公开(公告)号：KR1020100022144A

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：KR1020080080671

申请日：2008-08-19

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김두만 ,  김진혁 ,  문종하

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/324

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a zinc oxide thin film having control of a surface morphology and the zinc oxide thin film thereby are provided to control the growth of an epitaxial oxidation zinc thin film and a surface shape of the thin film by a hydrothermal synthesis method. CONSTITUTION: A zinc oxide film manufacturing method uses a hydrothermal synthesis method. A substrate is arranged in a solution for the hydrothermal synthesis. The zinc source is dissolved in the solution for the hydrothermal synthesis. The oxidation zinc thin film having a desired thickness grows on the substrate. The oxidation zinc thin film has a smooth surface. The surface of the oxidation zinc thin film is controlled through the temperature condition change of the solution for the hydrothermal synthesis.

Abstract translation: 目的：提供一种具有控制表面形态的氧化锌薄膜及其氧化锌薄膜的方法，以通过水热合成方法控制外延氧化锌薄膜的生长和薄膜的表面形状 。 构成：氧化锌膜的制造方法采用水热合成法。 将基底设置在用于水热合成的溶液中。 锌源溶解在水热合成溶液中。 具有期望厚度的氧化锌薄膜在衬底上生长。 氧化锌薄膜具有光滑的表面。 通过水热合成溶液的温度条件改变来控制氧化锌薄膜的表面。

公开(公告)号：KR100993933B1

公开(公告)日：2010-11-12

申请号：KR1020080080671

申请日：2008-08-19

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김두만 ,  김진혁 ,  문종하

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/31

Abstract: 본 발명은 산화아연(ZnO) 박막의 제조 및 그 박막의 표면 형상을 제어하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 수열합성법을 이용한 에피택셜 산화아연 박막의 성장과 그 박막이 형성된 기판이 존재하는 수열합성용 용액의 온도 조건 변화를 통해 제어된 표면 형상을 갖는 산화아연 박막의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 제어된 표면 형상을 갖는 산화아연 박막 제조방법은 수열합성법과 수열합성용 용액의 온도 조건 변화를 이용함으로써, 저온에서 저가의 간단한 공정으로 잘 제어된 표면 형상을 갖는 산화아연 박막을 제조할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 본 발명의 제조방법에 의해 제조된 산화아연 박막은 결정성과 광학적 특성이 우수하여 태양전지와 발광다이오드(LED) 등의 광학소자에 투명 전도체를 제조하는 데에 응용할 수 있는 효과를 제공한다.
수열합성법, 산화아연 박막, 에피택셜 성장, 표면 형상 제어