Abstract:
A method for manufacturing a horizontally aligned carbon nanotube field emitter using electrophoresis is provided to form the large-size carbon nanotube field emitter capable of a uniform electron emission. A method for manufacturing a horizontally aligned carbon nanotube field emitter using electrophoresis includes the steps of: (a) dispersing a carbon nanotube powder and a dispersant into a solvent to prepare a carbon nanotube dispersion; (b) depositing the carbon nanotube dispersion on an electrode to form a carbon nanotube film using the first electrophoresis; (c) dissolving only a dispersant in the solvent to prepare a solution; (d) depositing the solution on the carbon nanotube film to form a dispersant layer using the second electrophoresis; (e) pressing a glass plate on the dispersant layer-covered carbon nanotube film to form a flat surface; (f) drying the dispersant layer-covered carbon nanotube film; and (g) heating the dispersant layer-covered carbon nanotube film to form many uniform cracks, and exposing torn or untorn carbon nanotubes having a clean surface between cracks to produce a carbon nanotube field emitter.
Abstract:
본 발명은 탄소나노튜브-졸을 사용하여 전극과 탄소나노튜브 간의 접착력을 향상시켜 전계방출특성 저하방지와 전자방출의 균일성을 향상시키기 위해 전극에 코팅하여 만든 탄소나노튜브-겔 박막을 가열하여 나노균열을 만들고 균열사이로 노출되는 탄소나노튜브를 이용한 탄소나노튜브 필드 에미터 제조 방법을 기재한다. 본 발명에 따른 탄소나노튜브-겔 박막을 통한 탄소나노튜브 필드 에미터의 제조방법은, 탄소나노튜브-겔 박막 형성용 탄소나노튜브-졸을 제조하는 단계; 탄소나노튜브-졸을 졸-겔 코팅법을 이용하여 전극 상에 코팅시켜 탄소나노튜브-졸 박막을 형성하는 단계; 진공 건조를 통해 탄소나노튜브-겔 박막을 형성시키는 단계; 및 전극상에 형성된 탄소나노튜브-겔 박막을 가열할 때 생기는 나노균열 사이로 깨끗한 탄소나노튜브를 노출시키는 단계;를 포함하는 공정을 수행하여 탄소나노튜브 필드 에미터를 제조함으로써, 탄소나노튜브가 전극 표면에 적절한 크기의 접착력을 가지는 동시에 전극표면에 깨끗한 탄소나노튜브가 균일하게 노출 배열되어 균일한 전자방출 특성을 갖는다. 탄소나노튜브, 졸-겔 코팅, 필드 에미터, 전자방출, FED
Abstract:
본 발명은 탄소나노튜브 전계방출소자 제조방법으로서, 막(membrane) 형태의 다공성 알루미나 나노틀을 만들고 실리콘 웨이퍼 표면에 수소결합으로 접합시킨후 압력을 가한 상태에서 온도를 증가시켜 실리콘 웨이퍼와 나노틀을 ether결합으로 접합시키고, 접합된 나노틀의 세공의 지름을 확장한 후 세공안에 형성시킨 촉매용 금속 나노입자를 이용하여 만든 탄소나노튜브 전계방출소자 제조에 관한 기술의 개발이다. 상기 접합된 알루미나 나노틀의 세공의 지름을 산용액을 사용하여 확장시킨 후 세공안에 농도가 다른 금속 이온용액을 채운 후 증발시켜서 일정한 크기 및 형태를 갖는 촉매용 나노입자를 제조하고 이를 이용하여 탄소나노튜브의 지름을 조절하는 방법에 관한 것이다. 상기 탄소나노튜브를 팁 형태의 전계방출 소자의 전자 방출원으로 응용하여 우수한 전계방출 소자를 구현할 수 있다. 다공성 알루미나 나노틀, 실리콘 웨이퍼, 촉매용 입자, 탄소나노튜브, 전계방출
