公开(公告)号：KR101984408B1

公开(公告)日：2019-05-30

申请号：KR1020170163491

申请日：2017-11-30

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  아비셰크로칸데 ,  김지훈 ,  이동선 ,  찬드라칸트로칸데 ,  프라빈바바 ,  베이브하브로칸데

IPC: C25B11/03 ,  C25B11/04 ,  C25B1/04

公开(公告)号：KR101760212B1

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：KR1020160073818

申请日：2016-06-14

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  아비셰크로칸데 ,  문종하 ,  김인영 ,  찬드라칸트로칸데 ,  이주연

IPC: G01N27/414 ,  G01N1/22 ,  H01L21/203

CPC classification number: G01N27/4141 ,  G01N1/2273 ,  H01L21/203

Abstract: 본발명은가스센서및 이의제조방법에관한것으로, 종래의사성분계박막과폴리머기판의가스센서에비해, 삼성분계 p형층으로높은화학적안전성을가지는화합물반도체층을채용하여, 상온에서장소에무관하게사용할수 있으며, p형박막형화합물반도체층의치밀한특성으로 n형화합물반도체층과의이종접합을통해검지력을향상시킬수 있어종래의가스센서를대체하는기술로적용될수 있다.

Abstract translation: 气体传感器及其制造方法技术领域本发明涉及气体传感器及其制造方法，特别是涉及使用化学稳定性高的化合物半导体层的三元p型层的气体传感器， 号，以及半导体薄膜的确切性质通过异质结与该n型化合物I可以提高检测能力可以应用于一个技术代替以往的气体传感器层的p型化合物半导体层。