公开(公告)号：WO2014185737A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：PCT/KR2014/004388

申请日：2014-05-16

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 길연호 ,  정주영 ,  김종희 ,  최철종 ,  조덕호 ,  심규환

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02458

Abstract: 본 발명의 이종 기판 제조 방법은, 베이스 기판의 상부에 인터 레이어를 성장하는 단계, 인터 레이어 상에 탑 레이어를 형성하는 단계, 탑 레이어 상에 저온의 버퍼 레이어를 성장하는 단계, 버퍼 레이어 상에 고온의 3족 질화계(Ⅲ-Nitride) 에피 레이어를 형성하는 단계, 및 에피 레이어 성장 시 인터 레이어가 유동성을 가지면서 베이스 기판과 접촉하는 인터 레이어 일부가 베이스 기판과 반응하여 베이스 기판과 상기 인터 레이어 사이에 인터 믹싱 레이어를 형성하는 단계를 포함한다. 이와 같은 본 발명에 따르면, 고온에서 에피 레이어를 성장하기 위해 온도를 올릴 때 인터 레이어가 유동성을 갖게 되고 이 부분이 베이스 기판과 인터 믹싱(inter mixing)되어 최종 성장되는 에피 레이어가 반도체 베이스 기판의 격자 상수에 영향을 받지 않는 대면적에 유리한 고품위의 특성을 갖게 한다.

Abstract translation: 根据本发明的用于制造异质衬底的方法包括以下步骤：在基底衬底的顶部上生长层间; 在层间顶部形成顶层; 在顶层的顶部生长具有低温的缓冲层; 在缓冲层的顶部上形成具有高温的III族氮化物外延层; 以及当所述层间生长所述外延层时，所述层间层与所述基底基板反应而与所述基底基板反应的部分与所述基底基板和所述层间层之间形成混合层。 根据本发明，当温度升高以在高温下生长外延层时，层间层获得灵活性，并且该部分与基底基板相互混合，从而提供最终的外延层的高质量特性 生长以不受半导体基底的晶格常数的影响，这对于大面积是有利的。

公开(公告)号：KR1020140135541A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：KR1020130055978

申请日：2013-05-16

Applicant: 전북대학교산학협력단 ,  주식회사 시지트로닉스

Inventor： 길연호 ,  정주영 ,  김종희 ,  최철종 ,  조덕호 ,  심규환

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02458

Abstract: 본 발명의 이종 기판 제조 방법은, 베이스 기판의 상부에 인터 레이어를 성장하는 단계, 인터 레이어 상에 탑 레이어를 형성하는 단계, 탑 레이어 상에 저온의 버퍼 레이어를 성장하는 단계, 버퍼 레이어 상에 고온의 3족 질화계(Ⅲ-Nitride) 에피 레이어를 형성하는 단계, 및 에피 레이어 성장 시 인터 레이어가 유동성을 가지면서 베이스 기판과 접촉하는 인터 레이어 일부가 베이스 기판과 반응하여 베이스 기판과 상기 인터 레이어 사이에 인터 믹싱 레이어를 형성하는 단계를 포함한다. 이와 같은 본 발명에 따르면, 고온에서 에피 레이어를 성장하기 위해 온도를 올릴 때 인터 레이어가 유동성을 갖게 되고 이 부분이 베이스 기판과 인터 믹싱(inter mixing)되어 최종 성장되는 에피 레이어가 반도체 베이스 기판의 격자 상수에 영향을 받지 않는 대면적에 유리한 고품위의 특성을 갖게 한다.

Abstract translation: 本发明的异质衬底制造方法包括在基底的上部生长中间层的步骤，在层间形成顶层的步骤，在顶层上生长低温缓冲层的步骤， 在缓冲层上形成高温III-氮化物外延层的步骤，以及在层间和基底衬底之间形成混合层的步骤，作为接触基底衬底的层的一部分与基底反应而中间层具有 当外延层生长时的灵活性。 根据本发明，当提高高温生长外延层的温度时，中间层具有柔性，然后将该部分与基底衬底混合，使得最终生长的外延层能够具有高等级特性，即 有利于不受半导体基底基板的晶格常数影响的大面积。

