Abstract:
본 발명은 태양전지용 실리콘 웨이퍼를 만들 때 부산물로 나오는 사염화규소(silicon tetrachloride, SiCl 4 )를 삼염화실란(trichlorosilane, HSiCl 3 )으로 전환하는 탈염소수소화 반응에 사용되는 촉매로서, 1) 활성탄, 2) 스팀 등으로 전처리한 활성탄, 3) 실리콘과 염소가 도입된 활성탄을 스팀 등으로 전처리하여 제조한 촉매, 4) 실리콘과 염소가 도입된 활성탄을 스팀 등으로 전처리한 후 니켈, 코발트, 구리, 칼슘, 스트론튬, 바륨 중 어느 하나의 금속을 도입한 촉매 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 4종류의 촉매는 사염화규소의 탈염소수소화반응으로 삼염화실란을 제조하는 경우 반응압력 1~5기압, 반응온도 600~900, 반응시간 5~9시간에서 삼염화실란의 수율이 9~31%에 달하게 된다. 이는 태양전지용 폴리실리콘 제조 과정에서 발생되는 주된 부산물인 사염화규소를 재사용함으로써 실리콘계 태양전지 소재인 폴리실리콘의 제조비용을 획기적으로 절감할 수 있을 뿐만 아니라, 반응온도 및 압력이 낮음에도 수율 향상 및 에너지 절감을 할 수 있어 경제적인 효과를 높일 수 있는 장점이 있다.
Abstract:
본 발명은 왕겨 또는 볏짚으로부터 제조되는 실리콘 화합물의 제조방법에 관한 것으로, 왕겨 또는 볏짚을 밀링 후 산처리하고, 이를 환원제와 혼합한 후, 불활성 분위기 하에서 환원 반응을 통해 실리콘 화합물을 제조하는 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 왕겨나 볏짚으로부터 간단한 공정을 통해 고순도의 실리콘 화합물을 얻을 수 있고, 다른 원료 가스의 추가 도입으로 인해 다양한 실리콘 화합물의 제조가 가능하다. 이렇게 제조된 실리콘 화합물은 태양전지에 적용된다.
Abstract:
PURPOSE: A method for separating silicon and silicon carbide from waste sludge generated from a silicon wafer manufacturing process is provided to effectively implement a separating process using the specific gravity difference of the silicon and the silicon carbide. CONSTITUTION: The liquid part of waste sludge is dissolved in an organic solvent. The resultant is first centrifuged to be separated into a liquid part and a solid part. The solid part is treated with an acid solution in order to minimize the contents of organic materials, metals, and impurities. A heavy-liquid solution is mixed with the acid solution treated solution and is centrifuged a second time. The acid solution is based on one or more selected from a group including sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, phosphoric acid, or a mixture of the same.
Abstract:
PURPOSE: A separation method of silicon tetrachloride from unreacted trichlorosilane is provided to save energy and investment cost by drastically shortening process by adsorbing and separating impurities. CONSTITUTION: A separation method of silicon tetrachloride from unreacted trichlorosilane comprises the following step: removing impurities after charging adsorbent in one top. The impurity is silicon tetrachloride, dichlorosilane and mono chlorosilane.
Abstract:
PURPOSE: A catalysts for using in the production of trichlorosilane by the hydrodechlorination of silicon tetrachloride and process for preparing the same is provided to reduce manufacturing costs since the process is performed under 600~900°C lower than that of a conventional process. CONSTITUTION: Catalysts for using in the production of trichlorosilane by the hydrodechlorination of silicon tetrachloride is comprised of carbon of 90wt% and a porous activated charcoal having specific surface area over 10 m^2/g. A method of manufacturing the catalyst is comprised of the steps: preprocessing the porous activated charcoal for 1-10 hours by one of stem, hydrochloride, ammonia of 400~800°C; adding silicon and chlorine to the activated charcoal; and adding silicon and chlorine to the activated charcoal.