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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170137275A
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：KR1020160069050
申请日：2016-06-02
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: 본발명은치료용단백질생산용넉-인벡터및 이를이용한넉-인방법에관한것으로서, 5'-아암(arm)으로서, 서열번호 1로기재되는핵산서열을갖는폴리뉴클레오티드로구성된소 베타-카제인게놈 DNA의프로모터, 엑손 1 및 2를포함하는 5' 말단단편; 치료용단백질(therapeutic protein)을암호화하는유전자; 및3'-아암(arm)으로서, 서열번호 2로기재되는핵산서열을갖는폴리뉴클레오티드로구성된소 베타-카제인게놈 DNA의엑손 3, 4, 5 및 6을포함하는, 치료용단백질생산용넉-인벡터를제공한다.
Abstract translation: 本发明是一种蛋白质生产yongneok用于治疗相关的门楣方法，5'-臂（臂），其由具有由SEQ ID NO所代表的核苷酸序列的多核苷酸的牛的β：1 - 载体，并使用相同的四个酪蛋白基因组 包含DNA启动子的外显子1和2的5'末端片段; 编码治疗性蛋白质的基因; 和3'-臂（臂），牛的β选自具有由SEQ ID NO所代表的核苷酸序列的多核苷酸：2 - yongneok生产用于治疗蛋白，包括基因组DNA 3，4，5和6的外显子的酪蛋白 - 的 它提供了一个载体。
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公开(公告)号：KR1020070102842A
公开(公告)日：2007-10-22
申请号：KR1020060034565
申请日：2006-04-17
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: A method for regulating size of a zinc oxide nanorod array is provided to compound the oxide nanorod array having predetermined length and diameter as needed by regulating mol rate of an oxygen precursor and a zinc precursor, thereby capable of manufacturing a sensor easily. A method for regulating size of a zinc oxide nanorod array comprises the steps: providing an oxide aluminum(A2D3) substrate in a chamber of a MOCVD; and compounding the oxide nanorod array on the oxide aluminum substrate by supplying O2 precursor and a diethylzinc(DEZn) precursor into the chamber. The growing size of the oxide nanorod is regulated by adjusting mol rate of the oxygen of the O2 precursor and the Zn of the DEZn precursor.
Abstract translation: 提供一种用于调节氧化锌纳米棒阵列尺寸的方法，以通过调节氧前体和锌前体的摩尔比来将具有预定长度和直径的氧化物纳米棒阵列复合，从而能够容易地制造传感器。 一种用于调节氧化锌纳米棒阵列尺寸的方法包括以下步骤：在MOCVD的腔室中提供氧化铝（A2D3）衬底; 并通过将O 2前体和二乙基锌（DEZn）前体供应到所述室中来将氧化物纳米棒阵列复合在氧化铝基底上。 氧化物纳米棒的生长尺寸通过调节O 2前体的氧和DEZn前体的Zn的摩尔比来调节。
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公开(公告)号：KR100778555B1
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：KR1020060032292
申请日：2006-04-10
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: B82B3/00 , H01L21/205 , B82Y35/00
Abstract: 산화아연 나노막대 어레이 센서의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 기판상에 산화아연(ZnO) 나노막대(nanorod) 어레이(array)를 합성하는 단계 및 상기 산화아연 나노막대 어레이 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 수직 및 수평정렬이 우수한 산화아연 나노막대 어레이를 이용하여 센서를 제조함으로써, 매우 간단한 포토공정으로 센서를 제조할 수 있는 이점을 제공한다. 또한, 많은 개수의 나노막대가 포함된 산화아연 나노막대 어레이를 사용하기 때문에 측정값들의 재현성이 우수하여 센서의 신뢰성을 향상시키는 이점이 있다. 또한, 저항이 킬로 오옴(㏀) 단위로서 매우 큰 저항값을 나타내기 때문에 저가의 간단한 측정장비로도 전류 기타 물리량을 측정할 수 있는 이점을 제공한다.
산화아연 나노막대 어레이, 센서, 유기금속 화학기상증착(MOCVD)-
公开(公告)号：KR100810026B1
公开(公告)日：2008-03-07
申请号：KR1020060034565
申请日：2006-04-17
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: 산화아연 나노막대 어레이의 합성방법을 제공한다. 상기 합성방법은 유기금속 화학기상증착(MOCVD) 장치의 챔버 내에 산소(O
2 )전구체와 DEZn(diethylzinc)전구체를 제공하여 산화알루미늄(Al
2 O
3 ) 기판상에 산화아연(ZnO) 나노막대(nanorod) 어레이(array)를 합성하는 단계를 포함하며, 상기 산화아연 나노막대 어레이를 합성하는 단계는 상기 산소전구체의 산소(O)와 상기 DEZn전구체의 아연(Zn)의 몰(mol)비를 조절하여 성장하는 상기 산화아연 나노막대들의 크기를 조절하는 것을 특징으로 한다. 산소전구체와 아연전구체의 몰비를 조절하여 합성함으로써, 원하는 길이나 직경을 갖는 산화아연 나노막대들로 이루어진 산화아연 나노막대 어레이를 합성할 수 있는 이점을 제공한다. 또한, 원하는 표면밀도를 갖는 산화아연 나노막대 어레이를 합성할 수 있는 이점을 제공한다.
산화아연 나노막대 어레이, 유기금속 화학기상증착(MOCVD)-
公开(公告)号：KR1020070101029A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：KR1020060032292
申请日：2006-04-10
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: B82B3/00 , H01L21/205 , B82Y35/00
CPC classification number: H01L21/02603 , B82Y15/00 , C01G9/02 , C01P2004/16 , H01L21/0274 , H01L21/205 , H01L21/30604
Abstract: A method for manufacturing a sensor using zinc oxide nanorod arrays is provided to produce a zinc oxide nanorod-arrayed sensor having excellent reproducibility and good reliability by a very simple lithography process. A method for manufacturing a sensor using zinc oxide nanorod arrays includes the steps of: synthesizing zinc oxide nanorod arrays(140) on a substrate; and forming an electrode(160) on the zinc oxide nanorod arrays. The substrate(110) has a platinum coating layer(130). The step of synthesizing the zinc oxide nanorod arrays comprises the steps of: providing the substrate having the platinum coating layer in a metal organic chemical vapor deposition apparatus; and synthesizing zinc oxide nanorod arrays on a predetermined portion of the substrate having the platinum coating layer.
Abstract translation: 提供了使用氧化锌纳米棒阵列制造传感器的方法，以通过非常简单的光刻工艺制造具有优异的再现性和良好可靠性的氧化锌纳米棒阵列传感器。 一种用于制造使用氧化锌纳米棒阵列的传感器的方法包括以下步骤：在衬底上合成氧化锌纳米棒阵列（140）; 以及在所述氧化锌纳米棒阵列上形成电极（160）。 基板（110）具有铂涂层（130）。 合成氧化锌纳米棒阵列的步骤包括以下步骤：在金属有机化学气相沉积设备中提供具有铂涂层的基底; 并在具有铂涂层的基板的预定部分上合成氧化锌纳米棒阵列。
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