公开(公告)号：KR100530008B1

公开(公告)日：2005-11-22

申请号：KR1020020077444

申请日：2002-12-06

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한희 ,  차승환 ,  김재정

IPC: H01L21/20

Abstract: Ru 박막이 증착되는 확산방지막을 활성화시키는 전처리 공정이 포함되는 Ru 박막 증착방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 방법은, 확산방지막 상에 Ru 박막을 증착하는 방법에 있어서, Ru 박막을 증착하기 전에 확산방지막을 팔라듐으로 활성화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 핵생성에 필요한 인큐베이션 타임을 줄여 증착속도 개선효과가 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있고, 종래보다 비저항값이 작아져서 열처리 공정이 필요 없으므로 생산성이 향상되며, 우수한 표면거칠기를 얻을 수 있으므로 커패시터의 하부전극으로 사용되면 누설전류가 감소되고, 항복전압이 증가하여 전기적 특성이 좋아진다.

公开(公告)号：KR1020040049612A

公开(公告)日：2004-06-12

申请号：KR1020020077444

申请日：2002-12-06

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한희 ,  차승환 ,  김재정

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for depositing a Ru thin film is provided to improve a deposition rate by reducing an interval of incubation time necessary for forming an initial nucleus, and to improve surface roughness and step coverage. CONSTITUTION: An oxide material formed on a diffusion barrier layer is eliminated. The diffusion barrier layer is activated by using palladium before the Ru thin film is deposited. The diffusion barrier layer is one selected from a group of TiN, Ta, TaN, TaSiN and TiAlN.

Abstract translation: 目的：提供沉积Ru薄膜的方法，通过减少形成初始核所需的孵育时间间隔，提高表面粗糙度和阶梯覆盖率，提高沉积速率。 构成：消除了形成在扩散阻挡层上的氧化物材料。 在沉积Ru薄膜之前，通过使用钯来激活扩散阻挡层。 扩散阻挡层是选自一组TiN，Ta，TaN，TaSiN和TiAlN中的一种。