公开(公告)号：KR1020080027716A

公开(公告)日：2008-03-28

申请号：KR1020070061142

申请日：2007-06-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  중앙대학교 산학협력단 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 곽호영 ,  심일운 ,  변기택 ,  이승수

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: A preparation method of layered nano structures and layered nano structures prepared thereby are provided to obtain homogeneous nano structure at lower temperature in a short time by coating nano raw material on nano support in the presence of multibubble sonoluminescence. A preparation method of layered nano structures comprises steps of coating nano raw material on nano support in the presence of multibubble sonoluminescence. The nano support is metal oxide particle having diameter of at most 50nm, which is selected from TiO2, ZnO, ZrO, Al2O3, Fe2O3, Fe3O4, Ga2O3, SnO2, Sb2O3, SiO2, MnO2, NiO2 and mixtures thereof. The nano raw material is metal chalcogenide of metal sulfate, metal selenide or metal telluride, which is selected from a group consisting of CdS, ZnS, HgS, PbS, InS, AgS, CuS, CdSe, ZnSe, HgSe, PbSe, InSe, AgSe, CuSe, CdTe, CdTe, ZnTe, HgTe, PbTe, InTe, AgTe, CuTe and mixtures thereof. For the multibubble sonoluminescence, the frequency of the supersonic wave is maintained at 10-20kHz, the power is maintained at 110-220W, the pressure is maintained at 1-2 atm by feeding the reaction reservoir with noble gas, and the temperature is maintained at 20-70deg.C. The preparation method of layered nano structures is carried out in situ by mixing metal oxide, chalcogenide precursor and metal oxide resolved in a solvent in the reaction reservoir while performing supersonic wave reaction for 20-30 minutes.

Abstract translation: 提供了由此制备的层状纳米结构和层状纳米结构的制备方法，以便在多层声发光的存在下，通过在纳米支持体上涂覆纳米原料，在短时间内获得均匀的纳米结构。 层状纳米结构的制备方法包括在多层声发光的存在下在纳米支撑体上涂覆纳米原料的步骤。 纳米载体是直径最大为50nm的金属氧化物颗粒，其选自TiO 2，ZnO，ZrO，Al 2 O 3，Fe 2 O 3，Fe 3 O 4，Ga 2 O 3，SnO 2，Sb 2 O 3，SiO 2，MnO 2，NiO 2及其混合物。 纳米原料是选自CdS，ZnS，HgS，PbS，InS，AgS，CuS，CdSe，ZnSe，HgSe，PbSe，InSe，AgSe中的金属硫酸盐，金属硒化物或金属碲化物的金属硫族化物 CuSe，CdTe，CdTe，ZnTe，HgTe，PbTe，InTe，AgTe，CuTe及其混合物。 对于多声发声，超声波的频率保持在10-20kHz，功率保持在110-220W，通过向惰性气体供给反应容器，将压力保持在1-2atm，并保持温度 在20-70℃。 层状纳米结构的制备方法是通过在反应槽中混合金属氧化物，硫属元素前体和在溶剂中分解的金属氧化物，同时进行超声波反应20-30分钟进行的。

公开(公告)号：KR100789064B1

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：KR1020060066427

申请日：2006-07-14

Applicant: 중앙대학교 산학협력단 ,  삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 심일운 ,  이승수 ,  서국원 ,  박종필

IPC: C23C16/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  C23C16/305 ,  Y02E10/541

Abstract: A method of manufacturing a CuInS2 thin film by metal organic chemical vapor deposition and a CuInS2 thin film manufactured by the method are provided to achieve high purity and desired composition of CuInS2 thin film, a method of manufacturing an In2S3 thin film by additionally depositing a precursor comprising In-S onto the CuInS2 thin film manufactured is provided. A method of manufacturing a CuInS2 thin film comprises steps of: depositing a copper precursor of an asymmetrical structure selected from copper ethylbutyrylacetate and copper ethylisobutyrylacetate onto a substrate by metal organic chemical vapor deposition to manufacture a copper thin film; and depositing a precursor comprising In-S onto the copper thin film by metal organic chemical vapor deposition. The manufacturing method further comprises a heat treatment process after the second step. A CuInS2 thin film manufactured by the manufacturing method has a band gap of 1.4 1.6 eV. A method of manufacturing an In2S3 thin film comprises heat-treating the CuInS2 thin film at 350 to 450 deg.C for 60 to 180 minutes, and additionally depositing a precursor comprising In-S onto the heat-treated In2S3 thin film by metal organic chemical vapor deposition.

