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公开(公告)号：KR1020080104793A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：KR1020070052108
申请日：2007-05-29
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/3212 , H01L21/76802 , H01L21/76873
Abstract: A copper damascene formation method is provided to improve the reliability of copper wire by preventing the void on the copper wire from being generated in a copper damascene formation process. A copper damascene formation method comprises the step for forming the first insulation layer(322) on the top of the substrate; the step for etching selectively the first insulation layer in order to form the bottom trench; the step for filling the first copper layer on the bottom trench; the step for forming the second insulation layer on the first insulation layer and the first copper layer; the step for etching selectively the second insulation layer in order to form the via hole and upper trench; the step for filling the second copper layer(350) on the via hole and upper trench. The first copper layer fills the bottom trench with the state where a part of insulating layer which is not etched remains during the step for etching selectively the first insulation layer on the bottom trench.
Abstract translation: 提供铜镶嵌方法，以通过防止在铜镶嵌形成工艺中产生铜线上的空隙来提高铜线的可靠性。 铜镶嵌方法包括在基板的顶部上形成第一绝缘层（322）的步骤; 选择性地蚀刻第一绝缘层以形成底部沟槽的步骤; 用于在底部沟槽上填充第一铜层的步骤; 在第一绝缘层和第一铜层上形成第二绝缘层的步骤; 选择性地蚀刻第二绝缘层以形成通孔和上沟槽的步骤; 用于将第二铜层（350）填充在通孔和上沟槽上的步骤。 第一铜层填充底部沟槽，其中在用于选择性地蚀刻底部沟槽上的第一绝缘层的步骤期间残留未被蚀刻的绝缘层的一部分的状态。
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公开(公告)号：KR100948193B1
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：KR1020080002327
申请日：2008-01-08
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 본 발명의 목적은 공정이 간단하고, 에너지 소모량이 감소되며, 넓은 영역 및 특정 모양의 영역에서 나노와이어의 성장이 가능하고, 나노와이어의 길이, 직경, 나노와이어의 분포 밀도, 나노와이어의 성장 속도 등의 조절이 가능한 인듐 나노와이어의 성장 방법을 제공하는 것이다. 이를 위하여 본 발명에서는, InGaN 기판을 준비하는 단계(a); 및 고진공 조건 하에서 상기 InGaN 기판 상의 소정의 위치에 집속 이온빔을 소정 시간 조사하여 상기 InGaN 기판 상의 집속 이온빔이 조사된 위치에서 인듐 나노와이어를 성장시키는 단계(b)를 포함하는 인듐 나노와이어의 제조 방법을 제공한다.
인듐 나노 와이어, GaN, InGaN, 이온빔-
公开(公告)号：KR1020080065557A
公开(公告)日：2008-07-14
申请号：KR1020080002327
申请日：2008-01-08
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: C01G15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/16
Abstract: A method for growing indium nanowires is provided to have a simple process, to reduce energy consumption, and to control the length, diameter, distribution density and growth rate of nanowires. A method for growing indium nanowires includes the steps of: (a) providing an InGaN substrate(10); and (b) irradiating a predetermined position(10b) on the InGaN substrate with a focused ion beam(20) under a high vacuum condition for a predetermined time to grow indium nanowires at the position on the InGaN substrate irradiated with the focused ion beam. When the focused ion beam is applied, the growth condition of nanowires has a pressure range from 3.75x10^(-5) Pa to 2.75x10^(-3) Pa, a voltage range from 5.0 kV to 30 kV, and a current range from 3 pA to 1 nA.
Abstract translation: 提供了用于生长铟纳米线的方法，其具有简单的过程，以减少能量消耗，并且控制纳米线的长度，直径，分布密度和生长速率。 一种用于生长铟纳米线的方法包括以下步骤：（a）提供InGaN衬底（10）; 和（b）在高真空条件下用聚焦离子束（20）将InGaN衬底上的预定位置（10b）照射预定时间，以在被聚焦离子束照射的InGaN衬底上的位置上生长铟纳米线。 当聚焦离子束被施加时，纳米线的生长条件的压力范围为3.75×10 ^（-5）Pa至2.75×10 -3（-3）Pa，电压范围为5.0kV至30kV，电流范围 从3 pA到1 nA。
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公开(公告)号：KR100886257B1
公开(公告)日：2009-03-02
申请号：KR1020070052108
申请日：2007-05-29
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 보이드 발생을 억제하여 신뢰성이 높은 구리 배선을 제조할 수 있는 구리 다마신 형성 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 구리 다마신 형성 방법은 기판(310) 상에 제1 절연층(320)을 형성하는 단계; 하부 트렌치(324)를 형성하기 위하여 제1 절연층(320)을 선택적으로 식각하는 단계; 하부 트렌치(324)에 제1 구리층(330)을 채우는 단계; 제1 절연층(322) 및 제1 구리층(330) 상에 제2 절연층(340)을 형성하는 단계; 비아홀(344) 및 상부 트렌치(346)를 형성하기 위하여 제2 절연층(340)을 선택적으로 식각하는 단계; 및 비아홀(344) 및 상부 트렌치(346) 상에 제2 구리층(350)을 채우는 단계를 포함한다. 특히, 본 발명은 제1 절연층(320)을 선택적으로 식각하는 단계에서 식각되지 않은 일부 절연층(326)이 하부 트렌치(324) 상에 남아 있는 상태에서 하부 트렌치(324)에 제1 구리층(330)을 채우는 것을 특징으로 한다.
금속 배선, 신뢰성, 구리 다마신, 배선 결함, 보이드
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