-
公开(公告)号：KR101838611B1
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：KR1020160021269
申请日：2016-02-23
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: 본발명은단일벽탄소나노튜브및 이의제조방법, 그리고이를이용한자외선발광다이오드에관한것으로, 보다구체적으로는 P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적은단일벽탄소나노튜브및 이의제조방법, 그리고이를이용한자외선발광다이오드에관한것이다. 본발명의단일벽탄소나노튜브특히, 자외선발광다이오드의투명전극용단일벽탄소나노튜브의제조방법에의하면, P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적은자외선발광다이오드의투명전극용단일벽탄소나노튜브를제조할수 있다. 또한, 본발명의자외선발광다이오드는 P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며, 광투과도의감소가적어높은효율의증대를이룰수 있다.
-
公开(公告)号：KR101838610B1
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：KR1020160021272
申请日：2016-02-23
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: 본발명은단일벽탄소나노튜브및 이의제조방법, 그리고이를이용한자외선발광다이오드에관한것으로, 보다구체적으로는 P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적은본 발명은단일벽탄소나노튜브및 이의제조방법, 그리고이를이용한자외선발광다이오드에관한것이다. 본발명의단일벽탄소나노튜브특히, 자외선발광다이오드의투명전극용단일벽탄소나노튜브의제조방법에의하면, P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적은자외선발광다이오드의투명전극용단일벽탄소나노튜브를제조할수 있다. 또한, 본발명의제조방법에의하면붕소계열의환원제를사용하함으로써도금조절이용이할뿐만아니라니켈이고르게도금되는효과가있으며, 급속열처리를수행하여니켈또는니켈합금으로피막화할수 있다. 또한, 본발명의자외선발광다이오드는 P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적어높은효율의증대를이룰수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020170099197A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：KR1020160021272
申请日：2016-02-23
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: 본발명은단일벽탄소나노튜브및 이의제조방법, 그리고이를이용한자외선발광다이오드에관한것으로, 보다구체적으로는 P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적은본 발명은단일벽탄소나노튜브및 이의제조방법, 그리고이를이용한자외선발광다이오드에관한것이다. 본발명의단일벽탄소나노튜브특히, 자외선발광다이오드의투명전극용단일벽탄소나노튜브의제조방법에의하면, P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적은자외선발광다이오드의투명전극용단일벽탄소나노튜브를제조할수 있다. 또한, 본발명의제조방법에의하면붕소계열의환원제를사용하함으로써도금조절이용이할뿐만아니라니켈이고르게도금되는효과가있으며, 급속열처리를수행하여니켈또는니켈합금으로피막화할수 있다. 또한, 본발명의자외선발광다이오드는 P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적어높은효율의증대를이룰수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用单壁碳纳米管和它们的制备方法，在紫外线发光二极管和此，具体而言，P型基于氮化物的半导体和欧姆（欧姆）的接触是可能的，并且本发明是减少更小的透光率更 单壁碳纳米管，其制造方法以及使用其的紫外线发光二极管。 根据单壁碳纳米管的SWNT用于本发明的紫外线发光二极管的电极特别透明的生产过程中，P转染较少紫外线发光基于货物半导体和欧姆（欧姆）的接触是可能的，并且减少光透射 可以制造用于二极管的透明电极的单壁碳纳米管。 此外，和以及根据本发明用于控制通过使用还原剂与硼系列镍的效果电镀的制造方法中被均匀地涂覆，可以迅速地通过执行镍或镍合金的热处理筛选膜。 另外，本发明的紫外发光二极管能够与P型半导体欧姆接触并且具有减小的光透射率，由此实现高效率增加。
-
公开(公告)号：KR1020170099196A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：KR1020160021269
申请日：2016-02-23
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: 본발명은단일벽탄소나노튜브및 이의제조방법, 그리고이를이용한자외선발광다이오드에관한것으로, 보다구체적으로는 P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적은단일벽탄소나노튜브및 이의제조방법, 그리고이를이용한자외선발광다이오드에관한것이다. 본발명의단일벽탄소나노튜브특히, 자외선발광다이오드의투명전극용단일벽탄소나노튜브의제조방법에의하면, P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적은자외선발광다이오드의투명전극용단일벽탄소나노튜브를제조할수 있다. 또한, 본발명의자외선발광다이오드는 P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며, 광투과도의감소가적어높은효율의증대를이룰수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种紫外线发光二极管使用单壁碳纳米管和它们的制备方法，而这一点，更具体地，P型基于氮化物的半导体和欧姆（欧姆）的接触是可能的，并且光透射碳的小单壁还原 纳米管，其制造方法以及使用该纳米管的紫外线发光二极管。 根据单壁碳纳米管的SWNT用于本发明的紫外线发光二极管的电极特别透明的生产过程中，P转染较少紫外线发光基于货物半导体和欧姆（欧姆）的接触是可能的，并且减少光透射 可以制造用于二极管的透明电极的单壁碳纳米管。 此外，本发明的紫外线发光二极管可以是P型基于氮化物的半导体和欧姆接触（欧姆），并且具有和实现的光透射少高效率的降低的增加。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.024 seconds)
