公开(公告)号：KR100969608B1

公开(公告)日：2010-07-12

申请号：KR1020080017069

申请日：2008-02-26

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 양전욱 ,  심규환 ,  안효준 ,  홍성기

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 소자의 누설전류 감소 방법에 관한 것으로서, GaN, AlGaN/GaN의 금속-반도체 정류성 접합에서 금속과 반도체 사이의 역방향 누설전류를 줄이거나 금속-절연막-반도체 구조에서 누설전류를 줄이거나, 고립된 GaN 또는 AlGaN/GaN의 활성층 사이에 흐르는 누설전류를 줄이는 방법을 제공함에 그 특징적인 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 기판에 다층금속을 형성하고 열처리하여 소스 및 드레인의 저항성 접촉을 형성하는 제 1 단계; 리소그래피 및 금속증착 방법을 이용하여 금속 게이트를 형성하는 제 2 단계; 및 진공 챔버에서 기판의 표면을 N2O 플라즈마 처리하는 제 3 단계; 를 포함한다.
게이트 누설전류, 갈륨질화물 반도체, 고이동도 트랜지스터

公开(公告)号：KR1020090091868A

公开(公告)日：2009-08-31

申请号：KR1020080017069

申请日：2008-02-26

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 양전욱 ,  심규환 ,  안효준 ,  홍성기

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

Abstract: A method for reducing the leakage current of the nitride semiconductor device is provided to remarkably reduce the gate leakage current of transistor by suppressing the leakage current which flows the between electrode of the devices using the metal electrode formed in the surface of substrate. The multi-layered metal is formed on a substrate(S), and a source Ohmic metal(130) and a drain Ohmic metal(140) are formed by annealing. A metal gate(150) is formed by the lithography and the metal deposition method. The surface of substrate is plasma-processed with N2O in the vacuum chamber. The substrate is heated at the temperature within 700‹C and is processed with plasma. The surface of substrate is plasma-processed with the gas containing oxygen. The region exposed to the plasma is surface-treated.

Abstract translation: 提供一种降低氮化物半导体器件的泄漏电流的方法，通过抑制在基板的表面形成的金属电极之间流过各器件的电极之间的漏电流，显着降低晶体管的栅极漏电流。 多层金属形成在基板（S）上，通过退火形成源欧姆金属（130）和漏极欧姆金属（140）。 通过光刻和金属沉积方法形成金属栅极（150）。 衬底的表面在真空室中用N2O进行等离子体处理。 将衬底在700℃的温度下加热并用等离子体处理。 用含氧气体等离子体处理衬底的表面。 暴露于等离子体的区域进行表面处理。