백금―폴리아닐린 전극제조 및 염료감응형 태양전지의 상대전극으로 이용
    1.
    发明公开
    백금―폴리아닐린 전극제조 및 염료감응형 태양전지의 상대전극으로 이용 无效
    用于计数器电极的界面金属掺杂聚苯胺纳米纤维

    公开(公告)号:KR1020130084039A

    公开(公告)日:2013-07-24

    申请号:KR1020120004735

    申请日:2012-01-16

    CPC classification number: Y02E10/542 H01L31/042 H01L31/0224

    Abstract: PURPOSE: Manufacturing of a platinum-polyaniline electrode and using as a counter electrode of a dye-sensitized solar cell are provided to improve the efficiency of a photoelectric cell by increasing electrochemical catalytic activity. CONSTITUTION: A dye-sensitized solar cell includes a platinum (Pt) - polyaniline nano fiber (PANI NFs) electrode, a ruthenium (II)535 bis-TBA dye, and a redox electrolyte. The ruthenium (II)535 bis-TBA dye and the redox electrolyte are absorbed to a TiO2 electrode. The platinum-polyaniline nano fiber electrode is produced by combining H2PtCl6 and PANI NFs. The platinum-polyaniline nano fiber electrode is synthesized by an interfacial polymerization method. The surface of polyaniline nano fiber is doped with platinum, and the diameter of the platinum-polyaniline nano fiber is 80 to 100 nm.

    Abstract translation: 目的:提供铂 - 聚苯胺电极的制造和用作染料敏化太阳能电池的对电极,以通过增加电化学催化活性来提高光电池的效率。 构成:染料敏化太阳能电池包括铂(Pt) - 聚苯胺纳米纤维(PANI NFs)电极,钌(II)535双TBA染料和氧化还原电解质。 钌(II)535双-TBA染料和氧化还原电解质被吸收到TiO2电极。 通过组合H2PtCl6和PANI NF制备铂 - 聚苯胺纳米纤维电极。 铂 - 聚苯胺纳米纤维电极通过界面聚合法合成。 聚苯胺纳米纤维的表面掺杂铂,铂 - 聚苯胺纳米纤维的直径为80〜100nm。

    PANI/Ga-ZnO 이종접합구조 장치의 갈륨 이온 도핑에 의한 전기적 특성
    2.
    发明授权
    PANI/Ga-ZnO 이종접합구조 장치의 갈륨 이온 도핑에 의한 전기적 특성 有权
    通过等离子体增强聚合技术的聚苯胺/镓掺杂的ZnO异质结构器件:制备,表征和电性能

    公开(公告)号:KR101244227B1

    公开(公告)日:2013-03-18

    申请号:KR1020110030485

    申请日:2011-04-04

    Abstract: 본 발명은 갈륨 이온이 도핑되어 전기적 특성이 향상된 PANI(p-polyaniline)/ZnO 이종접합구조 장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상기 PANI(p-polyaniline)/ZnO 이종접합구조 장치에서 PANI는 플라스마를 이용하여 제조된 것임을 특징으로 할 수 있고, 상기 갈륨 이온 도핑은 갈륨-아연산화물(Ga-ZnO) 화학합성법으로 제조한 나노입자(NPs)를 이용하는 것임을 특징으로 할 수 있으며, 상기 전기적 특성의 향상은 전하 전도의 효율성의 향상인 것을 특징으로 할 수 있다. 또한 본 발명은 상기 방법 중 선택된 어느 하나의 방법을 의해 제조된 갈륨 이온이 도핑되어 전기적 특성이 향상된 PANI(p-polyaniline)/n-ZnO 이종접합구조 장치에 관한 것이다.
    본 발명은 기존의 이종접합구조 장치보다 더 높은 품질과 성능으로 기존의 레이저 다이오드와 자외선 광검출기인 LED 와 같은 광전자 장치에 이용되어 질수 있고, 낮은 전압과 과민한 정류기의 퍼텐셜 생산을 위한 좋은 재료로 활용될 수 있으며, 레이저 다이오드, 자외선 광검출기(LEDs), FET소자, SET소자, 태양전지 등 다양한 기술에 적용될 수 있다는 점에서 산업상 이용가능성이 매우 우수하다고 할 것이다.

