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公开(公告)号：WO2011102627A2
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：PCT/KR2011/000981
申请日：2011-02-15
Applicant: 전남대학교산학협력단 , 이병택 , 김일수
CPC classification number: H01L21/02631 , C30B23/08 , C30B29/22 , H01L21/02403 , H01L21/02554 , H01L21/02565
Abstract: 본 발명은 산화아연(ZnO)에 격자 정합된 자외선용 단결정 ZnMgAlO 박막 및 그 제조방법으로서, ZnO 기판을 준비하고, 산화 마그네슘(MgO)과 알루미나(Al 2 O 3 )의 혼합비가 5.5~5.7 : 1인 ZnMgAlO 박막을 스퍼터링 기법을 통해 상기 ZnO 기판 상에 성장시킴으로써, 격자 상수(원자 면간 거리)가 일치하면서도 자외선 영역에서 사용할 수 있으며 에너지 밴드 갭이 큰 ZnMgAlO 박막을 얻을 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及与氧化锌（ZnO）晶格匹配的用于紫外线的单晶ZnMgAlO薄膜及其制备方法。 可以得到ZnMgAlO薄膜，其可以在紫外线的范围内使用，并且通过制备ZnO衬底与晶格参数（原子晶面间距）一致而具有大的能带隙，并且生长具有 通过溅射在ZnO衬底上的氧化镁（MgO）和氧化铝（Al 2 O 3）的混合比为5.5-5.7:1。
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公开(公告)号：KR101213133B1
公开(公告)日：2012-12-18
申请号：KR1020100015418
申请日：2010-02-19
Applicant: 전남대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02631 , C30B23/08 , C30B29/22 , H01L21/02403 , H01L21/02554 , H01L21/02565
Abstract: 본발명은산화아연(ZnO)에격자정합된자외선용단결정 ZnMgAlO 박막및 그제조방법으로서, ZnO 기판을준비하고, 산화마그네슘(MgO)과알루미나(AlO)의혼합비가 5.5~5.7 : 1인 ZnMgAlO 박막을스퍼터링기법을통해상기 ZnO 기판상에성장시킴으로써, 격자상수(원자면간거리)가일치하면서도자외선영역에서사용할수 있으며에너지밴드갭이큰 ZnMgAlO 박막을얻을수 있다.
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公开(公告)号：KR100794755B1
公开(公告)日：2008-01-15
申请号：KR1020060061844
申请日：2006-07-03
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: C23C14/34
Abstract: P형 산화아연 박막의 제조방법을 제공한다. 스퍼터링(sputtering)법을 이용하여 P형 산화아연 박막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법은 챔버내에 기판과 Ⅲ족 원소가 도핑되어 있는 산화아연(ZnO) 타겟을 제공하는 단계, 상기 챔버내에 스퍼터 가스로서 아산화질소(N
2 O) 가스를 제공하는 단계 및 상기 아산화질소(N
2 O) 가스를 상기 타겟과 충돌시켜 상기 기판상에 상기 Ⅲ족 원소와 질소(N)가 함께 도핑된 P형의 산화아연 박막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 갈륨(Ga)과 질소(N)의 코도핑을 이용함으로써 결정성 및 전기적 특성이 우수한 P형 산화아연 박막을 제조할 수 있는 이점을 제공한다. 또한, 시간에 따른 전기적 특성이 저하되지 않는 안정적인 P형 특성을 보여주는 산화아연 박막을 제조할 수 있는 효과를 제공한다.
P형 산화아연(ZnO), 스퍼터링(Sputtering), 갈륨(Ga)-
公开(公告)号：KR1020080003509A
公开(公告)日：2008-01-08
申请号：KR1020060061844
申请日：2006-07-03
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: C23C14/34
Abstract: A method for manufacturing a P-type zinc oxide thin film by co-doping III-group element and nitrogen is provided to improve crystallization and electric performance favorably and to co-dope the III-group element and the nitrogen with stable P-type characteristics. A method for manufacturing a P-type zinc oxide thin film by co-doping III-group element and a nitrogen includes a step of providing a substrate and a zinc oxide target which is coped by the III-group element to an inside of a chamber; a step of providing nitrous oxide gas to the inside of the chamber as sputtering gas; and a step of plating the P-type zinc oxide thin film doped by the III-group element and the nitrogen, on the substrate by contacting the nitrous oxide gas with the zinc oxide target. The substrate is formed by aluminum oxide or silicon. The temperature of the substrate is in a range of 400~700 degrees.
Abstract translation: 提供了通过共掺杂III族元素和氮制备P型氧化锌薄膜的方法，以有利地改善结晶和电性能，并共同掺杂具有稳定P型特征的III族元素和氮 。 通过共掺杂III族元素和氮制造P型氧化锌薄膜的方法包括将由III族元素配合的基板和氧化锌靶提供到室的内部的步骤 ; 将一氧化二氮气体作为溅射气体向室内提供的步骤; 以及通过使一氧化二氮气体与氧化锌靶接触来在基板上电镀由III族元素和氮掺杂的P型氧化锌薄膜的工序。 衬底由氧化铝或硅形成。 基板的温度在400〜700度的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110095769A
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：KR1020100015418
申请日：2010-02-19
Applicant: 전남대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02631 , C30B23/08 , C30B29/22 , H01L21/02403 , H01L21/02554 , H01L21/02565
Abstract: PURPOSE: A single crystal ZnMgAlO thin film for an ultraviolet ray lattice-matched with a ZnO and a manufacturing method thereof are provided to obtain a ZnMgAlO thin film with a large energy band gap by adding MgO and Al2O3 to ZnO and growing the ZnO. CONSTITUTION: A ZnO substrate is prepared. A ZnMgAlO thin film is grown on a ZnO substrate with a sputtering method. A mixing ratio of MgO to Al2O3 is 5.5 to 5.7 : 1. The process pressure is 9 to 11 mTorr. A growing temperature is 580 to 620 degrees centigrade. RF applying power is 90 to 110 W. A mixing ratio of Mg to Al is 2.7 to 2.9 : 1.