Abstract translation: 提供了通过金属有机化学气相沉积制造CuInS 2薄膜的方法和通过该方法制造的CuInS 2薄膜，以实现CuInS 2薄膜的高纯度和期望组成，通过另外沉积前体制备In 2 S 3薄膜的方法 提供了在制造的CuInS 2薄膜上的In-S。 制造CuInS 2薄膜的方法包括以下步骤：通过金属有机化学气相沉积将选自乙基丁酰乙酸铜和乙基异丁酰乙酸铜的不对称结构的铜前体沉积在基底上，制造铜薄膜; 以及通过金属有机化学气相沉积将包含In-S的前体沉积到铜薄膜上。 制造方法还包括在第二步骤之后的热处理过程。 通过该制造方法制造的CuInS 2薄膜的带隙为1.4±1.6eV。 制造In2S3薄膜的方法包括在350至450℃下对CuInS 2薄膜进行热处理60至180分钟，并且通过金属有机化学品另外将包含In-S的前体沉积到经热处理的In 2 S 3薄膜上 气相沉积。

公开(公告)号：KR1020080096023A

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：KR1020070040853

申请日：2007-04-26

Applicant: 중앙대학교 산학협력단 ,  삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 심일운 ,  곽호영 ,  이승수 ,  변기택 ,  박종필 ,  김신규

IPC: C04B35/46 ,  C04B41/50 ,  C04B40/02 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C01G23/005 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/40 ,  H01M4/485

Abstract: A manufacturing method of lithium titanate nano particle is provided to raise a composition and a purity of the lithium titanate by using the precursor manufactured by coating the lithium hydroxide which is reactant onto a surface of titanium dioxide. The lithium titanate nano particle can be mass-produced by heat-treating in the more mild condition in a short time. Furthermore, the lithium titanate nano particle manufactured from the manufacturing method is usefully used as the lithium secondary battery cathode material. A lithium titanate nano particle is manufactured by manufacturing precursor manufactured by coating the lithium hydroxide onto a surface of the titanium dioxide, and heat-treating the precursor at the low temperature less than 500deg.C for the short time in the alcohol solution by performing the sonochemical reaction under the multiplexer sound wave luminescence condition. The alcohol solution contains a titanium dioxide(TiO2) and a lithium hydroxide(LiOH).

Abstract translation: 提供钛酸锂纳米颗粒的制造方法，通过使用通过将作为反应物的氢氧化锂涂覆在二氧化钛的表面上而制备的前体来提高钛酸锂的组成和纯度。 钛酸锂纳米颗粒可以在短时间内在更温和的条件下进行热处理而大量生产。 此外，由制造方法制造的钛酸锂纳米颗粒有用地用作锂二次电池正极材料。 通过制造通过将氢氧化锂涂覆在二氧化钛的表面上制造的前体来制造钛酸锂纳米颗粒，并且在醇溶液中短时间内在低于500℃的低温下对前体进行热处理， 多声道声波发光条件下的声化学反应。 醇溶液含有二氧化钛（TiO 2）和氢氧化锂（LiOH）。

公开(公告)号：KR1020060074460A

公开(公告)日：2006-07-03

申请号：KR1020040113209

申请日：2004-12-27

Applicant: 중앙대학교 산학협력단

Inventor： 심일운 ,  정한철 ,  윤석환 ,  이승수 ,  서국원

IPC: C07F3/10 ,  C07F3/08 ,  C07F3/06

CPC classification number: C07F3/08 ,  C07F3/06 ,  C07F3/10 ,  C23C16/306

Abstract: 본 발명은 화학증기증착법(Chemical Vapor Deposition)으로 12족(Zn, Cd, Hg) 칼로겐화물 박막제조시 유용하게 사용할 수 있는 하기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물인 전구체 및 그의 제조방법, 그리고 하기 화학식 1로 표기되는 단일 전구체(Single Precursor)를 사용하여 저온에서 12족 금속과 칼코겐 원소의 조성이 1:1인 칼코겐화물(chalcogenide) 박막을 제공한다.
[화학식 1]

(상기 식에서, M은 12족 금속으로서 Zn, Cd 또는 Hg; E는 칼코겐 원소로서 S 또는 Se이며; R
1 , R
2 , R
3 , R
4 는 각각 독립적으로 C
1~6 의 알킬기임.)
12족, 칼로겐화물, CVD, 화학증기증착법, 전구체

公开(公告)号：KR100611730B1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：KR1020040109411

