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公开(公告)号：KR100991904B1
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：KR1020070131643
申请日：2007-12-14
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 삼성전자주식회사
Inventor： 이성훈
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 본 발명은 양자점을 이용한 백색광 LED 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 여기광원과, 양자점의 크기를 조절하여 여기광원에 의해 여기되어 적색, 황색, 녹색, 청색을 발하는 양자점들을 매트릭스 등에 분산하거나 담체하여 이들을 여기광원 위에 위치시키거나 양자점 자체를 여기광원위에 코팅시킴으로써 백색광을 구현하는 LED 소자에 관한 것이다.
LED, 양자점, 백색광-
公开(公告)号：KR1020100006294A
公开(公告)日：2010-01-19
申请号：KR1020080066471
申请日：2008-07-09
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 삼성전자주식회사
IPC: C07D471/00 , B82B1/00
CPC classification number: C07D495/04 , C07C15/28 , C07C15/60 , C07C2603/24 , C07D409/10 , H01L51/0036 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0074 , H01L51/0508 , H01L51/0545
Abstract: PURPOSE: A method for preparing organic nano fiber transistor using organic nano fiber structure is provided to effectively supply charge transport layer by making 1D structure. CONSTITUTION: An organic semiconductor transistor comprises: a substrate; a gate electrode; source and drain electrode which is insulated with the gate electrode; an organic semiconductor layer which is electrically connected to the source and drain electrode; and an insulation layer. The organic semiconductor layer is formed by coating organic nano fiber which is formed through gelation of organic semiconductor compound.
Abstract translation: 目的：提供一种使用有机纳米纤维结构制备有机纳米纤维晶体管的方法，通过1D结构有效地提供电荷传输层。 构成：有机半导体晶体管包括：基板; 栅电极; 源极和漏极与栅电极绝缘; 电连接到源极和漏极的有机半导体层; 和绝缘层。 通过涂覆通过有机半导体化合物的凝胶化形成的有机纳米纤维形成有机半导体层。
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公开(公告)号：KR1020070119104A
公开(公告)日：2007-12-20
申请号：KR1020060053250
申请日：2006-06-14
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 삼성전자주식회사
Inventor： 이성훈
Abstract: A white LED structure using quantum dots and a manufacturing method of the same are provided to generate white light by dispersing RGB quantum dots into a medium. A quantum dot-matrix complex is formed by filling quantum dots in a single-wavelength excitation light source, a coated quantum dot film or a transparent matrix in a visible light zone. A light emitting layer is formed with a white light emitting diode. A nano-material having a band gap larger than a band gap of a bulk material is manufactured by performing a size and shape adjusting function in a nano-region. A thin film is formed by coating directly RGB quantum dots, in order to manufacture a white light emitting layer. A quantum dot-matrix emitting layer is formed by dispersing the quantum dots into a transparent matrix in a visible light zone. The single-wavelength excitation light source generates white light by exciting the quantum dot-matrix complex.
Abstract translation: 提供使用量子点的白色LED结构及其制造方法，以通过将RGB量子点分散到介质中来产生白光。 通过在可见光区域中填充单波长激发光源，涂覆的量子点膜或透明矩阵中的量子点来形成量子点阵复合体。 发光层由白色发光二极管形成。 通过在纳米区域中进行尺寸和形状调整功能，制造具有比块体材料的带隙大的带隙的纳米材料。 通过直接涂覆RGB量子点形成薄膜，以制造白色发光层。 通过将量子点分散在可见光区域中的透明矩阵中形成量子点阵发射层。 单波长激发光源通过激发量子点阵复合体产生白光。
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公开(公告)号：KR100817853B1
公开(公告)日：2008-03-31
申请号：KR1020060093025
申请日：2006-09-25
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L29/127 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01G9/08 , C01G11/00 , C01G11/02 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/84 , C01P2006/40 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/0248 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02601 , H01L29/22 , Y10S438/962 , Y10S977/774
Abstract: 본 발명은 점진적 농도구배 껍질 구조를 갖으며 높은 발광효율과 광화학적 안정도를 갖는 양자점 및 이러한 양자점을 단시간 내에 경제적으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 양자점 제조 방법은, 중심을 형성한 이후 정제과정과 재분산 과정을 거친 이후 껍질을 형성해야만 했던 비경제적이고 비효율적인 기존의 방법과는 달리, 반도체 전구체의 반응성 차이를 이용하여 단시간 내에 경제적으로 양자점을 형성하는 장점을 지니고 있다. 또한, 형성된 양자점은 중심의 형성 이후에 점진적인 농도구배를 지니는 껍질이 형성됨으로써, 껍질을 두껍게 형성해도 중심/껍질 양자점이 지니고 있던 격자간 불일치의 문제가 나타나지 않으며 나아가 껍질 부분에 의하여 흡수된 전자와 정공이 중심부분으로 흘러들어가서 빛을 발하는 훤넬 개념이 적용되기 때문에, 발광 효율이 80% 이상에 이르는 높은 효율을 지닌다. 본 발명에 따른 양자점은 기존의 중심/껍질과는 다른 구조를 지닌 새로운 개념의 양자점으로써, II-IV족에 국한되지 않고, III-V족 등의 다른 반도체 양자점에도 응용될 수 있는 것으로서, 새로운 물성의 반도체 양자점 개발에 사용될 수 있고, 다양한 분양에 적용될 수 있다.
