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公开(公告)号：WO2017213403A1
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：PCT/KR2017/005880
申请日：2017-06-07
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 기판; 질화갈륨 계열의 제 1 도전형 반도체층; 질화갈륨 계열의 제 2 도전형 반도체층; 및 상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층; 상기 제 2 도전형 반도체층에 접촉되는 투명전극을 포함하며, 투명전극이 전자빔 증발법(electron-beam evaporator)으로 증착된 제 1 전극 층 및 스퍼터(sputter)로 증착된 제 2 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 고효율 발광다이오드 및 그의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 질화갈륨계 고효율 발광다이오드는 높은 광투과도와 낮은 면저항을 가질 수 있다.
Abstract translation: ＆lt; p num =“0000”＆gt; 氮化镓基第一导电型半导体层; 氮化镓基第二导电类型半导体层; 以及介于第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层; 并且包括与第二导电半导体层接触的透明电极的第二电极层，其中透明电极由通过电子束蒸发器沉积的第一电极层和溅射 氮化镓基高效率发光二极管及其制造方法。 本发明的氮化镓基高效率发光二极管可以具有高透光率和低薄层电阻。
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公开(公告)号：WO2014030816A1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：PCT/KR2013/001534
申请日：2013-02-26
Applicant: 전북대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/452 , H01L29/2003 , H01L29/7786 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2933/0016
Abstract: 오믹 컨택 제조방법 및 이에 의하여 제조된 오믹 컨택이 제공된다. 본 발명에 따른 오믹 컨택 제조방법은 nGaN층 표면을 KOH로 식각처리하는 단계; 상기 식각처리된 n-GaN층 상에 금속층을 적층하는 단계; 및 상기 금속층 및 nGaN층을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 발명에 따르면, KOH에 의한 습식 식각 공정-금속박막 증착 공정-열처리 공정을 연속적으로 진행함으로써 개선된 오믹 컨택 특성을 갖는 반극성(Semipolar) 또는 비극성(nonpolar) n-GaN 기반 소자를 제조할 수 있었다.
Abstract translation: 提供一种制备欧姆接触的方法和由此制备的欧姆接触。 根据本发明，制备欧姆接触的方法包括以下步骤：用KOH蚀刻nGaN层的表面; 在蚀刻的nGaN层上分层金属层; 并对金属层和nGaN层进行热处理。 根据本发明，可以通过连续进行KOH的湿蚀刻，金属薄膜沉积和热处理来制备具有改善的欧姆接触特性的半极性或非极性nGaN基器件。
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公开(公告)号：KR102101583B1
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：KR1020190114470
申请日：2019-09-18
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: B09B3/00
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公开(公告)号：KR101528098B1
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：KR1020140024198
申请日：2014-02-28
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L33/40 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/205 , H01L33/42
Abstract: 본발명의반도체와금속사이의오믹특성강화방법은, 질화갈륨(GaN) 계열반도체상에니켈/금(Ni/Au) 전극을형성하는방법에있어서, 상기반도체와상기전극간의양질의오믹접촉을위하여전자빔 빗각증착(oblique-angle deposition)하는단계, 및상기반도체와상기전극을산소(O₂) 분위기에서열처리(rapid thermal annealing)하는단계를포함한다.
