公开(公告)号：KR1020030083212A

公开(公告)日：2003-10-30

申请号：KR1020020021653

申请日：2002-04-19

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 윤형도 ,  임영민 ,  박경서 ,  박종화 ,  서용곤 ,  김제민

IPC: G02B6/12

Abstract: PURPOSE: A light-wave circuit type gain flattening filter device and a fabricating method thereof are provided to fabricate plural elements on one wafer and enhance the productivity by using a PLC(Planar Light-wave Circuit) fabrication method. CONSTITUTION: A light-wave circuit type gain flattening filter device includes a substrate(20), a bottom clad layer(21), an upper clad layer(26), and a core layer(22'). The bottom clad layer(21) is formed on an upper portion of the substrate(20). The upper clad layer(26) is formed on an upper portion of the bottom clad layer(21). The core layer(22') is formed between the bottom clad layer(21) and the upper clad layer(26). A grating pattern is formed on the core layer(22'). The bottom clad layer(21) and the upper clad layer(26) are formed with high density SiO2 layers. The core layer(22') is formed with SiO2-GeO2 layer.

Abstract translation: 目的：提供一种光波电路式增益平坦化滤波器件及其制造方法，以在一个晶片上制造多个元件，并通过使用PLC（平面光波电路）制造方法提高生产率。 构成：光波电路型增益平坦化滤波器件包括衬底（20），底部包层（21），上覆层（26）和芯层（22'）。 底部覆层（21）形成在基板（20）的上部。 上覆盖层（26）形成在下包层（21）的上部。 芯层（22'）形成在底部包层（21）和上部包层（26）之间。 在芯层（22'）上形成光栅图案。 底部覆层（21）和上覆盖层（26）形成有高密度SiO 2层。 芯层（22'）由SiO2-GeO2层形成。

公开(公告)号：KR100440763B1

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：KR1020020021653

申请日：2002-04-19

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 윤형도 ,  임영민 ,  박경서 ,  박종화 ,  서용곤 ,  김제민

IPC: G02B6/12

Abstract: PURPOSE: A light-wave circuit type gain flattening filter device and a fabricating method thereof are provided to fabricate plural elements on one wafer and enhance the productivity by using a PLC(Planar Light-wave Circuit) fabrication method. CONSTITUTION: A light-wave circuit type gain flattening filter device includes a substrate(20), a bottom clad layer(21), an upper clad layer(26), and a core layer(22'). The bottom clad layer(21) is formed on an upper portion of the substrate(20). The upper clad layer(26) is formed on an upper portion of the bottom clad layer(21). The core layer(22') is formed between the bottom clad layer(21) and the upper clad layer(26). A grating pattern is formed on the core layer(22'). The bottom clad layer(21) and the upper clad layer(26) are formed with high density SiO2 layers. The core layer(22') is formed with SiO2-GeO2 layer.

Abstract translation: 目的：提供一种光波电路型增益平坦滤波器装置及其制造方法，以在一个晶片上制造多个元件，并通过使用PLC（平面光波电路）制造方法提高生产率。 一种光波电路型增益平坦滤波器装置，其特征在于，包括基板（20），底部包层（21），上部包层（26）和芯层（22'）。 底部包覆层（21）形成在基板（20）的上部。 上覆层（26）形成在下覆层（21）的上部。 芯层（22'）形成在底部包覆层（21）和上部包覆层（26）之间。 光栅图案形成在芯层（22'）上。 底部包层（21）和上部包层（26）由高密度SiO2层形成。 芯层（22'）由SiO 2 -GeO 2层形成。