및 이를 이용한 스위칭회로에 관한 것으로, 특히 용량성 결합(capacitive coupling)과 부트-스트래핑(boot-strapping)을 이용하여 N-형 트랜지스터의 경우 출력전압보다 낮은 전압을 갖는 입력 신호로도 트랜지스터를 턴-온(turn on)시키며, P-형 트랜지스터의 경우 출력전압보다 높은 전압을 갖는 입력신호로도 트랜지스터를 턴-온 시키는 기술에 관한 것이다.

    능동 매트릭스 유기물 발광 다이오드 디스플레이 화소구조
    2.
    发明公开
    능동 매트릭스 유기물 발광 다이오드 디스플레이 화소구조 失效
    有源矩阵有机LED显示屏的像素结构

    公开(公告)号:KR1020030069293A

    公开(公告)日:2003-08-27

    申请号:KR1020020008776

    申请日:2002-02-19

    CPC classification number: G09G3/3225 G09G3/3233 G09G2300/043

    Abstract: PURPOSE: A pixel structure of an active matrix organic LED(Light Emitting Diode) display is provided to improve non-uniformity of a threshold voltage of a TFT(Thin Film Transistor) by using only four TFTs and one capacitor. CONSTITUTION: A pixel structure of an active matrix organic LED(Light Emitting Diode) display includes a data line, a selection line, an organic LED, a capacitor(C1), the first transistor(T1), the second transistor(T2), and a threshold voltage correction portion(T3,T4). The capacitor(C1) is used for storing the data voltage applied to the data line. The first transistor(T1) is used for turning on or turning off the data voltage according to voltage applied to the selection line. The second transistor(T2) is used for transmitting the current corresponding to a data value of the capacitor to the organic LED. The threshold voltage correction portion(T3,T4) stores a voltage difference between the voltage applied to the data line and the threshold voltage of the second transistor(T2).

    Abstract translation: 目的:提供有源矩阵有机LED(发光二极管)显示器的像素结构,以通过仅使用四个TFT和一个电容器来改善TFT(薄膜晶体管)的阈值电压的不均匀性。 构成:有源矩阵有机LED(发光二极管)显示器的像素结构包括数据线,选择线,有机LED,电容器(C1),第一晶体管(T1),第二晶体管(T2), 和阈值电压校正部(T3,T4)。 电容器(C1)用于存储施加到数据线的数据电压。 第一晶体管(T1)用于根据施加到选择线的电压来接通或关断数据电压。 第二晶体管(T2)用于将与电容器的数据值相对应的电流传输到有机LED。 阈值电压校正部(T3,T4)存储施加到数据线的电压与第二晶体管(T2)的阈值电压之间的电压差。

    직류/직류 컨버팅 회로, 이를 갖는 표시장치 및 이의구동방법
    3.
    发明公开
    직류/직류 컨버팅 회로, 이를 갖는 표시장치 및 이의구동방법 有权
    直流电流转换电路,具有该直流电流转换电路的显示装置和驱动直流电流转换电路的方法

    公开(公告)号:KR1020080004203A

    公开(公告)日:2008-01-09

    申请号:KR1020060062935

    申请日:2006-07-05

    Abstract: A DC/DC converting circuit, a display apparatus having the same, and a method of driving the DC/DC converting circuit are provided to prevent voltage drop by generating boosted output voltages by two times. A DC/DC(Direct Current) converting circuit includes a charge pumping unit(110), an output unit(130), and a level boosting unit(120). The charge pumping unit receives input voltage, and first and second clocks having opposite phase from outside, outputs a first voltage boosted from the input voltage as much as the high voltage of the first clock during a high interval of the first clock, and outputs a second voltage boosted from the input voltage as much as the high voltage of the second clock during a high interval of the second clock. The output unit outputs the first and second voltages to an output terminal during a low interval of the second and first clocks. The level boosting unit applies output or ground voltages to the charge pumping unit in response to the first and second clocks, and turns on/off the charge pumping unit.

