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公开(公告)号：KR101154869B1
公开(公告)日：2012-06-18
申请号：KR1020100059611
申请日：2010-06-23
Applicant: 전자부품연구원 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 코팅층에 p-type의 유기 전구체를 이용한 p-도핑으로 탄소나노튜브 코팅층의 전기 전도성을 향상시키고 열적 안정성을 제공하는 저저항 고전도 탄소나노튜브 투명 필름 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 기판 위에 탄소나노튜브 코팅층을 형성한다. 그리고 탄소나노튜브 코팅층 위에 음이온 그룹으로 TFSI(bis(trifluoromethanesulfonyl)imide)를 포함하는 p-타입의 유기 전구체를 코팅한다. 이때 p-타입의 도펀트로 사용되는 p-타입의 유기 전구체는 탄소나노튜브 코팅층의 표면에서 탄소나노튜브와 전자진화도가 큰 p-타입의 유기 전구체의 양이온 사이에 전하 이동(charge transfer)이 발생하고, p-타입의 유기 전구체의 음이온 그룹이 비편재화 하여 도핑 효과를 안정시킨다. 이때 p-타입의 유기 전구체로는 (CF
3 SO
2 )2NH, (CF
3 SO
2 )2NAg, C
7 H
3 ClF
6 N
2 O
4 S
2 , C
6 H
5 N(SO
2 CF
3 )
2 등이 사용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020110139490A
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：KR1020100059611
申请日：2010-06-23
Applicant: 전자부품연구원 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A low resistance and high conductivity carbon nanotube coating layer, and a producing method thereof are provided to prevent the coagulation of dopants on the carbon nanotube coating layer. CONSTITUTION: A producing method of a low resistance and high conductivity carbon nanotube coating layer comprises the following steps: forming a carbon nanotube coating layer on a substrate(S50); and coating a p-type organic precursor containing bis(trifluoromethanesulfonyl)imide as a negative ion group on the carbon nanotube coating layer(S60). The p-type organic precursor is selected from (CF3SO2)2NH, (CF3SO2)2NAg, C7H3ClF6N2O4S2, or C6H5N(SO2CF3)2.
Abstract translation: 目的：提供低电阻和高导电性碳纳米管涂层及其制造方法，以防止碳纳米管涂层上的掺杂剂凝结。 构成：低电阻和高导电性碳纳米管涂层的制造方法包括以下步骤：在基板上形成碳纳米管涂层（S50）; 并在碳纳米管涂层上涂布含有双（三氟甲磺酰基）酰亚胺作为负离子基团的p型有机前体（S60）。 p型有机前体选自（CF 3 SO 2）2 NH，（CF 3 SO 2）2NAg，C 7 H 3 ClF 6 N 2 O 4 S 2或C 6 H 5 N（SO 2 CF 3）2。
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公开(公告)号：KR1020090011540A
公开(公告)日：2009-02-02
申请号：KR1020070075211
申请日：2007-07-26
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L31/022466 , B82Y20/00 , G02B2207/101
Abstract: A manufacturing method of a CNT thin film processed by a chemical substance having a functional group receiving electronics is provided to decrease a constant resistance between CNTs and to improve a conductivity of an electrode including a CNT thin film. A manufacturing method of a CNT thin film comprises steps of: preparing a CNT; processing the CNT with a chemical substance having a functional group receiving electronics; preparing a CNT dispersed solution by mixing the CNT processed by the chemical substance with a dispersing agent or a dispersion solvent; and forming the CNT thin film by using the CNT dispersed solution. A number of functional groups of the chemical substance having a functional group receiving the electronics is one or greater.
Abstract translation: 提供由具有官能团接收电子器件的化学物质处理的CNT薄膜的制造方法，以减小CNT之间的恒定电阻并提高包括CNT薄膜的电极的导电性。 CNT薄膜的制造方法包括以下步骤：制备CNT; 用具有接收电子学功能的化学物质处理CNT; 通过将由化学物质处理的CNT与分散剂或分散溶剂混合来制备CNT分散溶液; 并使用CNT分散溶液形成CNT薄膜。 具有接收电子器件的官能团的化学物质的许多官能团是一个或多个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100907025B1
公开(公告)日：2009-07-10
申请号：KR1020070075211
申请日：2007-07-26
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L31/022466 , B82Y20/00 , G02B2207/101
Abstract: 전자를 받을 수 있는(electron withdrawing) 작용기를 가진 화학물질로 처리한 탄소 나노 튜브 (CNT) 박막 및 그 제조방법이 개시된다. 구체적으로 CNT 박막은, 플라스틱 기판상에 도포되는 CNT 조성물을 포함하는 것으로서, 이러한 CNT 조성물은, CNT, 및 상기 CNT와 결합하며 전자를 받을 수 있는 작용기를 가진 화학물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 구성을 갖는다. 또한, CNT 박막의 제조 방법에 있어서, CNT를 준비하는 단계, 상기 CNT를 전자를 받을 수 있는 작용기를 가진 화학물질로 처리하는 단계, 화학물질로 처리된 CNT를 분산제 또는 분산 용매와 혼합하여 CNT 분산액을 준비하는 단계, 및 CNT 분산액을 이용하여 CNT 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구성을 갖는다. 한편, 또 다른 CNT 박막의 제조 방법에 있어서, CNT를 분산제 또는 분산 용매와 혼합하여 CNT 분산액을 준비하는 단계, CNT 분산액을 이용하여 CNT 박막을 형성하는 단계, CNT 박막 표면에 대하여 전자를 받을 수 있는 작용기를 가진 화학물질로 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구성을 갖는다. 이와 같은 구성에 따른 CNT 박막 및 그 제조방법에 따르면, 전극의 저항을 감소시켜서 전극의 전기 전도도를 향상시킬 수 있다.
