公开(公告)号：KR102146448B1

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：KR1020180089595

申请日：2018-07-31

Applicant: 전자부품연구원 ,  주식회사 석원

Inventor： 김형근 ,  박승일

IPC: C23C28/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C16/40 ,  C23C14/34 ,  C23C14/56 ,  C23C16/54 ,  C23C16/455

公开(公告)号：KR1020170077005A

公开(公告)日：2017-07-05

申请号：KR1020150187023

申请日：2015-12-27

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 한창운 ,  박승일

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/333 ,  G01R27/02

Abstract: IGBT의 C-E간온 저항을이용한고장예지방법및 시스템이제공된다. 본발명의실시예에따른고장예지시스템은, 트랜지스터에전압을인가하여트랜지스터의온 저항을측정하고, 온저항을기초로트랜지스터의고장을예지한다. 이에의해, IGBT의열화에따라비교적민감하게변화하는 IGBT의온 저항으로 IGBT의고장을비교적정확하게예지할수 있게된다.

Abstract translation: 提供了一种利用IGBT的C-E低温电阻的故障预测方法和系统。 根据本发明实施例的故障预测系统通过向晶体管施加电压并基于导通电阻预测晶体管的故障来测量晶体管的导通电阻。 这使得可以相对准确地预测由于根据IGBT的热膨胀而相对敏感地变化的IGBT的温度电阻引起的IGBT故障。