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    고탄소 함량을 가지는 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의패턴화 방법
    4.
    发明授权
    고탄소 함량을 가지는 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의패턴화 방법 有权
    具有高碳的具有芳族环的耐高温聚合物，含有它们的组合物，以及使用该材料的材料的方法

    公开(公告)号：KR101257697B1

    公开(公告)日：2013-04-24

    申请号：KR1020080138775

    申请日：2008-12-31

    Applicant: 제일모직주식회사

    Inventor： 전환승 ,  윤경호 ,  김민수 ,  오승배 ,  송지윤

    IPC: C08G61/10 ,  C08G61/02 ,  C08L75/00 ,  G03F7/004

    Abstract: 본 발명은 고탄소 함량을 가지는 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법에 관한 것이다.
    상기 방향족 고리 함유 중합체는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하여 반사방지 특성 및 에칭 선택비 특성이 매우 우수하다. 상기 방향족 고리 함유 중합체는 미세패턴의 형성을 위한 리쏘그래픽 공정에 유용하고, 스핀-온 도포 기법으로 도포 가능한 레지스트 하층막용 조성물에 사용될 수 있다. 본 발명의 중합체 및 조성물은 보다 짧은 파장을 이용한 리쏘그래픽 공정에 유용하고 최소 잔류 산 함량을 보유한다.
    [화학식 1]

    상기 화학식 1에서, R
    1 내지 R
    4 , n
    1 내지 n
    4 , R
    5 , L, A 및 l의 정의는 명세서에 기재된 바와 같다.

    방향족 고리, 레지스트 하층막, 반사방지 특성, 내에칭성

    고분자, 고분자 조성물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 재료의 패턴화 방법
    5.
    发明授权
    고분자, 고분자 조성물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 재료의 패턴화 방법 有权

    公开(公告)号：KR101174085B1

    公开(公告)日：2012-08-14

    申请号：KR1020080137226

    申请日：2008-12-30

    Applicant: 제일모직주식회사

    Inventor： 토카레바나탈리아 ,  전환승 ,  윤경호 ,  김민수 ,  오승배 ,  송지윤

    IPC: C08G61/12 ,  C08G61/00 ,  C08L65/00 ,  G03F7/039

    Abstract: 본 발명은 고분자, 고분자 조성물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 재료의 패턴화 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는다.
    [화학식 1]

    (상기 화학식 1에서, Ar
    1 의 정의는 명세서에 기재된 바와 같다.)
    본 발명에 의한 고분자, 고분자 조성물, 레지스트 하층막 조성물은 필름형성 시 ArF(193nm), KrF(248nm) 등의 DUV(deep UV) 파장 영역에서 반사방지막으로서 적합한 범위의 굴절률 및 흡수도를 가짐으로써, 레지스트와 하층 간의 반사성을 최소화할 수 있으며, 리쏘그래픽 기술수행시 에칭 선택비가 높고 다중 에칭에 대한 내성이 충분하여, 패턴 형상 및 마진 면에서 우수한 리쏘그래픽 구조물을 제공할 수 있다.
    리쏘그래픽, 반사방지, 하드마스크, 방향족 고리

    레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 화합물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 소자의 패턴 형성 방법
    7.
    发明公开
    레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 화합물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 소자의 패턴 형성 방법 有权
    含有抗静电剂的含芳环的化合物，包括它们的底漆组合物，以及使用其形成装置的方法

    公开(公告)号：KR1020120004192A

    公开(公告)日：2012-01-12

    申请号：KR1020100064918

    申请日：2010-07-06

    Applicant: 제일모직주식회사

    Inventor： 오승배 ,  김민수 ,  송지윤 ,  전환승 ,  조성욱

    IPC: G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0041 ,  G03F7/0045 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0271

