公开(公告)号：KR101384415B1

公开(公告)日：2014-04-14

申请号：KR1020120050293

申请日：2012-05-11

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  케이브이구라브 ,  문종하 ,  신승욱 ,  씨디록한드

IPC: G01N27/12 ,  G08B21/16

Abstract: 가스센서 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의한 가스센서는 p형 박막형 화합물 반도체층을 채용하여 화학적으로 안정하고, 신속하게 검출 대상 가스를 검지할 수 있으며, p형 박막형 화합물 반도체층의 치밀한 특성과 n형 다공성 화합물 반도체층의 다공질 특성으로 pn 접합 계면에서 가스 분자의 화학 반응이 용이하게 일어날 수 있고, 반응 시간 및 회복 시간이 감소될 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 가스센서의 제조방법은 기판 상에 p형 화합물 반도체용 전구체 박막을 스퍼터링하여 증착하고, 전구체 박막을 열처리하는 단계를 통해 p형 박막형 화합물 반도체층을 형성하며, CBD(chemical bath deposition)법을 이용하여 p형 박막형 화합물 반도체층 상에 n형 금속 산화물 나노로드를 성장시키는 단계를 통해 n형 다공성 화합물 반도체층을 형성하여 간단하고 용이하게 우수한 특성을 갖는 가스센서를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130126289A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：KR1020120050293

申请日：2012-05-11

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  케이브이구라브 ,  문종하 ,  신승욱 ,  씨디록한드

IPC: G01N27/12 ,  G08B21/16

Abstract: A gas sensor and a method for manufacturing the gas sensor are provided. The gas sensor according to the present invention is able to rapidly detect detection target gas stably in terms of chemistry by employing a p-type thin film compound semiconductor layer, to cause the chemical reaction of the gas molecules on a p-n bonding interface by using accurate characteristics of the p-type thin film compound semiconductor layer and the porosity of a porous compound semiconductor layer, and to reduce the reaction and hour time. Also, the method for manufacturing the gas sensor is able to sputter and deposit a precursor thin film for a p-type compound semiconductor on a substrate, to form a p-type thin film compound semiconductor layer through a step for heat-treating the precursor thin film, and to manufacture a gas sensor that easily and simply gets excellent characteristics by forming an n-type porous compound semiconductor layer on the p-type thin film compound semiconductor layer through a step for growing an n-type metal oxide nanorod using a chemical bath deposition (CBD).

Abstract translation: 提供气体传感器和制造气体传感器的方法。 根据本发明的气体传感器能够通过使用p型薄膜化合物半导体层，在化学上稳定地快速检测检测目标气体，通过使用精确的方式使气体分子在pn键合界面上发生化学反应 p型薄膜化合物半导体层的特性和多孔化合物半导体层的孔隙率，并且减少反应和时间。 此外，制造气体传感器的方法能够在衬底上溅射沉积p型化合物半导体的前体薄膜，通过用于热处理前体的步骤形成p型薄膜化合物半导体层 并且通过在p型薄膜化合物半导体层上形成n型多孔化合物半导体层，通过用于生长n型金属氧化物纳米棒的步骤，制造气体传感器，其容易且简单地获得优异的特性， 化学浴沉积（CBD）。