Abstract translation: 目的：提供一种用于与ZnO晶格匹配的紫外线的单晶ZnMgAlO薄膜及其制造方法，以通过向ZnO中添加MgO和Al2O3并生长ZnO来获得具有大能带隙的ZnMgAlO薄膜。 构成：制备ZnO衬底。 通过溅射法在ZnO衬底上生长ZnMgAlO薄膜。 MgO与Al2O3的混合比为5.5〜5.7:1。工艺压力为9〜11mTorr。 生长温度为580至620摄氏度。 RF施加功率为90〜110W .Mg与Al的混合比为2.7〜2.9:1。
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公开(公告)号：KR100769986B1
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：KR1020060011912
申请日：2006-02-08
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: C23C16/50
Abstract: 유도결합 플라즈마(ICP)법 및 유기금속 화학기상증착(MOCVD)법을 이용한 박막 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 유도결합 플라즈마 장치를 이용하여 고밀도 플라즈마를 발생시키고, 유기금속 화학기상증착 장치 내에 유기금속을 분사하여 박막을 형성하는 방법이다. 유도결합 플라즈마(ICP) 장치가 결합되어 있는 유기금속 화학기상증착(MOCVD) 장치를 이용하여 증착함으로써 고품질의 단결정 산화아연 박막을 제조하는 이점을 제공한다. 또한, 상기 단결정 산화아연 박막의 증착시 불순물의 주입 조절이 용이하여 발광다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등과 같은 단파장 광소자에 쉽게 응용되는 이점을 제공한다.
유도결합 플라즈마 장치(ICP), 유기금속 화학기상증착(MOCVD) 장치, 산화아연(ZnO) 박막-
公开(公告)号：KR1020070080627A
公开(公告)日：2007-08-13
申请号：KR1020060011912
申请日：2006-02-08
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: C23C16/50
Abstract: A method of manufacturing a single crystalline zinc oxide thin film with high quality by using an inductively coupled plasma apparatus and a metal organic chemical vapor deposition apparatus is provided. A method of manufacturing a thin film comprises the steps of: providing a substrate in a chamber of a metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) apparatus; generating plasma within the chamber by using an inductively coupled plasma(ICP) apparatus; and spraying an organic metal source into the chamber to deposit a thin film onto the substrate. The method further comprises the step of forming a buffer layer on the substrate after the step of providing the substrate in the chamber. The substrate or the buffer layer is made from any one selected from the group consisting of Si, Al2O3, SiC, GaN, and AlN. The organic metal source is a zinc(Zn) source or DEZn(diethylene zinc).
Abstract translation: 提供了通过使用电感耦合等离子体装置和金属有机化学气相沉积装置制造高质量的单晶氧化锌薄膜的方法。 制造薄膜的方法包括以下步骤：在金属有机化学气相沉积（MOCVD）装置的腔室中提供衬底; 通过使用电感耦合等离子体（ICP）装置在室内产生等离子体; 并将有机金属源喷射到室中以将薄膜沉积到基底上。 该方法还包括在将腔室中提供衬底的步骤之后，在衬底上形成缓冲层的步骤。 衬底或缓冲层由选自Si，Al 2 O 3，SiC，GaN和AlN中的任何一种制成。 有机金属源是锌（Zn）源或DEZn（二乙烯锌）。
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公开(公告)号：KR100740318B1
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：KR1020060070782
申请日：2006-07-27
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: A method for forming SrTiO3/BaTiO3 artificial super lattices on a silicon substrate by using a TiN buffer layer is provided to enhance crystallization and dielectric characteristics by alternatively depositing a SrTiO3 thin film and a BaTiO3 thin film on the substrate. A silicon substrate is inputted in a chamber of a pulse laser depositing apparatus, and then a TiN buffer layer is deposited on the silicon substrate with the TiN buffer layer at a temperature of 650 to 750°C. A SrTiO3 thin film and a BaTiO3 thin film are alternatively deposited on the silicon substrate at a temperature of 300 to 750°C to form artificial super lattices.
Abstract translation: 提供了通过使用TiN缓冲层在硅衬底上形成SrTiO 3 / BaTiO 3人造超晶格的方法，以通过交替地在衬底上沉积SrTiO 3薄膜和BaTiO 3薄膜来增强结晶和介电特性。 将硅衬底输入脉冲激光沉积设备的腔室中，然后在具有TiN缓冲层的硅衬底上沉积TiN缓冲层，温度为650-750℃。 SrTiO3薄膜和BaTiO3薄膜交替地沉积在硅衬底上，温度为300至750℃以形成人造超晶格。
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公开(公告)号：KR102158792B1
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：KR1020180147018
申请日：2018-11-26
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0445
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