양자점, II족 원소, VI족 원소, 점진적 농도구배 껍질 구조-
公开(公告)号：KR1020090026508A
公开(公告)日：2009-03-13
申请号：KR1020070091539
申请日：2007-09-10
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 삼성전자주식회사
Inventor： 이성훈
IPC: H01L33/50
Abstract: A high CRI white light emission device with YAG system yellow phosphor and red quantum dots and a method thereof are provided to extend the lifespan and secure the high durability. A high CRI white light emission device with YAG system yellow phosphor and red quantum dots comprises an excitation optical source section consisting of a blue excitation light source LED chip; a red light emitting part for emitting the red by the excitation light source; a yellow luminescence part for emitting the yellow by the excitation light source. The red light emitting part is comprised of the semiconductor quantum dot.
Abstract translation: 提供具有YAG系统黄色荧光体和红色量子点的高CRI白光发射装置及其方法以延长寿命并确保高耐久性。 具有YAG系统黄色荧光体和红色量子点的高CRI白光发射装置包括由蓝色激发光源LED芯片组成的激发光源部分; 用于通过激发光源发射红色的红色发光部分; 用于通过激发光源发射黄色的黄色发光部分。 红色发光部分由半导体量子点构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060090369A
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：KR1020050011168
申请日：2005-02-07
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: C12N5/071 , C12N5/0789 , A61K35/51
CPC classification number: C12N5/0602 , A61K35/51 , C12N5/0647
Abstract: 본 발명은 제대혈(탯줄혈액)에서 성체줄기세포인 다분화능 줄기세포(Multipotent Stem Cell) 및 이를 함유하는 폐쇄성 동맥질환에 의한 허혈성 괴사질환에 대한 세포치료제에 관한 것으로서, 상세하게는 본 발명의 다분화능 줄기세포는 성체줄기세포임에도 불구하고 골형성 세포 또는 신경세포로 분화하는 능력을 가지고 있어서 대퇴부의 동맥순환 정체가 말초순환장애를 일으킴으로서 미세 혈관계의 조직을 붕괴시켜 허혈성 괴사를 야기하는 질병 뿐만 아니라 뇌경색, 심근경색, 당뇨의 후유증으로 오는 사지 말단의 괴사 등 허혈성 질병등의 치료에 유용하다.
제대혈, 다분화능 줄기세포, 허혈성 괴사-
公开(公告)号：KR1020080027642A
公开(公告)日：2008-03-28
申请号：KR1020060093025
申请日：2006-09-25
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L29/127 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01G9/08 , C01G11/00 , C01G11/02 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/84 , C01P2006/40 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/0248 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02601 , H01L29/22 , Y10S438/962 , Y10S977/774
Abstract: A quantum dot having a gradient shell structure and a method of manufacturing the same are provided to form economically the same within a short period of time by using a reaction difference of a semiconductor precursor. A quantum dot has a shell structure of a chemical compound of a second to sixth groups based on a chemical compound of a second to fourth groups. The chemical compound of the second to sixth groups for forming a shell has a band gap larger than a band gap of the chemical compound of the second to sixth groups for forming a core. The shell of the chemical compound of the second to sixth groups has gradient concentration. A method of manufacturing the quantum dot includes a process for mixing and heating the chemical compounds of the second group for forming the shell and the core, a process for heating the mixture at the temperature of 100-350 ‹C, a process for mixing the chemical compounds of the six group for forming the shell and the core, and a process for forming a shell structure having a gradient at the temperature of 100-350 ‹C.