Abstract:
본 발명은 다공성 알루미나 나노틀을 이용하여 제조한 탄소나노튜브를 가스센서 감지 재료로 사용한 탄소나노튜브 가스센서의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 탄소나노튜브 가스센서는 탄소나노튜브의 안쪽으로 가스가 흘러 들어가 나노튜브 안쪽벽에 흡착되므로 높은 감지 특성을 가지며, 상온에서 작동가능하고, 크기를 소형화시킬 수 있는 것을 특징으로 하고 있다. 또한 본 발명에 의한 탄소나노튜브 가스센서는 탄소나노튜브에 직접 전극을 연결하여 저항값의 변화를 감지하므로 간단하게 센서장치를 제작할 수 있으며 탄소나노튜브에 회복전압을 가하여 회복속도를 빠르게 하므로 반복적으로 사용할 수 있는 장점을 갖는다. 다공성 알루미나 나노틀, 탄소나노튜브, 가스센서
Abstract:
A method for manufacturing carbon nanotube gas sensors is provided to produce the carbon nanotube gas sensor which is operable at ambient temperature and has high sensitivity and fast response and recovery rates. A method for manufacturing carbon nanotube gas sensors includes the steps of: preparing a membrane-type alumina nanotemplate(2) having channels(1); pyrolyzing hydrocarbon gas to prepare carbon nanotubes having the same shape as the channels; removing an amorphous carbon layer from the surface of the nanotemplate to expose the tips; depositing a metal on the both sides of the middle part of the carbon nanotube-exposed nanotemplate and only alternate one sides of the remaining parts by vacuum deposition; removing thin metal layers clogging the carbon nanotubes by ion milling; forming electrodes(4) on the edges of the upside and underside of the metal-deposited carbon nanotubes; packing all but gas sensor parts with protective frames(5); connecting a signal measurement part, a sensing power part, a variable switch, and a recovery power part to the electrodes; and sending gas to the inner walls of the carbon nanotubes to measure the change of resistance in adsorbed gas.
Abstract:
본 발명은 탄소나노튜브 전계방출소자 제조방법으로서, 막(membrane) 형태의 다공성 알루미나 나노틀을 만들고 실리콘 웨이퍼 표면에 수소결합으로 접합시킨후 압력을 가한 상태에서 온도를 증가시켜 실리콘 웨이퍼와 나노틀을 ether결합으로 접합시키는 기술을 이용하여 만든 탄소나노튜브 전계방출소자 제조에 관한 기술의 개발이다. 나노틀을 실리콘 웨이퍼 표면에 접합시킨 후 세공의 지름은 산용액을 사용하여 조절이 가능하므로 다양한 지름을 갖는 탄소나노튜브를 제조할 수 있고 고온 성장조건에서 나노틀이 휘어지는 문제없이 고결정성을 갖는 균일한 높이로 수직배열된 탄소나노튜브를 전면적에 걸쳐 형성하여 제조할 수 있다. 팁 형태의 끝이 열린 탄소나노튜브와 막힌 탄소나노튜브를 실리콘 웨이퍼에 직접 접촉에 의해 성장시킬 수 있으므로 탄소나노튜브를 전자 방출원으로 응용하여 향상된 전계방출 특성을 갖는 소자를 구현할 수 있다. 다공성 알루미나 나노틀, 실리콘 웨이퍼, 탄소나노튜브, 전계방출
Abstract:
