公开(公告)号：KR1020040070156A

公开(公告)日：2004-08-06

申请号：KR1020040055965

申请日：2004-07-19

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 김근주 ,  최재호 ,  하수호

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/36

Abstract: PURPOSE: A high density-flat panel lamp of white LEDs is provided to form a high-brightness white lamp having a high-integrated chip by using a metal line for connecting chips on a semiconductor wafer. CONSTITUTION: An n-type GaN cladding layer is grown on a buffer layer by performing an MOCVD method using a sapphire substrate. An undoped GaN layer is grown on the cladding layer. A blue emitting active layer is grown on the cladding layer. A P-type GaN cladding layer is grown on the blue emitting active layer. An N-type GaN ohmic contact layer is exposed by performing a dry-etch process. A transparent electrode is formed on the P-type GaN cladding layer. A metal line(8) of an N-type electrode is formed on the N-type GaN ohmic contact layer. A SiO2 insulating layer(18) is formed on the N-type GaN ohmic contact layer. A P-type electrode and a metal line(9) are formed on the insulating layer. The P-type electrode is coated by the SiO2 insulating layer. The P-type electrode and the N-type electrode are drawn.

Abstract translation: 目的：提供白光LED的高密度平板灯，以通过使用用于连接半导体晶片上的芯片的金属线形成具有高集成度芯片的高亮度白光灯。 构成：通过使用蓝宝石衬底进行MOCVD方法，在缓冲层上生长n型GaN覆层。 在包覆层上生长未掺杂的GaN层。 在包覆层上生长发蓝光的有源层。 在蓝色发光有源层上生长P型GaN覆层。 通过进行干蚀刻工艺来暴露N型GaN欧姆接触层。 在P型GaN包覆层上形成透明电极。 在N型GaN欧姆接触层上形成N型电极的金属线（8）。 在N型GaN欧姆接触层上形成SiO 2绝缘层（18）。 在绝缘层上形成P型电极和金属线（9）。 P型电极由SiO 2绝缘层涂覆。 绘制P型电极和N型电极。

公开(公告)号：KR200370463Y1

公开(公告)日：2004-12-17

申请号：KR2020040020580

申请日：2004-07-20

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 김근주 ,  하수호 ,  최재호

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/36

Abstract: 본 고안은 고밀도 평판형 발광다오이드 백색 조명 램프의 제작공정에 관한 것으로서 특히, 사파이어 기판위에 다수의 발광칩들이 배열되도록 청색 또는 자색 발광다이오드 적층 구조를 형성하고 일체형 회로를 통해 작은 체적공간상에 집적된 조명램프에 관한 것이다. 여기서 일체형 회로는 기존의 개별적 발광다이오드를 갖는 양 및 음 전극을 각각 금속배선으로 연결하는 것으로서 웨이퍼 상의 발광다이오드 칩 위에 형광물질을 도포하고 고밀도로 집적화 시킴으로써 고휘도 백색램프를 구현하는 고밀도 평판형 발광다이오드 조명램프에 관한 것이다.
이상에서와 같이 본 고안은 기존의 방식인 웨이퍼위에 증착된 발광다이오드칩을 개별적으로 분리하여 에폭시 밀봉제로 감싸 만든 인디케이터 램프를 다수 조립한 반도체 백색 전등의 가시조도가 미약한 문제점을 보완한 것으로 웨이퍼위에 발광다이오드를 증착한 다음 칩간의 금속배선으로 회로를 구성함으로써 웨이퍼가 고휘도 가시용 조도를 갖는 백색전등의 기능을 갖는 효과를 제공한다.