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公开(公告)号：KR101174085B1
公开(公告)日：2012-08-14
申请号：KR1020080137226
申请日：2008-12-30
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 본 발명은 고분자, 고분자 조성물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 재료의 패턴화 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는다.
[화학식 1]
(상기 화학식 1에서, Ar
1 의 정의는 명세서에 기재된 바와 같다.)
본 발명에 의한 고분자, 고분자 조성물, 레지스트 하층막 조성물은 필름형성 시 ArF(193nm), KrF(248nm) 등의 DUV(deep UV) 파장 영역에서 반사방지막으로서 적합한 범위의 굴절률 및 흡수도를 가짐으로써, 레지스트와 하층 간의 반사성을 최소화할 수 있으며, 리쏘그래픽 기술수행시 에칭 선택비가 높고 다중 에칭에 대한 내성이 충분하여, 패턴 형상 및 마진 면에서 우수한 리쏘그래픽 구조물을 제공할 수 있다.
리쏘그래픽, 반사방지, 하드마스크, 방향족 고리-
公开(公告)号：KR1020100078852A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080137226
申请日：2008-12-30
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: PURPOSE: A polymer, a polymeric composition, a resist under layer composition including thereof, and a patterning method of a material using thereof are provided to spread the polymer using a spin-on spreading method, and to minimize the amount of remaining acid. CONSTITUTION: A polymer includes a recurring unit marked with chemical formula 1: -[-Ar1-CO-C(OH)-]-. In the chemical formula 1, Ar1 has left and right bonding hands capable of being located on any ring of an aromatic ring compound. A polymeric composition includes a first polymer marked with the chemical formula 1, and a second polymer.
Abstract translation: 目的：提供聚合物，聚合物组合物，其包含抗蚀剂层的组合物，以及使用其的材料的图案化方法以使用旋涂法扩散聚合物，并使剩余的酸最小化。 构成：聚合物包括用化学式1表示的重复单元： - [ - Ar1-CO-C（OH） - ] - 。 在化学式1中，Ar 1具有能够位于芳环化合物的任何环上的左右键合手。 聚合物组合物包括用化学式1标记的第一聚合物和第二聚合物。
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