申请日：2004-12-21

Applicant: 중앙대학교 산학협력단

Inventor： 심일운 ,  정한철 ,  윤석환 ,  이승수 ,  서국원

IPC: C07F1/10

Abstract: 본 발명은 화학증기증착법으로 고 순도의 은(Ag) 박막을 제조함에 있어 유용하게 사용할 수 있는 은(Ag) 1가 전구체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전구체는 하기 화학식 1로 표시되며, 베타디케톤류 또는 베타케토에스테르류 리간드를 도입하고, 중심 은(Ag) 1가에 비공유 전자쌍을 제공할 수 있는 중성 리간드로 포스파이트를 배위시킴으로써 휘발성 및 증착성이 월등히 향상된 액상의 유기 은(Ag) 1가 화합물이다. 이를 이용한 화학증기증착법을 통하여 고순도, 고품질의 은(Ag) 박막을 제조할 수 있다.
[화학식 1]

(상기 식에서, R은 수소, 알킬기, 벤질, 플로로화 메틸, 플로로화 에틸, 플로로화 노말 프로필, 플로로화 이소프로필, 플로로화부틸 및 플로로화 벤질로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나, R1은 알킬기, 벤질, 플로로화 메틸, 플로로화 에틸, 플로로화 노말 프로필, 플로로화 이소프로필, 플로로화부틸 및 플로로화 벤질로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나, A는 알킬기, 알콕시기, 벤질, 플로로화 메틸, 플로로화 에틸, 플로로화 노말 프로필, 플로로화 이소프로필, 플로로화부틸 및 플로로화 벤질로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나, L은 포스파이트기[P(OR2)3, R2은 알킬기, 벤질, 플로로화 메틸, 플로로화 에틸, 플로로화 노말 프로필, 플로로화 이소프로필, 플로로화부틸 및 플로로화 벤질로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나]이다.)

公开(公告)号：KR100679640B1

公开(公告)日：2007-02-06

申请号：KR1020050038238

申请日：2005-05-07

Applicant: 중앙대학교 산학협력단

Inventor： 심일운 ,  정한철 ,  윤석환 ,  이승수 ,  서국원

IPC: C07F5/00

Abstract: 본 발명은 화학증기증착법(Chemical Vapor Deposition, 이하 CVD라고 함)으로 인듐을 포함하는 13족(Ga, In, Tl)의 황(S)화물 및 셀레늄(Se)화합물 박막 제조시 유용하게 사용할 수 있는 하기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물 전구체 및 그의 제조방법과 13족 칼코겐화합물 및 이들의 혼합물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하기 화학식 1의 단일 전구체를 사용하여 저온에서 13족 금속과 칼코겐(S, Se)원소의 조성이 2:3인 황화물 박막을 제공한다.
화학증기증착법, 유기금속 화합물 전구체, 칼코겐

公开(公告)号：KR1020060115841A

公开(公告)日：2006-11-10

申请号：KR1020050038238

申请日：2005-05-07

Applicant: 중앙대학교 산학협력단

Inventor： 심일운 ,  정한철 ,  윤석환 ,  이승수 ,  서국원

IPC: C07F5/00

CPC classification number: C23C16/305 ,  C07F5/003

Abstract: A chemical vapor deposition precursor for preparing 13-group metal chalcogenide thin film, and a preparing method thereof are provided to prepare high purity chalcogenide thin film having constant ratio of 13-group metal and chalcogen element, which is useful in light-absorbing thin film of solar battery and LED(luminescent diode) thin film, at low temperature through chemical vapor deposition. The precursor for chemical vapor deposition for preparing 13-group metal chalcogenide thin film having 13-group metal(Ga, In, Tl) and chalcogen element in a ratio of 2:3 has the organic metal compound structure represented by the formula(1), wherein M is Ga, In or Tl and E is chalcogen element(S, Se). The precursor for chemical vapor deposition for preparing 13-group metal chalcogenide thin film is prepared by reacting NaOH, CE2 and HNR1R2 in methanol, and reacting the resulting product with MCl3.

