Abstract:
PURPOSE: Manufacturing of a platinum-polyaniline electrode and using as a counter electrode of a dye-sensitized solar cell are provided to improve the efficiency of a photoelectric cell by increasing electrochemical catalytic activity. CONSTITUTION: A dye-sensitized solar cell includes a platinum (Pt) - polyaniline nano fiber (PANI NFs) electrode, a ruthenium (II)535 bis-TBA dye, and a redox electrolyte. The ruthenium (II)535 bis-TBA dye and the redox electrolyte are absorbed to a TiO2 electrode. The platinum-polyaniline nano fiber electrode is produced by combining H2PtCl6 and PANI NFs. The platinum-polyaniline nano fiber electrode is synthesized by an interfacial polymerization method. The surface of polyaniline nano fiber is doped with platinum, and the diameter of the platinum-polyaniline nano fiber is 80 to 100 nm.
Abstract:
본 발명은 갈륨 이온이 도핑되어 전기적 특성이 향상된 PANI(p-polyaniline)/ZnO 이종접합구조 장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상기 PANI(p-polyaniline)/ZnO 이종접합구조 장치에서 PANI는 플라스마를 이용하여 제조된 것임을 특징으로 할 수 있고, 상기 갈륨 이온 도핑은 갈륨-아연산화물(Ga-ZnO) 화학합성법으로 제조한 나노입자(NPs)를 이용하는 것임을 특징으로 할 수 있으며, 상기 전기적 특성의 향상은 전하 전도의 효율성의 향상인 것을 특징으로 할 수 있다. 또한 본 발명은 상기 방법 중 선택된 어느 하나의 방법을 의해 제조된 갈륨 이온이 도핑되어 전기적 특성이 향상된 PANI(p-polyaniline)/n-ZnO 이종접합구조 장치에 관한 것이다. 본 발명은 기존의 이종접합구조 장치보다 더 높은 품질과 성능으로 기존의 레이저 다이오드와 자외선 광검출기인 LED 와 같은 광전자 장치에 이용되어 질수 있고, 낮은 전압과 과민한 정류기의 퍼텐셜 생산을 위한 좋은 재료로 활용될 수 있으며, 레이저 다이오드, 자외선 광검출기(LEDs), FET소자, SET소자, 태양전지 등 다양한 기술에 적용될 수 있다는 점에서 산업상 이용가능성이 매우 우수하다고 할 것이다.
Abstract:
PURPOSE: A PANI(P-Polyaniline)/Ga(Gallium)-ZnO(Zinc Oxide) hetero junction structure device with improved electrical properties by gallium and ion doping is provided to provided a high barrier height, a low ideality factor, and an improved saturation current by doping gallium ion on the PANI/ZnO hetero junction structure device. CONSTITUTION: Gallium ion is doped on a PANI/n-ZnO hetero junction structure device. The PANI /n-ZnO hetero junction structure device is manufactured with plasma. The gallium ion doping uses gallium-zinc oxide nano particles. A saturation current of the PANI/n-ZnO hetero junction structure device increases about 12.8 times that before the gallium ion doping.
Abstract translation:目的:提供通过镓和离子掺杂提高电性能的PANI(P-聚苯胺)/ Ga(镓)-ZnO(氧化锌)异质结结构器件,以提供高势垒高度,低理想因子和改进的 饱和电流通过在PANI / ZnO异质结结构器件上掺杂镓离子。 构成:在PANI / n-ZnO异质结结构器件上掺杂镓离子。 PANI / n-ZnO异质结结构器件采用等离子体制造。 镓离子掺杂使用镓 - 氧化锌纳米颗粒。 PANI / n-ZnO异质结结构器件的饱和电流增加约为镓离子掺杂前的12.8倍。