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公开(公告)号：KR1020080027642A
公开(公告)日：2008-03-28
申请号：KR1020060093025
申请日：2006-09-25
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L29/127 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01G9/08 , C01G11/00 , C01G11/02 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/84 , C01P2006/40 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/0248 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02601 , H01L29/22 , Y10S438/962 , Y10S977/774
Abstract: A quantum dot having a gradient shell structure and a method of manufacturing the same are provided to form economically the same within a short period of time by using a reaction difference of a semiconductor precursor. A quantum dot has a shell structure of a chemical compound of a second to sixth groups based on a chemical compound of a second to fourth groups. The chemical compound of the second to sixth groups for forming a shell has a band gap larger than a band gap of the chemical compound of the second to sixth groups for forming a core. The shell of the chemical compound of the second to sixth groups has gradient concentration. A method of manufacturing the quantum dot includes a process for mixing and heating the chemical compounds of the second group for forming the shell and the core, a process for heating the mixture at the temperature of 100-350 ‹C, a process for mixing the chemical compounds of the six group for forming the shell and the core, and a process for forming a shell structure having a gradient at the temperature of 100-350 ‹C.
Abstract translation: 提供具有梯度壳结构的量子点及其制造方法，以通过使用半导体前体的反应差在短时间内经济地形成。 基于第二至第四组的化合物，量子点具有第二至第六组的化合物的壳结构。 用于形成壳的第二至第六组的化合物具有比用于形成芯的第二至第六组的化合物的带隙大的带隙。 第二至第六组化合物的壳体具有梯度浓度。 制造量子点的方法包括混合和加热用于形成壳和芯的第二组的化合物的方法，在100-350℃的温度下加热该混合物的方法， 用于形成壳和芯的六组的化合物，以及在100-350℃的温度下形成具有梯度的壳结构的方法。
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公开(公告)号：KR100768632B1
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：KR1020060105648
申请日：2006-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: B22F1/0088 , B22F2998/00 , H01L51/0036 , Y10T428/268 , B22F1/0022
Abstract: A method for dispersing nanoparticles is provided to control array density of nanoparticles by adjusting pH of a charged nanoparticle dispersion, and thus form high-density nanoparticle single film without cohesion. A method for dispersing nanoparticles includes the steps of: (a) modifying the surfaces of nanoparticles to impart an electric charge to the surfaces of the nanoparticles; and (b) dispersing the surface-modified nanoparticles in a solvent and adjusting pH of the nanoparticle dispersion. A method for producing nanoparticle thin films comprises a step of arraying the pH-adjusted nanoparticle dispersion on a substrate by capillary force to prepare nanoparticle single film.
Abstract translation: 提供了一种分散纳米颗粒的方法，通过调节带电纳米粒子分散体的pH值来控制纳米颗粒的阵列密度，从而形成高密度纳米颗粒单层膜，无内聚力。 分散纳米颗粒的方法包括以下步骤：（a）改变纳米颗粒的表面以赋予纳米颗粒表面电荷; 和（b）将表面改性的纳米颗粒分散在溶剂中并调节纳米颗粒分散体的pH。 制备纳米颗粒薄膜的方法包括通过毛细管力将pH调节的纳米颗粒分散体排列在基底上以制备纳米颗粒单膜的步骤。
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公开(公告)号：KR100817853B1
公开(公告)日：2008-03-31
申请号：KR1020060093025
申请日：2006-09-25
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L29/127 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01G9/08 , C01G11/00 , C01G11/02 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/84 , C01P2006/40 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/0248 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02601 , H01L29/22 , Y10S438/962 , Y10S977/774
Abstract: 본 발명은 점진적 농도구배 껍질 구조를 갖으며 높은 발광효율과 광화학적 안정도를 갖는 양자점 및 이러한 양자점을 단시간 내에 경제적으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 양자점 제조 방법은, 중심을 형성한 이후 정제과정과 재분산 과정을 거친 이후 껍질을 형성해야만 했던 비경제적이고 비효율적인 기존의 방법과는 달리, 반도체 전구체의 반응성 차이를 이용하여 단시간 내에 경제적으로 양자점을 형성하는 장점을 지니고 있다. 또한, 형성된 양자점은 중심의 형성 이후에 점진적인 농도구배를 지니는 껍질이 형성됨으로써, 껍질을 두껍게 형성해도 중심/껍질 양자점이 지니고 있던 격자간 불일치의 문제가 나타나지 않으며 나아가 껍질 부분에 의하여 흡수된 전자와 정공이 중심부분으로 흘러들어가서 빛을 발하는 훤넬 개념이 적용되기 때문에, 발광 효율이 80% 이상에 이르는 높은 효율을 지닌다. 본 발명에 따른 양자점은 기존의 중심/껍질과는 다른 구조를 지닌 새로운 개념의 양자점으로써, II-IV족에 국한되지 않고, III-V족 등의 다른 반도체 양자점에도 응용될 수 있는 것으로서, 새로운 물성의 반도체 양자점 개발에 사용될 수 있고, 다양한 분양에 적용될 수 있다.
양자점, II족 원소, VI족 원소, 점진적 농도구배 껍질 구조
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