-
公开(公告)号：KR100563453B1
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：KR1020030098465
申请日：2003-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: C04B35/453
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1의 유전체 세라믹 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 상기 유전체 세라믹 조성물은 800℃ 이하의 저온에서도 소결이 가능할 뿐만 아니라 유전율(
r )이 30~40이고, 품질계수(Q×f
0 )가 5,000~9,000 GHz이며, 공진 주파수 온도계수(
f )의 범위가 -20∼-30 ppm/℃이어서 고주파용 유전체 세라믹 부품의 재료로 사용될 수 있는 우수한 특성을 갖는다.
[화학식 1]
Bi
12 SiO
20 ·x B
2 O
3
(상기 식에서 2몰% x 30몰% 이다.)
유전체, 세라믹, 고주파유전체, BS, B2O3-
公开(公告)号：KR100563450B1
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：KR1020030098464
申请日：2003-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: C04B35/495
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1의 유전체 세라믹 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 상기 유전체 세라믹 조성물은 950℃ 이하의 저온에서도 소결이 가능할 뿐만 아니라 유전율(
r )이 25∼30이고, 품질계수(Q×f
0 )가 5,000∼12,000 GHz이며, 공진 주파수 온도계수(
f )의 범위가 ±10 ppm/℃이어서 고주파용 유전체 세라믹 부품의 재료로 사용될 수 있는 우수한 특성을 갖는다.
[화학식 1]
Ba(Zn
1/3 Ta
2/3 )O
3 ·x B
2 O
3 ·y CuO
(상기 식에서 2몰% x 20몰%, 2몰% y 25몰% 이다.)
유전체, 세라믹, 고주파유전체, BZT, B2O3, CuOAbstract translation: 本发明涉及介电陶瓷组合物，当它涉及一种用于制造电介质陶瓷组合物是介电常数，以及可能的，在小于950℃下式的低温（烧结
-
公开(公告)号：KR1020050067480A
公开(公告)日：2005-07-04
申请号：KR1020030098465
申请日：2003-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: C04B35/453
CPC classification number: H01B3/12 , C04B35/14 , C04B35/453 , C04B35/62605
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1의 유전체 세라믹 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 상기 유전체 세라믹 조성물은 800℃ 이하의 저온에서도 소결이 가능할 뿐만 아니라 유전율(
r )이 30~40이고, 품질계수(Q×f
0 )가 5,000~9,000 GHz이며, 공진 주파수 온도계수(
f )의 범위가 -20∼-30 ppm/℃이어서 고주파용 유전체 세라믹 부품의 재료로 사용될 수 있는 우수한 특성을 갖는다.
[화학식 1]
Bi
12 SiO
20 ·x B
2 O
3
(상기 식에서 2몰% x-
公开(公告)号：KR1020050067479A
公开(公告)日：2005-07-04
申请号：KR1020030098464
申请日：2003-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: C04B35/495
CPC classification number: H01B3/12 , C04B35/45 , C04B35/453 , C04B35/495 , C04B35/62605
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1의 유전체 세라믹 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 상기 유전체 세라믹 조성물은 950℃ 이하의 저온에서도 소결이 가능할 뿐만 아니라 유전율(
r )이 25∼30이고, 품질계수(Q×f
0 )가 5,000∼12,000 GHz이며, 공진 주파수 온도계수(
f )의 범위가 ±10 ppm/℃이어서 고주파용 유전체 세라믹 부품의 재료로 사용될 수 있는 우수한 특성을 갖는다.
[화학식 1]
Ba(Zn
1/3 Ta
2/3 )O
3 ·x B
2 O
3 ·y CuO
(상기 식에서 2몰% x 20몰%, 2몰% y
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.032 seconds)