    Abstract translation: 提供DC / DC转换电路,具有该DC / DC转换电路的显示装置和驱动DC / DC转换电路的方法,以通过将升压的输出电压产生两倍来防止电压下降。 DC / DC(直流)转换电路包括电荷泵送单元(110),输出单元(130)和电平升高单元(120)。 电荷泵送单元接收输入电压,并且具有与外部相反相位的第一和第二时钟在第一时钟的高间隔期间输出从第一时钟的高电压的输入电压提升的第一电压,并输出一个 在第二时钟的高间隔期间,第二电压从输入电压提升多达第二时钟的高电压。 输出单元在第二和第一时钟的低间隔期间将第一和第二电压输出到输出端。 电平提升单元响应于第一和第二时钟将输出或接地电压施加到电荷泵送单元,并且打开/关闭电荷泵送单元。

    액티브 매트릭스 오-엘이디의 화소 구조
    4.
    发明授权
    액티브 매트릭스 오-엘이디의 화소 구조 失效
    有源矩阵有机发光二极管显示器的像素结构

    公开(公告)号:KR100505370B1

    公开(公告)日:2005-08-03

    申请号:KR1020020057281

    申请日:2002-09-19

    Abstract: 본 발명은 액티브 매트릭스 O-LED의 화소구조에 관한 것으로, 특히 본 발명의 액티브 매트릭스 O-LED의 화소구조는 외부에서 인가되는 스캔 신호에 의해 구동 화소를 선택하며, 데이터 전류가 인가되는 제1 및 제2 스위칭 소자와; 상기 제1 및 제2 스위칭 소자에 의해 인가되는 제어전류에 의해 소정의 전하를 저장하는 커패시터와; 상기 제1 및 제2 스위칭 소자에 의해 선택되며 데이터 전류를 기입하고, 외부 전원이 인가되는 제3 스위칭 소자; 및 상기 제3 스위칭 소자와 미러 구조로 구성되며, 상기 커패시터에 저장된 전하에 의한 전압을 입력받아 전류를 해당 화소에 인가하는 구동 소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.

    박막트랜지스터 제조방법
    5.
    发明公开
    박막트랜지스터 제조방법 失效
    制造TFT的方法

    公开(公告)号:KR1020040058600A

    公开(公告)日:2004-07-05

    申请号:KR1020020084935

    申请日:2002-12-27

    Inventor: 한민구 박기찬

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a TFT(Thin Film Transistor) is provided to prevent the defects of crystal generating at the source/drain joint portion of a poly-Si TFT when performing a source/drain annealing process. CONSTITUTION: In order to recrystallize a silicon thin film of amorphous source/drain regions(17,18) and electrically activate the injected dopant, the second excimer laser annealing is performed. By the excimer laser annealing to the source/drain, the source/drain regions are polycrystalline silicon thin films which are doped with high concentration as n-type or p-type. In off state, it blocks the injection of minor carrier and in on state, supplies majority carriers and acts as a conductor for connecting the channel of the TFT with a metal wire.

    Abstract translation: 目的:提供一种制造TFT(薄膜晶体管)的方法,以防止在进行源极/漏极退火处理时在多晶硅TFT的源极/漏极接合部处产生晶体的缺陷。 构成:为了使非晶质源极/漏极区域(17,18)的硅薄膜重结晶并且电激活注入的掺杂剂,进行第二准分子激光退火。 通过对源极/漏极的准分子激光退火,源/漏区是以高浓度掺杂为n型或p型的多晶硅薄膜。 在关闭状态下,阻止次载波的注入并处于导通状态,供应多数载波并用作将TFT的沟道与金属线连接的导体。

    레벨 시프터 및 그의 구동 방법
    7.
    发明授权
    레벨 시프터 및 그의 구동 방법 有权
    LEVEL SHIFTER和DRIVING MATHOD

    公开(公告)号:KR101230313B1

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:KR1020060062865

    申请日:2006-07-05

    Abstract: 본 발명은 레벨 시프터에 대한 것으로서, 이 장치는 주기 신호인 제1 입력 신호 및 그 반전인 제2 입력 신호를 받아 상기 제1 입력 신호와 위상이 동일하고 상기 제1 입력 신호의 전압보다 높은 전압을 가지는 제1 출력 신호 및 상기 제1 입력 신호와 위상이 동일하고 상기 제1 입력 신호의 전압보다 낮은 전압을 가지는 제2 출력 신호를 생성하는 레벨 변환부, 그리고 상기 제1 출력 신호 및 상기 제2 출력 신호를 받아 상기 제1 입력 신호와 위상이 동일하고 상기 제1 입력 신호의 진폭보다 큰 진폭을 가지는 제3 출력 신호를 생성하는 증폭부를 포함한다. 따라서 입력 신호에 대하여 같은 위상을 가지면서도 그 진폭이 입력 신호보다 큰 출력 신호를 얻을 수 있다.
    레벨 시프터, 액정 표시 장치, 트랜지스터

