公开(公告)号：KR101070869B1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：KR1020090034588

申请日：2009-04-21

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 최철종 ,  심규환 ,  정명일

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 본발명에따라제조된쇼트키장벽트랜지스터소자는통상의방법으로제작된소자보다전기적및 구조적특성이우수하기때문에고품질의쇼트키장벽트랜지스터소자를제작할수 있다.

公开(公告)号：KR100992483B1

公开(公告)日：2010-11-05

申请号：KR1020090013547

申请日：2009-02-18

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 최철종 ,  심규환 ,  정명일

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 쇼트키 접합을 이용한 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 실리콘 기판과 금속 실리사이드 전극과의 쇼트키 접합 특성을 나타내는 후면 전극형 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
상기 후면 전극형 태양전지는 간단한 공정으로 인해 제작비용 절감과 동시에 입사되는 태양광의 광손실을 최소화하여 고효율 태양 전지를 구현한다.
태양전지, 쇼트키 접합

公开(公告)号：KR1020100115928A

公开(公告)日：2010-10-29

申请号：KR1020090034588

申请日：2009-04-21

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 최철종 ,  심규환 ,  정명일

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0891 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/02244 ,  H01L27/095 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/4232

Abstract: PURPOSE: The manufacturing method of the Schottky barrier transistor element It relatively facilitates, the high-end having the high action electric current density, and the device of the high quality can be manufactured. CONSTITUTION: The manufacturing method of the Schottky barrier transistor element(1) the gate insulating film layer is formed on the silicon comprising substrate. The gate electrode layer is formed on the isolation film layer front side. The gate insulating film layer and gate electrode layer are etched and the gate insulating layer and gate electrode are formed.

Abstract translation: 目的：肖特基势垒晶体管元件的制造方法相对而言，具有高动作电流密度的高端，能够制造高质量的器件。 构成：在包含硅的衬底上形成肖特基势垒晶体管元件（1）栅极绝缘膜层的制造方法。 栅电极层形成在隔离膜层正面上。 蚀刻栅极绝缘膜层和栅极电极层，形成栅极绝缘层和栅极电极。

公开(公告)号：KR1020100094224A

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：KR1020090013547

申请日：2009-02-18

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 최철종 ,  심규환 ,  정명일

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04

Abstract: PURPOSE: A solar cell and a method for manufacturing the same are provided to easily obtain a rear electrode type solar cell by manufacturing the solar cell at a low temperature less than or equal to 500degrees Celsius. CONSTITUTION: A textured silicon substrate(401) is prepared. A passivation layer(402) is formed on the entire surface of the textured substrate. An anti-reflection film(403) is formed on the entire surface of the passivation layer. Patterned electrodes(405, 406) are formed on the lower side of the substrate. An insulating film(404) is formed in order to secure the insulation between the electrodes. The electrodes include metal silicide.

Abstract translation: 目的：提供太阳能电池及其制造方法，通过在低于或等于500度的低温下制造太阳能电池来容易地获得后电极型太阳能电池。 构成：制备织构化的硅衬底（401）。 钝化层（402）形成在纹理化衬底的整个表面上。 在钝化层的整个表面上形成防反射膜（403）。 图案化电极（405,406）形成在基板的下侧。 形成绝缘膜（404）以确保电极之间的绝缘。 电极包括金属硅化物。