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    고온 완충층을 이용한 질화물 반도체 에피층 성장 방법
    4.
    发明公开
    고온 완충층을 이용한 질화물 반도체 에피층 성장 방법 失效
    使用高温烧结层的氮化物外延层的生长方法

    公开(公告)号：KR1020050032297A

    公开(公告)日：2005-04-07

    申请号：KR1020030068329

    申请日：2003-10-01

    Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

    Inventor： 윤의준 ,  권순용 ,  김현진 ,  나현석

    IPC: H01L21/20

    Abstract: A method for growing an epitaxial layer of a nitride semiconductor using a high temperature grown buffer layer is provided to easily grow an epitaxial layer of the same kind as a high temperature grown buffer layer on the high temperature grown buffer layer by growing a buffer layer of a nitride semiconductor on a substrate at a temperature higher than a proper growth temperature of a real epitaxial layer instead of a low temperature buffer layer. A III-group element and a nitrogen element are supplied to a substrate disposed in a chamber to grow a nitride semiconductor buffer layer at a temperature higher than an epitaxial layer growth temperature(S1). The supply of the III-group element is disconnected to convert the nitride semiconductor buffer layer into a nitride semiconductor buffer layer having a two-dimensional uniform thickness(S2). The temperature of the substrate is reduced to the epitaxial layer growth temperature(S3). The III-group element and the nitrogen element are supplied at the epitaxial layer growth temperature to grow a nitride semiconductor epitaxial layer of the same kind as the nitride semiconductor buffer layer(S5).

    Abstract translation: 提供了使用高温生长缓冲层来生长氮化物半导体的外延层的方法，以便通过生长高温生长缓冲层上的缓冲层来容易地生长与高温生长缓冲层上相同种类的外延层 氮化物半导体在高于实际外延层的适当生长温度而不是低温缓冲层的温度下在衬底上。 将III族元素和氮元素供给到设置在室中的基板，以在高于外延层生长温度的温度（S1）生长氮化物半导体缓冲层。 断开III族元件的供给，以将氮化物半导体缓冲层转换成具有二维均匀厚度的氮化物半导体缓冲层（S2）。 衬底的温度降低到外延层生长温度（S3）。 以外延层生长温度提供III族元素和氮元素，以生长与氮化物半导体缓冲层相同类型的氮化物半导体外延层（S5）。

    고온 완충층을 이용한 질화물 반도체 에피층 성장 방법
    5.
    发明授权
    고온 완충층을 이용한 질화물 반도체 에피층 성장 방법 失效
    使用高温生长缓冲层的氮化物外延层的生长方法

    公开(公告)号：KR100590444B1

    公开(公告)日：2006-06-19

    申请号：KR1020030068329

    申请日：2003-10-01

    Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

    Inventor： 윤의준 ,  권순용 ,  김현진 ,  나현석

    IPC: H01L21/20

    Abstract: 본 발명은 결함 밀도가 낮은 고품질 질화물 반도체 에피층 성장 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 에피층 성장 방법에서는, 고온에서 얇은 두께의 평탄한 2차원 질화물 반도체 완충층을 성장시킨 후 온도를 낮추어 적정 성장 온도에서 상기 질화물 반도체 완충층과 동종의 질화물 반도체 에피층을 성장시킨다. 이러한 방법으로 성장시킨 질화물 반도체 에피층은 결함 밀도가 낮고 결정성이 양호하여 고효율 광소자 및 전자소자 제작에 유리하다.

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