公开(公告)号：KR1020060015421A

公开(公告)日：2006-02-17

申请号：KR1020050032490

申请日：2005-04-19

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  권순용 ,  문필경

IPC: H01L33/04

Abstract: 본 발명은 In-rich InGaN 양자우물층을 성장시키는 방법 및 이를 이용하는 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, Al
x Ga
y In
1-xy N (0≤x≤1, 0

公开(公告)号：KR100513923B1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：KR1020040063722

申请日：2004-08-13

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  권순용 ,  문필경

IPC: H01L33/06

Abstract: 본 발명은 In-rich InGaN 양자우물층을 성장시키는 방법 및 이를 이용하는 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, Al
x Ga
y In
1-xy N (0≤x≤1, 0