Abstract:
본 발명은 광대역 평판형 증폭기에 관한 것으로 특히, 텅스텐-텔루라이트 유리박막의 제조 방법 및 텅스텐-텔루라이트 유리박막을 갖는 광대역 평판형 증폭기에 관한 것이다. 본 발명은 텔루르 옥사이드 (Tellurium (VI) oxide)와 텅스텐 옥사이드 (Tungsten (VI) oxide)를 고상소결법을 이용하여 텅스텐 텔루라이트(TeO 2 -WO 3 )의 타겟을 제조하는 단계; 모재를 세척하는 단계; 증착 챔버내에서 RF스퍼터링을 이용하여 상기 타겟 물질을 상기 모재에 증착시켜 텅스텐-텔루라이트박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명은 광대역 평판형 증폭기에 관한 것으로 특히, 텅스텐-텔루라이트 유리박막의 제조 방법 및 텅스텐-텔루라이트 유리박막을 갖는 광대역 평판형 증폭기에 관한 것이다. 본 발명은 텔루르 옥사이드 (Tellurium (VI) oxide)와 텅스텐 옥사이드 (Tungsten (VI) oxide)를 고상소결법을 이용하여 텅스텐 텔루라이트(TeO 2 -WO 3 )의 타겟을 제조하는 단계; 모재를 세척하는 단계; 증착 챔버내에서 RF스퍼터링을 이용하여 상기 타겟 물질을 상기 모재에 증착시켜 텅스펜-텔루라이트박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.