公开(公告)号：KR1020150090702A

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：KR1020140011629

申请日：2014-01-29

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 양전욱 ,  심규환 ,  임진홍

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0272

Abstract: 본발명은갈륨함유질화물반도체소자의저항성금속접촉및 이의제조방법에관한것으로, 상기방법은포토리소그라피공정을통해질화물계기판의상부면을식각하여금속접촉형성영역에대응되는패턴을형성하는단계; 상기질화물계기판위에금속접촉미형성영역에대응되는패턴을가지는포토레지스터패턴을형성하는단계; 상기질화물계기판과상기포토레지스터패턴위에미세분말형태의절연물질을산포하는단계; 상기절연물질이산포된상기질화물계기판과상기포토레지스터패턴위에금속을형성하는단계; 상기포토레지스터위에형성된절연물질과금속을리프트-오프시키는단계; 및열처리를진행하여상기질화물계기판에형성된금속이저저항특성을가지도록하는단계를포함할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及GaN半导体器件的电阻金属接触及其制造方法。 该方法包括以下步骤：通过光刻工艺蚀刻氮化物衬底的上侧，形成与金属接触形成区相对应的图案; 在氮化物衬底上形成对应于金属接触非形成区域的图案的光致抗蚀剂图案; 在氮化物衬底和光致抗蚀剂图案上分布细粉末型绝缘材料; 在光致抗蚀剂图案上形成金属和在其上分布绝缘材料的氮化物衬底; 提起形成在光刻胶图案上的金属和绝缘材料; 并且通过热处理使得形成在氮化物衬底上的金属具有低电阻性。

公开(公告)号：KR101596113B1

公开(公告)日：2016-02-19

申请号：KR1020140011629

申请日：2014-01-29

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 양전욱 ,  심규환 ,  임진홍

IPC: H01L21/027

Abstract: 본발명은갈륨함유질화물반도체소자의저항성금속접촉및 이의제조방법에관한것으로, 상기방법은포토리소그라피공정을통해질화물계기판의상부면을식각하여금속접촉형성영역에대응되는패턴을형성하는단계; 상기질화물계기판위에금속접촉미형성영역에대응되는패턴을가지는포토레지스터패턴을형성하는단계; 상기질화물계기판과상기포토레지스터패턴위에미세분말형태의절연물질을산포하는단계; 상기절연물질이산포된상기질화물계기판과상기포토레지스터패턴위에금속을형성하는단계; 상기포토레지스터위에형성된절연물질과금속을리프트-오프시키는단계; 및열처리를진행하여상기질화물계기판에형성된금속이저저항특성을가지도록하는단계를포함할수 있다.