Abstract translation: 提供一种用于制备13族金属硫族化物薄膜的化学气相沉积前体及其制备方法，以制备具有13组金属和硫族元素元素比率不变的高纯度硫族化物薄膜，可用于光吸收薄膜 的太阳能电池和LED（发光二极管）薄膜，在低温下通过化学气相沉积。 用于制备具有13族金属（Ga，In，Tl）和硫族元素的比例为2:3的13族金属硫族化物薄膜的化学气相沉积前体具有由式（1）表示的有机金属化合物结构， 其中M为Ga，In或Tl，E为硫属元素（S，Se）。 用于制备13族金属硫族化物薄膜的化学气相沉积前体是通过NaOH，CE2和HNR1R2在甲醇中反应制得的，并使得到的产物与MCl3反应。

公开(公告)号：KR1020060070800A

公开(公告)日：2006-06-26

申请号：KR1020040109411

申请日：2004-12-21

Applicant: 중앙대학교 산학협력단

Inventor： 심일운 ,  정한철 ,  윤석환 ,  이승수 ,  서국원

IPC: C07F1/10

CPC classification number: C23C16/18 ,  C07F1/10

Abstract: 본 발명은 화학증기증착법으로 고 순도의 은(Ag) 박막을 제조함에 있어 유용하게 사용할 수 있는 은(Ag) 1가 전구체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전구체는 하기 화학식 1로 표시되며, 베타디케톤류 또는 베타케토에스테르류 리간드를 도입하고, 중심 은(Ag) 1가에 비공유 전자쌍을 제공할 수 있는 중성 리간드로 포스파이트를 배위시킴으로써 휘발성 및 증착성이 월등히 향상된 액상의 유기 은(Ag) 1가 화합물이다. 이를 이용한 화학증기증착법을 통하여 고순도, 고품질의 은(Ag) 박막을 제조할 수 있다.
[화학식 1]

(상기 식에서, R은 수소 또는 알킬기, R1은 알킬기, A는 알킬기 또는 알콕시기, L은 포스파이트기[P(OR2)
3 , R2은 알킬기]이다.)

公开(公告)号：KR101812657B1

公开(公告)日：2018-01-31

申请号：KR1020110122396

申请日：2011-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이승수 ,  강만석 ,  김세권

IPC: G06Q50/10

CPC classification number: G06Q10/10 ,  G06F17/30997

Abstract: 장치내의다수의애플리케이션중에서, 사용자의컨텍스트에적합한애플리케이션을추천하여표시하는방법및 장치가제공된다. 사용자의컨텍스트정보를수집하는단계; 상기수집된컨텍스트정보에기초하여상기장치내의애플리케이션들중에서적어도하나의추천애플리케이션을결정하는단계; 및상기결정에기초하여, 상기적어도하나의추천애플리케이션을표시하는단계를포함하는사용자의컨텍스트에적합한애플리케이션을추천하여표시하는방법이개시되어있다.

Abstract translation: 提供了一种用于从设备中的多个应用程序中的上下文推荐和显示推荐应用程序的方法和装置。 该方法包括：收集用户的上下文信息; 基于所收集的上下文信息从包括在所述设备中的应用中确定至少一个推荐的应用; 以及基于所述确定来显示所述至少一个推荐应用。

公开(公告)号：KR1020130131844A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：KR1020120055720

申请日：2012-05-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이승수 ,  한기춘 ,  김재환

IPC: H04N5/60 ,  G06K9/46 ,  H04N21/439 ,  H04R3/00

CPC classification number: H04R3/04 ,  H04R5/04 ,  H04R2430/01 ,  H04S7/302 ,  H04S2400/13

Abstract: Disclosed are a display device capable of sound correction, and a device and a method for controlling a hearing level. The display device according to the present invention comprises: an audio output unit for outputting an audio signal as an audible sound; a storing unit for matching multiple users' hearing levels for each frequency to an face image and storing the matching results; a photographing unit for photographing a user face; and a control unit for controlling the audio output unit which reads multiple hearing levels matched to each face image produced by the storing and photographing units, and outputs an audio signal according to output hearing levels calculated based on the hearing levels. As a result, multiple users can be satisfied with the corrected audio output. [Reference numerals] (110) Transceiving unit;(130) Display unit;(140) Audio output unit;(150) Storage unit;(160) Photographing unit;(170) Control unit;(180) Hearing level extraction unit;(190) Position information acquisition unit

Abstract translation: 公开了能够进行声音校正的显示装置，以及用于控制听力水平的装置和方法。 根据本发明的显示装置包括：音频输出单元，用于输出音频信号作为可听见的声音; 存储单元，用于将每个频率的多个用户的听力水平与脸部图像相匹配并存储匹配结果; 用于拍摄用户面部的拍摄单元; 以及控制单元，用于控制音频输出单元，其读取与存储和拍摄单元产生的每个面部图像匹配的多个听觉水平，并且根据基于听力水平计算的输出听觉水平输出音频信号。 结果，可以使多个用户满足校正的音频输出。 （110）收发单元;（130）显示单元;（140）音频输出单元;（150）存储单元;（160）拍摄单元;（170）控制单元;（180）听力水平提取单元; 190）位置信息获取单元