公开(公告)号：KR101153824B1

公开(公告)日：2012-06-18

申请号：KR1020090133538

申请日：2009-12-30

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 오민석 ,  한정인 ,  김원근 ,  김영훈 ,  한철종 ,  임성일

IPC: G02F1/133 ,  H01L29/786

Abstract: 본 발명은 상부 및 하부 게이트 구조를 이용한 박막 트랜지스터 인버터 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 동시에 연결된 상부 게이트 구조의 TFT 소자와 하부 게이트 구조의 TFT 소자를 포함하고, 상기 소자들 중에서 어느 하나의 소자를 driver 트랜지스터로, 나머지 하나의 소자를 load 트랜지스터로 작동시키는 것을 특징으로 하며, 상기 상부 게이트 구조의 TFT 소자는 기판 상에 증착된 소스 및 드레인 전극; 상기 소스 및 드레인 전극 상에 증착된 반도체층; 상기 반도체층 상에 증착된 유전층; 및 상기 유전층 상에 증착된 게이트 전극을 포함하고, 상기 하부 게이트 구조의 TFT 소자는 기판 상에 증착된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 증착된 유전층; 상기 유전층 상에 증착된 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 증착된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 인버터 소자에 관한 것이다.
박막 트랜지스터, 인버터 소자, 상부 및 하부 게이트

公开(公告)号：KR1020110077079A

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：KR1020090133538

申请日：2009-12-30

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 오민석 ,  한정인 ,  김원근 ,  김영훈 ,  한철종 ,  임성일

IPC: G02F1/133 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/1251

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor inverter element and manufacturing method thereof are provided to improve a side surface of a space utility by having the same channel dimension such as two unit element without an additional doping process. CONSTITUTION: An inverter element(100) includes as follows. A source and a drain electrode(20,30) is deposited on a substrate. A semiconductor layer(40) is deposited on the source and the drain electrode. An dielectric layer(50) is deposited on the semiconductor layer. A gate electrode(70) is mounted on the dielectric layer.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管逆变器元件及其制造方法，通过具有相同的沟道尺寸例如两个单位元件而不需要额外的掺杂工艺来改善空间效用的侧面。 构成：逆变元件（100）包括如下。 源极和漏极（20,30）沉积在衬底上。 半导体层（40）沉积在源极和漏极上。 介电层（50）沉积在半导体层上。 栅电极（70）安装在电介质层上。