公开(公告)号：KR101053639B1

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：KR1020080137238

申请日：2008-12-30

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 박병관 ,  양하용 ,  최철종 ,  심규환

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명은 제조 공정의 변화에 관계없이 컷오프 전압을 정확하고 안정되게 제어할 수 있고 이를 통해 소자의 수율을 높일 수 있는 접합형 전계 효과 트랜지스터 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명은 게이트 전압에 의해 채널이 형성되는 채널 층의 상하부에 각각 SiGe로 이루어진 상부 및 하부 확산 저지층을 형성하여, 게이트 접합부의 접합 영역 확산을 저지하고, 상기 게이트 접합부가 계면에서 날카로운 농도 구배를 갖도록 함으로써, 공정 변화에 따른 전기적 특성의 편차가 작아져, 일정한 전기적 특성을 유지시키는 것이 용이하고 그 결과 전체 수율을 향상시킬 수 있는 것이다.
접합형 전계 효과 트랜지스터(JFET), 확산 저지층, SiGe, 접합, 확산 공정,

Abstract translation: 本发明涉及一种结型场效应晶体管器件，它能够准确和稳定地控制截止电压，而不管制造工艺的变化如何，从而提高器件的成品率， 通过由形成上部和下部的上，下扩散防止在沟道层上制成的每个的SiGe的层，沟道被形成，并防止接头区域中的栅极结的扩散，并且具有尖锐的梯度的界面处的栅极结，该过程改变 容易维持恒定的电特性，结果可以提高整体的成品率。

公开(公告)号：KR1020100078859A

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：KR1020080137238

申请日：2008-12-30

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 박병관 ,  양하용 ,  최철종 ,  심규환

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66893 ,  H01L29/7832

Abstract: PURPOSE: A junction field effect transistor and a manufacturing method thereof are provided to control the impurity diffusion to an upper and lower part of a channel layer by arranging a diffusion stop layer consisting of SiGe. CONSTITUTION: A lower epi layer(301) is formed on the top of a semiconductor substrate(300). A lower diffusion stop layer(302) is formed on the top of the lower epi layer. A channel layer(303) is formed on the top of the lower diffusion stop layer. A top diffusion stop layer(304) is formed on the top of the channel layer. A top epi layer(305) is formed on the top of the top diffusion stop layer. An isolation unit(306) is formed in the top and lower epi layer, the top, the lower diffusion stop layer and the side of the channel layer.

Abstract translation: 目的：提供结型场效应晶体管及其制造方法，通过设置由SiGe组成的扩散阻挡层来控制杂质扩散到沟道层的上部和下部。 构成：在半导体衬底（300）的顶部上形成较低的外延层（301）。 下扩散停止层（302）形成在下外延层的顶部。 沟道层（303）形成在下扩散停止层的顶部。 顶部扩散停止层（304）形成在沟道层的顶部。 顶部外延层（305）形成在顶部扩散停止层的顶部。 隔离单元（306）形成在顶部和下部外延层，顶部，下部扩散停止层和沟道层侧。