公开(公告)号：KR101485908B1

公开(公告)日：2015-01-26

申请号：KR1020130055978

申请日：2013-05-16

Applicant: 전북대학교산학협력단 ,  주식회사 시지트로닉스

Inventor： 길연호 ,  정주영 ,  김종희 ,  최철종 ,  조덕호 ,  심규환

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02458

Abstract: 본 발명의 이종 기판 제조 방법은, 베이스 기판의 상부에 인터 레이어를 성장하는 단계, 인터 레이어 상에 탑 레이어를 형성하는 단계, 탑 레이어 상에 저온의 버퍼 레이어를 성장하는 단계, 버퍼 레이어 상에 고온의 3족 질화계(Ⅲ-Nitride) 에피 레이어를 형성하는 단계, 및 에피 레이어 성장 시 인터 레이어가 유동성을 가지면서 베이스 기판과 접촉하는 인터 레이어 일부가 베이스 기판과 반응하여 베이스 기판과 상기 인터 레이어 사이에 인터 믹싱 레이어를 형성하는 단계를 포함한다. 이와 같은 본 발명에 따르면, 고온에서 에피 레이어를 성장하기 위해 온도를 올릴 때 인터 레이어가 유동성을 갖게 되고 이 부분이 베이스 기판과 인터 믹싱(inter mixing)되어 최종 성장되는 에피 레이어가 반도체 베이스 기판의 격자 상수에 영향을 받지 않는 대면적에 유리한 고품위의 특성을 갖게 한다.

公开(公告)号：KR1020120112904A

公开(公告)日：2012-10-12

申请号：KR1020110030485

申请日：2011-04-04

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 김영순 ,  정주영 ,  아민사디아 ,  임유빈 ,  신형식

IPC: H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0587

Abstract: PURPOSE: A PANI(P-Polyaniline)/Ga(Gallium)-ZnO(Zinc Oxide) hetero junction structure device with improved electrical properties by gallium and ion doping is provided to provided a high barrier height, a low ideality factor, and an improved saturation current by doping gallium ion on the PANI/ZnO hetero junction structure device. CONSTITUTION: Gallium ion is doped on a PANI/n-ZnO hetero junction structure device. The PANI /n-ZnO hetero junction structure device is manufactured with plasma. The gallium ion doping uses gallium-zinc oxide nano particles. A saturation current of the PANI/n-ZnO hetero junction structure device increases about 12.8 times that before the gallium ion doping.

Abstract translation: 目的：提供通过镓和离子掺杂提高电性能的PANI（P-聚苯胺）/ Ga（镓）-ZnO（氧化锌）异质结结构器件，以提供高势垒高度，低理想因子和改进的 饱和电流通过在PANI / ZnO异质结结构器件上掺杂镓离子。 构成：在PANI / n-ZnO异质结结构器件上掺杂镓离子。 PANI / n-ZnO异质结结构器件采用等离子体制造。 镓离子掺杂使用镓 - 氧化锌纳米颗粒。 PANI / n-ZnO异质结结构器件的饱和电流增加约为镓离子掺杂前的12.8倍。

公开(公告)号：KR101244227B1

公开(公告)日：2013-03-18

申请号：KR1020110030485

申请日：2011-04-04

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 김영순 ,  정주영 ,  아민사디아 ,  임유빈 ,  신형식

IPC: H01L51/40

Abstract: 본 발명은 갈륨 이온이 도핑되어 전기적 특성이 향상된 PANI(p-polyaniline)/ZnO 이종접합구조 장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상기 PANI(p-polyaniline)/ZnO 이종접합구조 장치에서 PANI는 플라스마를 이용하여 제조된 것임을 특징으로 할 수 있고, 상기 갈륨 이온 도핑은 갈륨-아연산화물(Ga-ZnO) 화학합성법으로 제조한 나노입자(NPs)를 이용하는 것임을 특징으로 할 수 있으며, 상기 전기적 특성의 향상은 전하 전도의 효율성의 향상인 것을 특징으로 할 수 있다. 또한 본 발명은 상기 방법 중 선택된 어느 하나의 방법을 의해 제조된 갈륨 이온이 도핑되어 전기적 특성이 향상된 PANI(p-polyaniline)/n-ZnO 이종접합구조 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기존의 이종접합구조 장치보다 더 높은 품질과 성능으로 기존의 레이저 다이오드와 자외선 광검출기인 LED 와 같은 광전자 장치에 이용되어 질수 있고, 낮은 전압과 과민한 정류기의 퍼텐셜 생산을 위한 좋은 재료로 활용될 수 있으며, 레이저 다이오드, 자외선 광검출기(LEDs), FET소자, SET소자, 태양전지 등 다양한 기술에 적용될 수 있다는 점에서 산업상 이용가능성이 매우 우수하다고 할 것이다.