公开(公告)号：KR1020160108959A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：KR1020150032458

申请日：2015-03-09

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 최영란 ,  김현수

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/47

Abstract: 본발명은탄소나노튜브층및 쇼트키금속층이반도체기판위에순차적으로적층된다층구조를갖는쇼트키전극을포함하여쇼트키다이오드의장벽을높임으로서, 현저히개선된저 누설전류특성을나타낼수 있는쇼트키다이오드및 그제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种肖特基二极管及其制造方法。 肖特基二极管包括具有多层结构的肖特基电极，以在半导体衬底上依次堆叠碳纳米管层和肖特基金属层，以增加肖特基二极管的势垒，从而显着改善了低漏电流特性。

公开(公告)号：KR101710670B1

公开(公告)日：2017-02-28

申请号：KR1020150032458

申请日：2015-03-09

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 최영란 ,  김현수

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47

Abstract: 본발명은탄소나노튜브층및 쇼트키금속층이반도체기판위에순차적으로적층된다층구조를갖는쇼트키전극을포함하여쇼트키다이오드의장벽을높임으로서, 현저히개선된저 누설전류특성을나타낼수 있는쇼트키다이오드및 그제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明提供具有在半导体基板上依次层叠碳纳米管层和肖特基金属层的层结构的肖特基电极，通过增大肖特基二极管的势垒，能够形成具有层结构的肖特基电极。 关键二极管及其制造方法。