公开(公告)号：KR100769986B1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：KR1020060011912

申请日：2006-02-08

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 이병택 ,  박주훈

IPC: C23C16/50

Abstract: 유도결합 플라즈마(ICP)법 및 유기금속 화학기상증착(MOCVD)법을 이용한 박막 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 유도결합 플라즈마 장치를 이용하여 고밀도 플라즈마를 발생시키고, 유기금속 화학기상증착 장치 내에 유기금속을 분사하여 박막을 형성하는 방법이다. 유도결합 플라즈마(ICP) 장치가 결합되어 있는 유기금속 화학기상증착(MOCVD) 장치를 이용하여 증착함으로써 고품질의 단결정 산화아연 박막을 제조하는 이점을 제공한다. 또한, 상기 단결정 산화아연 박막의 증착시 불순물의 주입 조절이 용이하여 발광다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등과 같은 단파장 광소자에 쉽게 응용되는 이점을 제공한다.
유도결합 플라즈마 장치(ICP), 유기금속 화학기상증착(MOCVD) 장치, 산화아연(ZnO) 박막

公开(公告)号：KR1020070080627A

公开(公告)日：2007-08-13

申请号：KR1020060011912

申请日：2006-02-08

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 이병택 ,  박주훈

IPC: C23C16/50

Abstract: A method of manufacturing a single crystalline zinc oxide thin film with high quality by using an inductively coupled plasma apparatus and a metal organic chemical vapor deposition apparatus is provided. A method of manufacturing a thin film comprises the steps of: providing a substrate in a chamber of a metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) apparatus; generating plasma within the chamber by using an inductively coupled plasma(ICP) apparatus; and spraying an organic metal source into the chamber to deposit a thin film onto the substrate. The method further comprises the step of forming a buffer layer on the substrate after the step of providing the substrate in the chamber. The substrate or the buffer layer is made from any one selected from the group consisting of Si, Al2O3, SiC, GaN, and AlN. The organic metal source is a zinc(Zn) source or DEZn(diethylene zinc).

Abstract translation: 提供了通过使用电感耦合等离子体装置和金属有机化学气相沉积装置制造高质量的单晶氧化锌薄膜的方法。 制造薄膜的方法包括以下步骤：在金属有机化学气相沉积（MOCVD）装置的腔室中提供衬底; 通过使用电感耦合等离子体（ICP）装置在室内产生等离子体; 并将有机金属源喷射到室中以将薄膜沉积到基底上。 该方法还包括在将腔室中提供衬底的步骤之后，在衬底上形成缓冲层的步骤。 衬底或缓冲层由选自Si，Al 2 O 3，SiC，GaN和AlN中的任何一种制成。 有机金属源是锌（Zn）源或DEZn（二乙烯锌）。