Abstract translation: 一种用于加强半导体和金属之间的欧姆特性的方法包括以下步骤：对半导体和电极之间的高欧姆接触进行电子束斜角沉积; 以及在GaN基半导体上形成Ni / Au电极的方法中，在O2气氛下进行半导体和电极的快速热退火。
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公开(公告)号：KR20210023141A
公开(公告)日：2021-03-04
申请号：KR20190102910
申请日：2019-08-22
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: 본발명은발광다이오드및 이의제조방법에관한것으로서, 상기발광다이오드는서로마주보며배치되는제 1 반도체층과제 2 반도체층, 상기제 1 반도체층과상기제 2 반도체층사이에위치하는활성층, 그리고상기제 2 반도체층위에서로이격되어위치하는제 1 전극및 제 2 전극을포함하며, 상기제 1 전극은전반사반사경(Omni-directional reflectors, ODR) 전극이다. 상기발광다이오드는식각공정없이항복현상을이용하여반도체층과전극을형성함으로써공정을단순화하고공정단가를절감할수 있고, 플립-칩구현으로발광면적의손실없이전극배치를최적화함으로효율을증가시키고, 광손실을최소화시킬수 있으며, 균일한전류전달효과를얻을수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101710670B1
公开(公告)日：2017-02-28
申请号：KR1020150032458
申请日：2015-03-09
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L29/872 , H01L29/47
Abstract: 본발명은탄소나노튜브층및 쇼트키금속층이반도체기판위에순차적으로적층된다층구조를갖는쇼트키전극을포함하여쇼트키다이오드의장벽을높임으로서, 현저히개선된저 누설전류특성을나타낼수 있는쇼트키다이오드및 그제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明提供具有在半导体基板上依次层叠碳纳米管层和肖特基金属层的层结构的肖特基电极，通过增大肖特基二极管的势垒，能够形成具有层结构的肖特基电极。 关键二极管及其制造方法。
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公开(公告)号：KR1020160109815A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150034916
申请日：2015-03-13
Applicant: 전북대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/02603 , H01L2924/12041
Abstract: 본발명은기판; 질화갈륨계열의 n형반도체층; 질화갈륨계열의 p형반도체층; 및상기 n형반도체층과상기 p형반도체층사이에개재된활성층;을포함하는질화갈륨계고효율발광다이오드에있어서, 상기질화갈륨계열의 p형반도체층에접촉되는투명전극이 Ag 나노와이어를포함하여형성된것임을특징으로하는질화갈륨계고효율발광다이오드및 그의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种高效率的氮化镓系发光二极管，其具有优异的电流扩散效率，提供低接触电阻，并且即使在低波长下也在可见光区域提供优异的透光率，并且制造 方法。 具有高效率的氮化镓系发光二极管包括：基板; 氮化镓系n型半导体层; 氮化镓系p型半导体层; 以及介于n型半导体层和p型半导体层之间的有源层。 通过包含银（Ag）纳米线，形成与氮化镓系p型半导体层接触的透明电极。
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8.发明公开
公开(公告)号：KR1020150102396A
公开(公告)日：2015-09-07
申请号：KR1020140024207
申请日：2014-02-28
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L33/14 , H01L33/145
Abstract: 본 발명의 수직형 발광 다이오드의 제조방법은, 기판 상에 제1도전성 반도체층, 활성층, 및 제2도전성 반도체층을 순차적으로 형성하고, 상기 제2도전성 반도체층 상에 전류 억제층을 증착 장비를 이용하여 형성하며, 상기 전류 억제층 상에 제2전극을 형성하되, 상기 전류 억제층의 증착 장비를 이용하여 증착하며, 상기 기판을 제거하고, 상기 제1도전성 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 것을 포함한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 플루오린화마그네슘(MgF
2 ) 물질의 전류 차단을 통하여 전기적 기능을 개선되는 동시에 플루오린화마그네슘(MgF
2 ) 물질의 낮은 굴절률에 의하여 광학적 기능이 동시에 개선되는 효과가 있다.Abstract translation: 一种用于制造垂直发光二极管的方法包括以下步骤：在衬底上依次形成第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层，通过使用沉积在第二导电半导体层上形成电流阻挡层 设备; 通过使用电流阻挡层的沉积设备在电流阻挡层上形成第二电极; 去除衬底; 以及在所述第一导电半导体层上形成所述第一电极。 根据本发明，通过MgF2材料的电流阻塞来改善电功能，同时通过MgF 2材料的低折射率改善光学功能。
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