본 발명은 탄소나노튜브 전계방출소자 제조방법으로서, 막(membrane) 형태의 다공성 알루미나 나노틀을 만들고 실리콘 웨이퍼 표면에 수소결합으로 접합시킨후 압력을 가한 상태에서 온도를 증가시켜 실리콘 웨이퍼와 나노틀을 ether결합으로 접합시키고, 접합된 나노틀의 세공의 지름을 확장한 후 세공안에 형성시킨 촉매용 금속 나노입자를 이용하여 만든 탄소나노튜브 전계방출소자 제조에 관한 기술의 개발이다. 상기 접합된 알루미나 나노틀의 세공의 지름을 산용액을 사용하여 확장시킨 후 세공안에 농도가 다른 금속 이온용액을 채운 후 증발시켜서 일정한 크기 및 형태를 갖는 촉매용 나노입자를 제조하고 이를 이용하여 탄소나노튜브의 지름을 조절하는 방법에 관한 것이다. 상기 탄소나노튜브를 팁 형태의 전계방출 소자의 전자 방출원으로 응용하여 우수한 전계방출 소자를 구현할 수 있다. 다공성 알루미나 나노틀, 실리콘 웨이퍼, 촉매용 입자, 탄소나노튜브, 전계방출
Abstract:
본 발명은 탄소나노튜브-졸을 사용하여 전극과 탄소나노튜브 간의 접착력을 향상시켜 전계방출특성 저하방지와 전자방출의 균일성을 향상시키기 위해 전극에 코팅하여 만든 탄소나노튜브-겔 박막을 가열하여 나노균열을 만들고 균열사이로 노출되는 탄소나노튜브를 이용한 탄소나노튜브 필드 에미터 제조 방법을 기재한다. 본 발명에 따른 탄소나노튜브-겔 박막을 통한 탄소나노튜브 필드 에미터의 제조방법은, 탄소나노튜브-겔 박막 형성용 탄소나노튜브-졸을 제조하는 단계; 탄소나노튜브-졸을 졸-겔 코팅법을 이용하여 전극 상에 코팅시켜 탄소나노튜브-졸 박막을 형성하는 단계; 진공 건조를 통해 탄소나노튜브-겔 박막을 형성시키는 단계; 및 전극상에 형성된 탄소나노튜브-겔 박막을 가열할 때 생기는 나노균열 사이로 깨끗한 탄소나노튜브를 노출시키는 단계;를 포함하는 공정을 수행하여 탄소나노튜브 필드 에미터를 제조함으로써, 탄소나노튜브가 전극 표면에 적절한 크기의 접착력을 가지는 동시에 전극표면에 깨끗한 탄소나노튜브가 균일하게 노출 배열되어 균일한 전자방출 특성을 갖는다. 탄소나노튜브, 졸-겔 코팅, 필드 에미터, 전자방출, FED
Abstract:
본 발명의 전기영동을 이용한 수평으로 배열된 탄소나노튜브 필드 에미터를 제조하는 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 수평으로 배열된 탄소나노튜브 필드 에미터를 제조하는 방법은, 탄소나노튜브 분말과 분산제를 용매에 잘 분산시켜 탄소나노튜브 분산 용액을 제조하는 단계; 상기 탄소나노튜브 분산 용액을 첫 번째 전기영동을 이용하여 전극 상에 증착시켜 탄소나노튜브 필름을 형성하는 단계; 상기 용매에 분산제만을 용해시켜 분산제 용액을 제조하는 단계; 상기 분산제 용액을 두 번째 전기영동을 이용하여 상기 탄소나노튜브 필름위에 분산제 층을 증착시키는 단계; 상기 분산제 층이 덮인 탄소나노튜브 필름을 유리판 등으로 덮어 눌러 표면을 평평하게 하는 단계; 상기 분산제 층이 덮인 탄소나노튜브 필름을 건조하는 단계; 및 상기 분산제 층이 덮인 탄소나노튜브 필름을 가열하여 비교적 균일한 수많은 균열을 만들고 균열사이로 깨끗한 표면을 갖는 탄소나노튜브를 절단되지 않거나 절단되도록 노출시켜 탄소나노튜브 필드 에미터를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 탄소나노튜브, 전기영동, 필드 에미터, 전자방출, FED
Abstract:
본 발명은 탄소나노튜브 전계방출소자 제조방법으로서, 막(membrane) 형태의 다공성 알루미나 나노틀을 만들고 실리콘 웨이퍼 표면에 수소결합으로 접합시킨후 압력을 가한 상태에서 온도를 증가시켜 실리콘 웨이퍼와 나노틀을 ether결합으로 접합시키는 기술을 이용하여 만든 탄소나노튜브 전계방출소자 제조에 관한 기술의 개발이다. 나노틀을 실리콘 웨이퍼 표면에 접합시킨 후 세공의 지름은 산용액을 사용하여 조절이 가능하므로 다양한 지름을 갖는 탄소나노튜브를 제조할 수 있고 고온 성장조건에서 나노틀이 휘어지는 문제없이 고결정성을 갖는 균일한 높이로 수직배열된 탄소나노튜브를 전면적에 걸쳐 형성하여 제조할 수 있다. 팁 형태의 끝이 열린 탄소나노튜브와 막힌 탄소나노튜브를 실리콘 웨이퍼에 직접 접촉에 의해 성장시킬 수 있으므로 탄소나노튜브를 전자 방출원으로 응용하여 향상된 전계방출 특성을 갖는 소자를 구현할 수 있다. 다공성 알루미나 나노틀, 실리콘 웨이퍼, 탄소나노튜브, 전계방출