公开(公告)号：KR1020140103542A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：KR1020130017037

申请日：2013-02-18

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 하준석 ,  오태성 ,  정탁 ,  박준범

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/145 ,  H01L33/44

Abstract: Disclosed are a semiconductor light emitting device having a static electricity protection structure and a production method thereof. The semiconductor light emitting device comprises: a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer which are sequentially stacked from the top; an electrode structure which is stacked on the lower surface of the light emitting structure; one or more via holes which are configured to expose the first conductive semiconductor layer by penetrating a partial layer of the electrode structure, the second conductive semiconductor layer, and the active layer in order to electrically connect one of the electrodes of the electrode structure to the first conductive semiconductor layer; and a surrounding insulating film which is located in the light emitting structure within the partial layer of the electrode structure in the circumference of the via holes or the light emitting structure.

Abstract translation: 公开了具有静电保护结构的半导体发光器件及其制造方法。 半导体发光器件包括：发光结构，其包括从顶部依次堆叠的第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层; 堆叠在发光结构的下表面上的电极结构; 一个或多个通孔，其被配置为通过穿透电极结构的部分层，第二导电半导体层和有源层来暴露第一导电半导体层，以将电极结构的电极之一电连接到 第一导电半导体层; 以及在通孔或发光结构的圆周中位于电极结构的局部层内的发光结构中的周围绝缘膜。

公开(公告)号：KR101458296B1

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：KR1020130017037

申请日：2013-02-18

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 하준석 ,  오태성 ,  정탁 ,  박준범

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/44

Abstract: 정전기 보호 구조를 가지는 반도체 발광 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 반도체 발광 소자는 위로부터 순차로 적층된 제1도전형 반도체층, 활성층, 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물과, 발광구조물의 하면에 적층된 전극구조물과, 전극구조물의 전극 중 하나를 제1도전형 반도체층과 전기적으로 연결하기 위하여, 전극구조물의 일부층, 제2도전형 반도체층, 및 활성층을 관통하여 제1도전형 반도체층을 노출시키는 하나 이상의 비아홀을 포함하며, 하나 이상의 비아홀 각각의 둘레의 전극구조물의 일부층 또는 발광구조물 내에 위치하는 둘레 절연막을 구비한다.