    레벨 시프터 및 그의 구동 방법
    8.
    发明公开
    레벨 시프터 및 그의 구동 방법 有权
    水平移动和驱动的机器人

    公开(公告)号:KR1020080004181A

    公开(公告)日:2008-01-09

    申请号:KR1020060062865

    申请日:2006-07-05

    Abstract: A level shifter and a driving method thereof are provided to generate an output signal having a greater amplitude than an input signal, but the same phase as the input signal. A level shifter includes a level shifting part(651) and an amplifying part(654). The level shifting part takes first and second input signals to generate first and second output signals, respectively. The first input signal is a cycle signal. The second input signal is an inverted first input signal. The first output signal is in phase with the first input signal and has a greater voltage than the first input signal. The second output signal is in phase with the second input signal and has a lower voltage than the second input signal. The amplifying part takes the first and second output signals to generate a third output signal. The third output signal is in phase with the first input signal and has greater amplitude than the first input signal.

    Abstract translation: 提供电平移位器及其驱动方法以产生具有比输入信号更大幅度但与输入信号相同相位的输出信号。 电平移位器包括电平移位部分(651)和放大部分(654)。 电平移位部分分别采用第一和第二输入信号来产生第一和第二输出信号。 第一输入信号是一个周期信号。 第二输入信号是反相第一输入信号。 第一输出信号与第一输入信号同相,并且具有比第一输入信号更大的电压。 第二输出信号与第二输入信号同相,并且具有比第二输入信号更低的电压。 放大部分采取第一和第二输出信号以产生第三输出信号。 第三输出信号与第一输入信号同相,并具有比第一输入信号更大的振幅。

    박막트랜지스터 제조방법
    9.
    发明授权
    박막트랜지스터 제조방법 失效
    制造薄膜晶体管的方法

    公开(公告)号:KR100537729B1

    公开(公告)日:2005-12-19

    申请号:KR1020020084935

    申请日:2002-12-27

    Inventor: 한민구 박기찬

    Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 특히 소스/드레인 어닐링 공정 시 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 소스/드레인 접합부에 발생하는 결정결함을 방지하는 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명은 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 소스/드레인 어닐링 시, 레이저광을 비스듬하게 기울여서 조사하는 OI-ELA(Oblique Incidence Excimer Laser Annealing) 방법을 제시함으로써 소스/드레인 접합부에도 레이저 에너지를 충분히 전달하여 접합부 결정 결함이 없는 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제작이 가능하다. 따라서, 박막트랜지스터의 ON/OFF 스위칭 특성이 우수하며, 장시간 구동에 대해서도 추가의 트랩 상태 생성이 적기 때문에 특성이 안정적으로 나타나는 장점이 있다.

    능동 매트릭스 유기물 발광 다이오드 디스플레이 화소구조
    10.
    发明授权
    능동 매트릭스 유기물 발광 다이오드 디스플레이 화소구조 失效
    능동매트릭스유기물발광다이오드디스플레이화소구조

    公开(公告)号:KR100469070B1

    公开(公告)日:2005-02-02

    申请号:KR1020020008776

    申请日:2002-02-19

    Abstract: PURPOSE: A pixel structure of an active matrix organic LED(Light Emitting Diode) display is provided to improve non-uniformity of a threshold voltage of a TFT(Thin Film Transistor) by using only four TFTs and one capacitor. CONSTITUTION: A pixel structure of an active matrix organic LED(Light Emitting Diode) display includes a data line, a selection line, an organic LED, a capacitor(C1), the first transistor(T1), the second transistor(T2), and a threshold voltage correction portion(T3,T4). The capacitor(C1) is used for storing the data voltage applied to the data line. The first transistor(T1) is used for turning on or turning off the data voltage according to voltage applied to the selection line. The second transistor(T2) is used for transmitting the current corresponding to a data value of the capacitor to the organic LED. The threshold voltage correction portion(T3,T4) stores a voltage difference between the voltage applied to the data line and the threshold voltage of the second transistor(T2).

    Abstract translation: 目的:提供有源矩阵有机LED(发光二极管)显示器的像素结构,以通过仅使用四个TFT和一个电容器来改善TFT(薄膜晶体管)的阈值电压的不均匀性。 一种有源矩阵有机LED(发光二极管)显示器的像素结构,包括数据线,选择线,有机LED,电容器(C1),第一晶体管(T1),第二晶体管(T2) 和阈值电压校正部分(T3,T4)。 电容器(C1)用于存储施加到数据线的数据电压。 第一晶体管(T1)用于根据施加到选择线的电压导通或关断数据电压。 第二晶体管(T2)用于将对应于电容器的数据值的电流传输至有机LED。 阈值电压校正部分(T3,T4)存储施加到数据线的电压和第二晶体管(T2)的阈值电压之间的电压差。

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