산화아연 나노막대 어레이 센서의 제조방법
    1.
    发明公开
    산화아연 나노막대 어레이 센서의 제조방법 失效
    使用氧化锌纳米级阵列制造传感器的方法

    公开(公告)号:KR1020070101029A

    公开(公告)日:2007-10-16

    申请号:KR1020060032292

    申请日:2006-04-10

    Abstract: A method for manufacturing a sensor using zinc oxide nanorod arrays is provided to produce a zinc oxide nanorod-arrayed sensor having excellent reproducibility and good reliability by a very simple lithography process. A method for manufacturing a sensor using zinc oxide nanorod arrays includes the steps of: synthesizing zinc oxide nanorod arrays(140) on a substrate; and forming an electrode(160) on the zinc oxide nanorod arrays. The substrate(110) has a platinum coating layer(130). The step of synthesizing the zinc oxide nanorod arrays comprises the steps of: providing the substrate having the platinum coating layer in a metal organic chemical vapor deposition apparatus; and synthesizing zinc oxide nanorod arrays on a predetermined portion of the substrate having the platinum coating layer.

    Abstract translation: 提供了使用氧化锌纳米棒阵列制造传感器的方法,以通过非常简单的光刻工艺制造具有优异的再现性和良好可靠性的氧化锌纳米棒阵列传感器。 一种用于制造使用氧化锌纳米棒阵列的传感器的方法包括以下步骤:在衬底上合成氧化锌纳米棒阵列(140); 以及在所述氧化锌纳米棒阵列上形成电极(160)。 基板(110)具有铂涂层(130)。 合成氧化锌纳米棒阵列的步骤包括以下步骤:在金属有机化学气相沉积设备中提供具有铂涂层的基底; 并在具有铂涂层的基板的预定部分上合成氧化锌纳米棒阵列。

    산화아연 나노막대 어레이 센서의 제조방법
    2.
    发明授权
    산화아연 나노막대 어레이 센서의 제조방법 失效
    使用氧化锌纳米级阵列制造传感器的方法

    公开(公告)号:KR100778555B1

    公开(公告)日:2007-11-28

    申请号:KR1020060032292

    申请日:2006-04-10

    Abstract: 산화아연 나노막대 어레이 센서의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 기판상에 산화아연(ZnO) 나노막대(nanorod) 어레이(array)를 합성하는 단계 및 상기 산화아연 나노막대 어레이 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 수직 및 수평정렬이 우수한 산화아연 나노막대 어레이를 이용하여 센서를 제조함으로써, 매우 간단한 포토공정으로 센서를 제조할 수 있는 이점을 제공한다. 또한, 많은 개수의 나노막대가 포함된 산화아연 나노막대 어레이를 사용하기 때문에 측정값들의 재현성이 우수하여 센서의 신뢰성을 향상시키는 이점이 있다. 또한, 저항이 킬로 오옴(㏀) 단위로서 매우 큰 저항값을 나타내기 때문에 저가의 간단한 측정장비로도 전류 기타 물리량을 측정할 수 있는 이점을 제공한다.
    산화아연 나노막대 어레이, 센서, 유기금속 화학기상증착(MOCVD)

Patent Agency Ranking