Abstract:
본 발명은 탄소나노튜브 코팅층에 p-type의 유기 전구체를 이용한 p-도핑으로 탄소나노튜브 코팅층의 전기 전도성을 향상시키고 열적 안정성을 제공하는 저저항 고전도 탄소나노튜브 투명 필름 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 기판 위에 탄소나노튜브 코팅층을 형성한다. 그리고 탄소나노튜브 코팅층 위에 음이온 그룹으로 TFSI(bis(trifluoromethanesulfonyl)imide)를 포함하는 p-타입의 유기 전구체를 코팅한다. 이때 p-타입의 도펀트로 사용되는 p-타입의 유기 전구체는 탄소나노튜브 코팅층의 표면에서 탄소나노튜브와 전자진화도가 큰 p-타입의 유기 전구체의 양이온 사이에 전하 이동(charge transfer)이 발생하고, p-타입의 유기 전구체의 음이온 그룹이 비편재화 하여 도핑 효과를 안정시킨다. 이때 p-타입의 유기 전구체로는 (CF 3 SO 2 )2NH, (CF 3 SO 2 )2NAg, C 7 H 3 ClF 6 N 2 O 4 S 2 , C 6 H 5 N(SO 2 CF 3 ) 2 등이 사용될 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A low resistance and high conductivity carbon nanotube coating layer, and a producing method thereof are provided to prevent the coagulation of dopants on the carbon nanotube coating layer. CONSTITUTION: A producing method of a low resistance and high conductivity carbon nanotube coating layer comprises the following steps: forming a carbon nanotube coating layer on a substrate(S50); and coating a p-type organic precursor containing bis(trifluoromethanesulfonyl)imide as a negative ion group on the carbon nanotube coating layer(S60). The p-type organic precursor is selected from (CF3SO2)2NH, (CF3SO2)2NAg, C7H3ClF6N2O4S2, or C6H5N(SO2CF3)2.
Abstract translation:目的:提供低电阻和高导电性碳纳米管涂层及其制造方法,以防止碳纳米管涂层上的掺杂剂凝结。 构成:低电阻和高导电性碳纳米管涂层的制造方法包括以下步骤:在基板上形成碳纳米管涂层(S50); 并在碳纳米管涂层上涂布含有双(三氟甲磺酰基)酰亚胺作为负离子基团的p型有机前体(S60)。 p型有机前体选自(CF 3 SO 2)2 NH,(CF 3 SO 2)2NAg,C 7 H 3 ClF 6 N 2 O 4 S 2或C 6 H 5 N(SO 2 CF 3)2。
Abstract:
A manufacturing method of a CNT thin film processed by a chemical substance having a functional group receiving electronics is provided to decrease a constant resistance between CNTs and to improve a conductivity of an electrode including a CNT thin film. A manufacturing method of a CNT thin film comprises steps of: preparing a CNT; processing the CNT with a chemical substance having a functional group receiving electronics; preparing a CNT dispersed solution by mixing the CNT processed by the chemical substance with a dispersing agent or a dispersion solvent; and forming the CNT thin film by using the CNT dispersed solution. A number of functional groups of the chemical substance having a functional group receiving the electronics is one or greater.
Abstract:
전자를 받을 수 있는(electron withdrawing) 작용기를 가진 화학물질로 처리한 탄소 나노 튜브 (CNT) 박막 및 그 제조방법이 개시된다. 구체적으로 CNT 박막은, 플라스틱 기판상에 도포되는 CNT 조성물을 포함하는 것으로서, 이러한 CNT 조성물은, CNT, 및 상기 CNT와 결합하며 전자를 받을 수 있는 작용기를 가진 화학물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 구성을 갖는다. 또한, CNT 박막의 제조 방법에 있어서, CNT를 준비하는 단계, 상기 CNT를 전자를 받을 수 있는 작용기를 가진 화학물질로 처리하는 단계, 화학물질로 처리된 CNT를 분산제 또는 분산 용매와 혼합하여 CNT 분산액을 준비하는 단계, 및 CNT 분산액을 이용하여 CNT 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구성을 갖는다. 한편, 또 다른 CNT 박막의 제조 방법에 있어서, CNT를 분산제 또는 분산 용매와 혼합하여 CNT 분산액을 준비하는 단계, CNT 분산액을 이용하여 CNT 박막을 형성하는 단계, CNT 박막 표면에 대하여 전자를 받을 수 있는 작용기를 가진 화학물질로 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구성을 갖는다. 이와 같은 구성에 따른 CNT 박막 및 그 제조방법에 따르면, 전극의 저항을 감소시켜서 전극의 전기 전도도를 향상시킬 수 있다. CNT, 방향족 화합물, 지방족 화합물, RBM, BWF, XPS, 플라스몬
Abstract:
The moisture and temperature stability in the doped graphene is improved by forming a hydrophobic organic layer on the surface of the doped graphene on which dopants are doped. The degradation of the doped graphene can be prevented by the improved stability; thus, a transparent electrode comprising the doped graphene including a hydrophobic organic layer can be useful in a solar cell and a display device.
Abstract:
PURPOSE: A carbon nano tube(CNT) n- doping material and a CNT n- doping method using thereof are provided to prevent a dedoping of a CNT during an n- doping process among air and moisture, and to maintain a stable doping state. CONSTITUTION: A CNT n- doping material includes more than two pyridinium derivatives inside the molecular structure. The material also contains a compound in the restored state. The compound is viologen selected from the group consisting of 1,1'dibenzyl-4,4'-bipyridinium dichloride, methyl viologen dichloride hydrate, ethyl viologen diperchlorate, 1,11dioctadecyl-4,4'-bipyridinium dibromide, or di-octyl bis(4-pyridyl)biphenyl viologen. A CNT n- doping method comprises a step of doping a CNT with the CNT n- doping material, and a step of removing a solvent from the CNT n- doping material.