    잘 정렬된 이산화 티타늄 나노튜브 전극기반의 페닐 히드라진 고감도 센서
    3.
    发明公开
    잘 정렬된 이산화 티타늄 나노튜브 전극기반의 페닐 히드라진 고감도 센서 无效
    通过电化学阳极氧化合成高分辨率的TIO2纳米管,用于前瞻性苯乙烯传感器

    公开(公告)号:KR1020160014123A

    公开(公告)日:2016-02-11

    申请号:KR1020140094664

    申请日:2014-07-25

    CPC classification number: G01N27/30 B82B3/00

    Abstract: 본발명은잘 정렬된이산화티타늄나노튜브전극기반의페닐히드라진고감도센서에관한것이다. 보다상세하게는잘 정렬된 TiO나노튜브는 Ti foil을초음파세척기내에서탈지시켜증류수로세척한후로건조시키는단계와, 에틸렌글리콜용액에용해된불화암모늄과정제수를포함한두 개의전극전지시스템에서전기화학적으로양극산화시키는단계와, 양극산화된 Ti foil 위에서성장한이산화티타늄나노튜브배열을증류수로세정하고소결하는단계로구성되는것을특징으로하는이산화티타늄나노튜브배열전극기반의페닐히드라진고감도센서에관한것이다. 본발명의잘 정렬된 TiONT 전극기반의화학센서는높은감도를보이고짧은반응시간에서극미량까지측정할수 있으므로안전하다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种基于高取向二氧化钛(TiO_2)纳米管电极的高灵敏度苯肼传感器,更具体地涉及一种基于TiO_2纳米管阵列电极的高灵敏度苯肼传感器。 基于TiO_2纳米管阵列电极的高灵敏度苯肼传感器通过以下方法形成:包括以下步骤:在超声波清洗器中除去钛(Ti)箔以使用蒸馏水洗涤Ti箔,然后干燥Ti箔; 在包括溶解在乙二醇溶液中的氟化铵和净化水的两个电极电池系统中电化学阳极氧化Ti箔的步骤; 以及使用蒸馏水清洗在阳极化Ti箔上生长的TiO_2纳米管阵列并烧结TiO_2纳米管阵列的步骤。 基于高度排列的TiO_2纳米管电极的化学传感器具有高灵敏度并且是安全的,因为在短的反应时间内可以测量极少的量。

    PANI/Ga-ZnO 이종접합구조 장치의 갈륨 이온 도핑에 의한 전기적 특성
    4.
    发明公开
    PANI/Ga-ZnO 이종접합구조 장치의 갈륨 이온 도핑에 의한 전기적 특성 有权
    通过等离子体增强聚合技术制备聚氨酯/聚氯乙烯异构体装置:制备,表征和电气性能

    公开(公告)号:KR1020120112904A

    公开(公告)日:2012-10-12

    申请号:KR1020110030485

    申请日:2011-04-04

    CPC classification number: H01L51/0587

    Abstract: PURPOSE: A PANI(P-Polyaniline)/Ga(Gallium)-ZnO(Zinc Oxide) hetero junction structure device with improved electrical properties by gallium and ion doping is provided to provided a high barrier height, a low ideality factor, and an improved saturation current by doping gallium ion on the PANI/ZnO hetero junction structure device. CONSTITUTION: Gallium ion is doped on a PANI/n-ZnO hetero junction structure device. The PANI /n-ZnO hetero junction structure device is manufactured with plasma. The gallium ion doping uses gallium-zinc oxide nano particles. A saturation current of the PANI/n-ZnO hetero junction structure device increases about 12.8 times that before the gallium ion doping.

    Abstract translation: 目的:提供通过镓和离子掺杂提高电性能的PANI(P-聚苯胺)/ Ga(镓)-ZnO(氧化锌)异质结结构器件,以提供高势垒高度,低理想因子和改进的 饱和电流通过在PANI / ZnO异质结结构器件上掺杂镓离子。 构成:在PANI / n-ZnO异质结结构器件上掺杂镓离子。 PANI / n-ZnO异质结结构器件采用等离子体制造。 镓离子掺杂使用镓 - 氧化锌纳米颗粒。 PANI / n-ZnO异质结结构器件的饱和电流增加约为镓离子掺杂前的12.8倍。

Patent Agency Ranking