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公开(公告)号：KR1020090039610A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：KR1020080097406
申请日：2008-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L21/28282 , B82Y10/00 , H01L27/11568 , H01L29/4234 , H01L29/66833 , H01L29/792
Abstract: A semiconductor device and an operation method thereof are provided to apply different nanostructures to one element and to arrange the predetermined nano structure on a required region of a substrate accurately. A channel layer(C1) includes a first nanostructure(n1). A source and a drain are contacted with both ends of the channel layer. A first tunnel insulating layer(TL1) is equipped on the channel layer. A first charge trapping layer(CT1) is equipped on the first tunnel insulating layer. The first charge trapping layer includes a first nano structure and a second nano structure(n2). A first blocking insulating layer(BL1) is equipped on the first charge trapping layer. A first control gate is equipped on the first block insulating layer.
Abstract translation: 提供半导体器件及其操作方法以将不同的纳米结构应用于一个元件并且将预定的纳米结构精确地布置在基板的所需区域上。 沟道层（C1）包括第一纳米结构（n1）。 源极和漏极与沟道层的两端接触。 沟道层上装有第一隧道绝缘层（TL1）。 在第一隧道绝缘层上装有第一电荷俘获层（CT1）。 第一电荷俘获层包括第一纳米结构和第二纳米结构（n2）。 在第一电荷俘获层上装有第一阻挡绝缘层（BL1）。 第一控制门装在第一块绝缘层上。
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公开(公告)号：KR100736361B1
公开(公告)日：2007-07-06
申请号：KR1020050106975
申请日：2005-11-09
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 본 발명은 고체표면에 나노구조를 선택적으로 정렬하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고체 표면을 미끄러운 분자막으로 패터닝한 후, 흡착시키고자 하는 나노구조가 미끄러운 분자막에서 고체표면으로 슬라이딩되면서, 고체표면에 직접 흡착되는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 나노구조를 고체 표면에 선택적으로 위치 및 정렬시킬 수 있다. 또한 나노구조가 고체 표면에 직접 접촉하므로, 나노구조 및 고체 표면의 오염을 방지할 수 있다. 그리고 본 발명에 의한 다중 나노구조를 만들어 센서 등으로 활용할 수 있다. 나아가 DNA, 단백질, 셀 등의 바이오 구조를 원하는 모양으로 배양할 수 있다.
나노구조, 미끄러운 분자막, 슬라이딩, 선택적 정렬, 패터닝-
公开(公告)号：KR101490109B1
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：KR1020080097406
申请日：2008-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
Abstract: 반도체 소자와 그의 제조 및 동작방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자는 서로 다른 나노구조체들을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 반도체 소자는 나노와이어(nanowire)로 형성된 제1구성요소와 나노파티클(nanoparticle)로 형성된 제2구성요소를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 나노와이어는 양극성(ambipolar)의 탄소나노튜브(carbon nanotube)일 수 있다. 상기 제1구성요소는 채널층일 수 있고, 제2구성요소는 전하트랩층일 수 있는데, 이 경우, 상기 반도체 소자는 트랜지스터나 메모리 소자일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060052557A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050106975
申请日：2005-11-09
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 본 발명은 고체표면에 나노구조를 선택적으로 정렬하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고체 표면을 미끄러운 분자막으로 패터닝한 후, 흡착시키고자 하는 나노구조가 미끄러운 분자막에서 고체표면으로 슬라이딩되면서, 고체표면에 직접 흡착되는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 나노구조를 고체 표면에 선택적으로 위치 및 정렬시킬 수 있다. 또한 나노구조가 고체 표면에 직접 접촉하므로, 나노구조 및 고체 표면의 오염을 방지할 수 있다. 그리고 본 발명에 의한 다중 나노구조를 만들어 센서 등으로 활용할 수 있다. 나아가 DNA, 단백질, 셀 등의 바이오 구조를 원하는 모양으로 배양할 수 있다.
나노구조, 미끄러운 분자막, 슬라이딩, 선택적 정렬, 패터닝
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