    Abstract: PURPOSE: An aromatic ring-containing compound for a resist under-layer, a resist under-layer composition including the same, and a pattern forming method for a device using the same are provided to improve the optical characteristic, the mechanical characteristic, and the etching selectivity of the compound. CONSTITUTION: An aromatic ring-containing compound includes repeating units represented by chemical formulas 1-1 and 1-2. In the chemical formula 1-1, the m is more than or equal to 1 and is less than 190. The p is 1 or 2. The Ar is an aromatic ring. The X is hydroxyl group, substituted or non-substituted C1-C10 alkoxy group, or substituted or non-substituted C6-C30 aryloxy group. The Ra is hydrogen, substituted or non-substituted C1-C10 alkyl group, substituted or non-substituted C3-C8 cycloalkyl group, substituted or non-substituted C6-C30 aryl group, substituted or non-substituted C2-C10 alkenyl group, or halogen. In the chemical formula 1-2, the n is more than or equal to 1 and is less than 190. The Ra and the Rc are identical or different and are hydrogen, substituted or non-substituted C3-C8 cycloalkyl group, or substituted or non-substituted C6-C30 aryl group.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于抗蚀剂下层的含芳环的化合物，含有它的抗蚀剂底层组合物和使用其的装置的图案形成方法，以改善光学特性，机械特性和 化合物的蚀刻选择性。 构成：含芳香环的化合物包括由化学式1-1和1-2表示的重复单元。 在化学式1-1中，m大于或等于1且小于190.p为1或2.Ar为芳环。 X是羟基，取代或未取代的C 1 -C 10烷氧基，或取代或未取代的C 6 -C 30芳氧基。 取代或未取代的C 3 -C 8环烷基，取代或未取代的C 6 -C 30芳基，取代或未取代的C 2 -C 10烯基，或 卤素。 在化学式1-2中，n大于或等于1且小于190.R a和R c相同或不同，为氢，取代或未取代的C 3 -C 8环烷基，或取代或未取代的 未取代的C 6 -C 30芳基。

    레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 화합물 및 이를 포함하는 레지스트 하층막용　조성물
    8.
    发明公开
    레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 화합물 및 이를 포함하는 레지스트 하층막용　조성물 有权
    含有芳香环的化合物，用于耐受下层和耐酸性组合物

    公开(公告)号：KR1020110079201A

    公开(公告)日：2011-07-07

    申请号：KR1020090136187

    申请日：2009-12-31

    Applicant: 제일모직주식회사

    Inventor： 조성욱 ,  전환승 ,  김민수 ,  오승배 ,  송지윤

    IPC: C07C13/62 ,  C07C15/56

    CPC classification number: C07C33/26 ,  C07C33/36 ,  C07C2601/14 ,  C07C2603/54 ,  G03F7/091

    Abstract: PURPOSE: A compound containing an aromatic ring for a resist underlayer and a resist underlayer composition including the same are provided to ensure excellent optical characteristics, mechanical properties and etching selectivity and to enable the application using a spin-on application technique. CONSTITUTION: A compound containing an aromatic ring for a resist underlayer is represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, R1 - R6 are the same or different and represent substituted or unsubstituted C1 - C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C5 - C20 aromatic ring, substituted or unsubstituted C3 - C20 cycloalkyl group, or substituted or unsubstituted C3 - C20 cycloalkenyl group; X1 - X6 are hydrogen, -OH, alkylamine or amino group; n1 - n6 are independently 0 - 2; and 1

    Abstract translation: 目的：提供含有用于抗蚀剂底层的芳环的化合物和包含该芳族化合物的抗蚀剂下层组合物以确保优异的光学特性，机械性能和蚀刻选择性，并且能够使用旋涂应用技术进行应用。 构成：含有用于抗蚀剂底层的芳环的化合物由化学式1表示。在化学式1中，R 1 -R 6相同或不同，表示取代或未取代的C 1 -C 10烷基，取代或未取代的C 5 -C 20芳族 取代或未取代的C 3 -C 20环烷基，或取代或未取代的C 3 -C 20环烯基; X 1 -X 6是氢，-OH，烷基胺或氨基; n1-n6独立地为0-2; 和1 <= n1 + n2 + n3 + n4 + n5 + n6 = 6。