CNT, 방향족 화합물, 지방족 화합물, RBM, BWF, XPS, 플라스몬-
5.发明公开소수성 유기물을 함유하는 도핑 그래핀 구조체, 그의 제조방법 및 이를 구비하는 투명전극, 표시소자와 태양전지 审中-实审包含疏水性有机物的疏水性石墨组合物，其制备方法和透明电极，显示装置和包含电极的太阳能电池
公开(公告)号：KR1020140060376A
公开(公告)日：2014-05-20
申请号：KR1020120117905
申请日：2012-10-23
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/1606 , H01G9/20 , H01G9/2022 , H01G9/2077 , H01L21/04 , H01L21/0405 , H01L29/16 , H01L51/0045 , H01L51/442 , H01L51/5203 , Y02E10/50 , Y02E10/542 , Y02E10/549 , C01B32/194 , B41M3/12 , B82B1/008
Abstract: The moisture and temperature stability in the doped graphene is improved by forming a hydrophobic organic layer on the surface of the doped graphene on which dopants are doped. The degradation of the doped graphene can be prevented by the improved stability; thus, a transparent electrode comprising the doped graphene including a hydrophobic organic layer can be useful in a solar cell and a display device.
Abstract translation: 通过在其上掺杂有掺杂剂的掺杂石墨烯的表面上形成疏水性有机层来改善掺杂石墨烯中的水分和温度稳定性。 通过提高稳定性可以防止掺杂石墨烯的降解; 因此，包括疏水性有机层的掺杂石墨烯的透明电极可用于太阳能电池和显示装置。
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公开(公告)号：KR1020100061088A
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020080119974
申请日：2008-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C07D401/04 , C07D213/16
CPC classification number: C07D213/22 , B82Y10/00 , H01B1/24 , H01L51/0049 , Y10S977/742 , Y10S977/745 , Y10S977/746 , Y10S977/788 , Y10S977/795
Abstract: PURPOSE: A carbon nano tube(CNT) n- doping material and a CNT n- doping method using thereof are provided to prevent a dedoping of a CNT during an n- doping process among air and moisture, and to maintain a stable doping state. CONSTITUTION: A CNT n- doping material includes more than two pyridinium derivatives inside the molecular structure. The material also contains a compound in the restored state. The compound is viologen selected from the group consisting of 1,1'dibenzyl-4,4'-bipyridinium dichloride, methyl viologen dichloride hydrate, ethyl viologen diperchlorate, 1,11dioctadecyl-4,4'-bipyridinium dibromide, or di-octyl bis(4-pyridyl)biphenyl viologen. A CNT n- doping method comprises a step of doping a CNT with the CNT n- doping material, and a step of removing a solvent from the CNT n- doping material.
Abstract translation: 目的：提供碳纳米管（CNT）n-掺杂材料和使用其的CNT n-掺杂方法，以防止在空气和水分中的n-掺杂过程中对CNT的去掺杂，并保持稳定的掺杂状态。 构成：CNT n-掺杂材料在分子结构内包含两个以上的吡啶鎓衍生物。 该材料还含有处于恢复状态的化合物。 该化合物是选自二氯化1,1'-二苄基-4,4'-联吡啶鎓二氯化物，甲基紫精二氯化物水合物，乙基紫精二水合物，1,11-十八烷基-4,4'-联吡啶鎓二溴化物或二 - 辛基双 （4-吡啶基）联苯紫精。 CNTn掺杂方法包括用CNT掺杂材料掺杂CNT的步骤，以及从CNT正掺杂材料除去溶剂的步骤。
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公开(公告)号：KR101634753B1
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：KR1020080119974
申请日：2008-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C07D401/04 , C07D213/16
CPC classification number: C07D213/22 , B82Y10/00 , H01B1/24 , H01L51/0049 , Y10S977/742 , Y10S977/745 , Y10S977/746 , Y10S977/788 , Y10S977/795
Abstract: 분자구조중에두 개이상의피리디늄유도체를포함하는화합물이고, 상기화합물은환원된상태에있는화합물을 CNT n-도핑물질로이용하면상기화합물은 CNT에자발적으로전자를주고안정한구조로산환되어 n-도핑할수 있다. 상기 CNT n-도핑물질을이용하여 CNT를 n-도핑하는경우공기및/또는수분중에서장기간도핑안정성을확보할수 있고도핑상태의제어도용이할수 있다.
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