公开(公告)号：KR1020150075752A

公开(公告)日：2015-07-06

申请号：KR1020130164010

申请日：2013-12-26

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 한창운 ,  윤주환

IPC: H01L23/60

CPC classification number: H01L23/60

Abstract: ESD를이용한전력반도체소자결함인가시스템및 방법이제공된다. 본발명의실시예에따른반도체소자결함인가시스템은, 반도체소자에결함을발생시키기위해 ESD를인가하는인가부와인가부의 ESD 인가동작을제어하는제어부를포함한다. 이에의해, ESD를이용하여반도체소자에결함을인가할수 있게되어, 인가크기나인가횟수구분을통해반도체소자에인가할결함을정량적으로구분할수 있게된다.

Abstract translation: 公开了使用ESD的功率半导体器件缺陷授权系统及其方法。 根据本发明的实施例的半导体器件缺陷授权系统包括授权ESD在半导体器件上产生缺陷的权限单元和控制权限单元的ESD权限运动的控制单元。 在这方面，本发明可以通过使用ESD来在半导体器件上授权缺陷。 因此，本发明可以通过权限大小和权限频率来定量地识别在半导体器件上授权的缺陷。