Abstract translation: 提供具有梯度壳结构的量子点及其制造方法，以通过使用半导体前体的反应差在短时间内经济地形成。 基于第二至第四组的化合物，量子点具有第二至第六组的化合物的壳结构。 用于形成壳的第二至第六组的化合物具有比用于形成芯的第二至第六组的化合物的带隙大的带隙。 第二至第六组化合物的壳体具有梯度浓度。 制造量子点的方法包括混合和加热用于形成壳和芯的第二组的化合物的方法，在100-350℃的温度下加热该混合物的方法， 用于形成壳和芯的六组的化合物，以及在100-350℃的温度下形成具有梯度的壳结构的方法。
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8.发明授权
公开(公告)号：KR101468596B1
公开(公告)日：2014-12-05
申请号：KR1020080066471
申请日：2008-07-09
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 삼성전자주식회사
IPC: C07D471/00 , B82B1/00
CPC classification number: C07D495/04 , C07C15/28 , C07C15/60 , C07C2603/24 , C07D409/10 , H01L51/0036 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0074 , H01L51/0508 , H01L51/0545
Abstract: (상기식에서 m은 1 이며, n은 9 임)
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公开(公告)号：KR1020090064079A
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：KR1020070131643
申请日：2007-12-14
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 삼성전자주식회사
Inventor： 이성훈
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: A white light LED element using a quantum dot and a manufacturing method thereof are provided to improve the energy efficiency by exciting RYGB quantum dots at the same time. A white light LED element includes a light emitting layer emitting the white light and a short wavelength excitation light source. The light emitting layer is coated on the short wavelength excitation light source. The light emitting layer is formed by dissolving the quantum dots emitting red, green, and blue or quantum dots emitting red, yellow, green, and blue in a solvent and coating the dissolved solution in the excitation light source. The white LED element includes a quantum-matrix light emitting layer. The quantum-matrix light emitting layer is formed by distributing the quantum dots emitting red, green, and blue or quantum dots emitting red, yellow, green, and blue in each matrix. The quantum-matrix light emitting layer is stacked on the excitation light source.
Abstract translation: 提供使用量子点的白光LED元件及其制造方法，以通过同时激发RYGB量子点来提高能量效率。 白光LED元件包括发射白光的发光层和短波长激发光源。 发光层被涂覆在短波长激发光源上。 通过将发射红色，绿色和蓝色的量子点或发射红色，黄色，绿色和蓝色的量子点溶解在溶剂中并涂覆在激发光源中的溶解溶液来形成发光层。 白色LED元件包括量子矩阵发光层。 量子矩阵发光层通过在每个矩阵中分布发射红色，绿色和蓝色的量子点或者发射红，黄，绿和蓝的量子点而形成。 量子矩阵发光层堆叠在激发光源上。
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公开(公告)号：KR1020090008096A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：KR1020070071413
申请日：2007-07-17
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 삼성전자주식회사
Abstract: A doped quantum dots with magnetic and optical properties and a manufacturing method thereof are provided to obtain magnetic and optical properties by doping an element with a magnetic property in the quantum dot stably. A magnetic element-VI element precursor is synthesized by combining magnetic elements and VI group element. A II group element precursor is synthesized by heating the II group semiconductor element at a temperature of 100 to 300 degrees centigrade. A quantum doe is formed by synthesizing the magnetic element-VI element precursor and the VI group element precursor with the II group element precursor.
Abstract translation: 提供具有磁性和光学特性的掺杂量子点及其制造方法，以通过在量子点中稳定地掺杂具有磁性的元素来获得磁性和光学性质。 通过组合磁性元素和VI族元素来合成磁性元素-VI元素前体。 通过在100〜300℃的温度下加热II族半导体元件来合成II族元素前体。 通过用II族元素前体合成磁性元素-VI元素前体和VI族元素前体来形成量子体。
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