公开(公告)号：KR100948193B1

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：KR1020080002327

申请日：2008-01-08

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 오승수 ,  김도현 ,  문명운 ,  오규환 ,  윤의준

IPC: B82B3/00 ,  C01G15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명의 목적은 공정이 간단하고, 에너지 소모량이 감소되며, 넓은 영역 및 특정 모양의 영역에서 나노와이어의 성장이 가능하고, 나노와이어의 길이, 직경, 나노와이어의 분포 밀도, 나노와이어의 성장 속도 등의 조절이 가능한 인듐 나노와이어의 성장 방법을 제공하는 것이다. 이를 위하여 본 발명에서는, InGaN 기판을 준비하는 단계(a); 및 고진공 조건 하에서 상기 InGaN 기판 상의 소정의 위치에 집속 이온빔을 소정 시간 조사하여 상기 InGaN 기판 상의 집속 이온빔이 조사된 위치에서 인듐 나노와이어를 성장시키는 단계(b)를 포함하는 인듐 나노와이어의 제조 방법을 제공한다.
인듐 나노 와이어, GaN, InGaN, 이온빔

公开(公告)号：KR1020080065557A

公开(公告)日：2008-07-14

申请号：KR1020080002327

申请日：2008-01-08

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 오승수 ,  김도현 ,  문명운 ,  오규환 ,  윤의준

IPC: B82B3/00 ,  C01G15/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01G15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2004/16

Abstract: A method for growing indium nanowires is provided to have a simple process, to reduce energy consumption, and to control the length, diameter, distribution density and growth rate of nanowires. A method for growing indium nanowires includes the steps of: (a) providing an InGaN substrate(10); and (b) irradiating a predetermined position(10b) on the InGaN substrate with a focused ion beam(20) under a high vacuum condition for a predetermined time to grow indium nanowires at the position on the InGaN substrate irradiated with the focused ion beam. When the focused ion beam is applied, the growth condition of nanowires has a pressure range from 3.75x10^(-5) Pa to 2.75x10^(-3) Pa, a voltage range from 5.0 kV to 30 kV, and a current range from 3 pA to 1 nA.

Abstract translation: 提供了用于生长铟纳米线的方法，其具有简单的过程，以减少能量消耗，并且控制纳米线的长度，直径，分布密度和生长速率。 一种用于生长铟纳米线的方法包括以下步骤：（a）提供InGaN衬底（10）; 和（b）在高真空条件下用聚焦离子束（20）将InGaN衬底上的预定位置（10b）照射预定时间，以在被聚焦离子束照射的InGaN衬底上的位置上生长铟纳米线。 当聚焦离子束被施加时，纳米线的生长条件的压力范围为3.75×10 ^（-5）Pa至2.75×10 -3（-3）Pa，电压范围为5.0kV至30kV，电流范围 从3 pA到1 nA。