    레지스트 하층막용 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 소자의 패턴 형성 방법
    9.
    发明公开
    레지스트 하층막용 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 소자의 패턴 형성 방법 有权
    聚合物用于耐磨性，聚合物组合物，耐磨层的组合物，使用相同装置的图案的聚合物

    公开(公告)号：KR1020110053136A

    公开(公告)日：2011-05-19

    申请号：KR1020090109971

    申请日：2009-11-13

    Applicant: 제일모직주식회사

    Inventor： 송지윤 ,  전환승 ,  조성욱 ,  윤경호 ,  김민수 ,  오승배

    IPC: G03F7/11

    CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G61/02 ,  C08G2261/3424 ,  C08G2261/45 ,  C08G2261/76 ,  C08L65/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

    Abstract: PURPOSE: A polymer for a resist underlayer, a resist underlayer composition including the same, and a method for forming patterns are provided to minimize the reflectivity between a resist and an underlayer by securing the adequate refractivity and absorbency of the polymer. CONSTITUTION: A polymer for a resist underlayer includes a repeating unit represented by chemical formula 1 and/or chemical formula 2. A resist underlayer composition includes the polymer and an organic solvent. A method for forming patterns includes the following: A material layer is arranged on a substrate. The resist underlayer is formed on the material layer. A resist layer is formed on the resist underlayer. The substrate is exposed. A developing operation and an etching operation are followed.

    Abstract translation: 目的：提供用于抗蚀剂底层的聚合物，包含该聚合物的抗蚀剂底层组合物和形成图案的方法，以通过确保聚合物的适当折射率和吸收性来最小化抗蚀剂和底层之间的反射率。 构成：用于抗蚀剂底层的聚合物包括由化学式1和/或化学式2表示的重复单元。抗蚀剂下层组合物包括聚合物和有机溶剂。 一种用于形成图案的方法包括以下：将材料层布置在基底上。 抗蚀剂底层形成在材料层上。 抗蚀剂层形成在抗蚀剂底层上。 衬底被暴露。 遵循显影操作和蚀刻操作。

    고분자, 고분자 조성물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 재료의 패턴화 방법
    10.
    发明公开
    고분자, 고분자 조성물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 재료의 패턴화 방법 有权
    聚合物，聚合物组合物，耐磨层的组合物和使用其的材料的图案化方法

    公开(公告)号：KR1020100078851A

    公开(公告)日：2010-07-08

    申请号：KR1020080137225

    申请日：2008-12-30

    Applicant: 제일모직주식회사

    Inventor： 송지윤 ,  전환승 ,  윤경호 ,  김민수 ,  오승배

    IPC: C08G61/12 ,  C08G61/00 ,  G03F7/039 ,  G03F7/004

    CPC classification number: C08G61/121 ,  C08G61/00 ,  C08G61/12 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397

    Abstract: PURPOSE: A polymer, a polymeric composition, a resist under-layer composition including thereof, and a patterning method of a material using thereof are provided to minimize the refractive index between a resist and an under-layer, and to improve the etching selectivity when performing a lithography. CONSTITUTION: A polymer includes a recurring unit marked with chemical formula 1: -[-CH=N-Ar1-N=CH-Ar2-]-. A polymeric composition includes a first polymer including the recurring unit marked with the chemical formula 1, and a second polymer including another recurring unit marked with chemical formula 2. 10~100 parts of second polymer by weight is used for 100 parts of first polymer.

    Abstract translation: 目的：提供聚合物，聚合物组合物，包含它们的抗蚀剂底层组合物和使用其的材料的图案化方法，以使抗蚀剂和下层之间的折射率最小化，并且提高蚀刻选择性， 进行光刻。 构成：聚合物包括用化学式1表示的重复单元： - [ - CH = N-Ar1-N = CH-Ar2 - ] - 。 聚合物组合物包括包含标有化学式1的重复单元的第一聚合物和包含其他标记有化学式2的重复单元的第二聚合物。将10〜100份第二聚合物按重量计用于100份第一聚合物。

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