公开(公告)号：WO2013129746A1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：PCT/KR2012/006823

申请日：2012-08-27

Applicant: 중앙대학교 산학협력단 ,  심일운 ,  박종필 ,  송미연 ,  정원목

Inventor： 심일운 ,  박종필 ,  송미연 ,  정원목

IPC: C07F7/22 ,  H01L31/042 ,  C23C16/18

CPC classification number: C07F7/2268 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628

Abstract: 본 발명은, 중심 원자 Sn; 중심 원자에 공유결합된 제1 원소군; 중심 원자에 배위결합된 제2 원소군을 포함하며, 제1 원소군은 S이고, 제2 원소권은 S 및 N으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이고, 제1 원소군에 속하는 원자는 아래의 조건 (1) 또는 (2)를 만족하고, (1) 제1 원소군에 속하는 원자끼리 연결되어 고리 구조를 형성하거나, (2) 제1 원소군에 속하는 원자와 제2 원소군에 속하는 원자가 연결되어 고리 구조를 형성하고, 제1 원소군과 제2 원소군에 속하는 원자는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환 또는 비치환되는 황화주석 전구체, 상기 전구체를 이용하여 제조한 박막에 관한 것으로, 고순도의 황화주석 박막을 형성할 수 있고, 제조된 박막은 다양한 전자재료로 활용 가능하다.

Abstract translation: 本发明涉及硫化锡前体和使用前体制备的薄膜，硫化锡前体包含：Sn，中心原子; 与中心原子共价键合的第一个原子基团; 和与中心原子共价键合的第二原子团，其中第一原子团为S，第二原子团为选自S和N的一个或多个基团，属于第一个原子基团的原子满足 条件（1）或（2），其中（1）属于第一原子团的原子彼此连接形成环状结构，或（2）属于第一原子的原子和属于 第二原子团彼此连接形成环状结构，属于第一原子团和第二原子基团的原子与C1-C4烷基独立地取代或未取代。 可以制备高纯度硫化锡薄膜，制备的薄膜可用作各种电子材料。

公开(公告)号：KR100789064B1

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：KR1020060066427

申请日：2006-07-14

Applicant: 중앙대학교 산학협력단 ,  삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 심일운 ,  이승수 ,  서국원 ,  박종필

IPC: C23C16/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  C23C16/305 ,  Y02E10/541

Abstract: A method of manufacturing a CuInS2 thin film by metal organic chemical vapor deposition and a CuInS2 thin film manufactured by the method are provided to achieve high purity and desired composition of CuInS2 thin film, a method of manufacturing an In2S3 thin film by additionally depositing a precursor comprising In-S onto the CuInS2 thin film manufactured is provided. A method of manufacturing a CuInS2 thin film comprises steps of: depositing a copper precursor of an asymmetrical structure selected from copper ethylbutyrylacetate and copper ethylisobutyrylacetate onto a substrate by metal organic chemical vapor deposition to manufacture a copper thin film; and depositing a precursor comprising In-S onto the copper thin film by metal organic chemical vapor deposition. The manufacturing method further comprises a heat treatment process after the second step. A CuInS2 thin film manufactured by the manufacturing method has a band gap of 1.4 1.6 eV. A method of manufacturing an In2S3 thin film comprises heat-treating the CuInS2 thin film at 350 to 450 deg.C for 60 to 180 minutes, and additionally depositing a precursor comprising In-S onto the heat-treated In2S3 thin film by metal organic chemical vapor deposition.

Abstract translation: 提供了通过金属有机化学气相沉积制造CuInS 2薄膜的方法和通过该方法制造的CuInS 2薄膜，以实现CuInS 2薄膜的高纯度和期望组成，通过另外沉积前体制备In 2 S 3薄膜的方法 提供了在制造的CuInS 2薄膜上的In-S。 制造CuInS 2薄膜的方法包括以下步骤：通过金属有机化学气相沉积将选自乙基丁酰乙酸铜和乙基异丁酰乙酸铜的不对称结构的铜前体沉积在基底上，制造铜薄膜; 以及通过金属有机化学气相沉积将包含In-S的前体沉积到铜薄膜上。 制造方法还包括在第二步骤之后的热处理过程。 通过该制造方法制造的CuInS 2薄膜的带隙为1.4±1.6eV。 制造In2S3薄膜的方法包括在350至450℃下对CuInS 2薄膜进行热处理60至180分钟，并且通过金属有机化学品另外将包含In-S的前体沉积到经热处理的In 2 S 3薄膜上 气相沉积。

公开(公告)号：KR1020080096023A

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：KR1020070040853

申请日：2007-04-26

Applicant: 중앙대학교 산학협력단 ,  삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 심일운 ,  곽호영 ,  이승수 ,  변기택 ,  박종필 ,  김신규

IPC: C04B35/46 ,  C04B41/50 ,  C04B40/02 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C01G23/005 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/40 ,  H01M4/485

Abstract: A manufacturing method of lithium titanate nano particle is provided to raise a composition and a purity of the lithium titanate by using the precursor manufactured by coating the lithium hydroxide which is reactant onto a surface of titanium dioxide. The lithium titanate nano particle can be mass-produced by heat-treating in the more mild condition in a short time. Furthermore, the lithium titanate nano particle manufactured from the manufacturing method is usefully used as the lithium secondary battery cathode material. A lithium titanate nano particle is manufactured by manufacturing precursor manufactured by coating the lithium hydroxide onto a surface of the titanium dioxide, and heat-treating the precursor at the low temperature less than 500deg.C for the short time in the alcohol solution by performing the sonochemical reaction under the multiplexer sound wave luminescence condition. The alcohol solution contains a titanium dioxide(TiO2) and a lithium hydroxide(LiOH).

Abstract translation: 提供钛酸锂纳米颗粒的制造方法，通过使用通过将作为反应物的氢氧化锂涂覆在二氧化钛的表面上而制备的前体来提高钛酸锂的组成和纯度。 钛酸锂纳米颗粒可以在短时间内在更温和的条件下进行热处理而大量生产。 此外，由制造方法制造的钛酸锂纳米颗粒有用地用作锂二次电池正极材料。 通过制造通过将氢氧化锂涂覆在二氧化钛的表面上制造的前体来制造钛酸锂纳米颗粒，并且在醇溶液中短时间内在低于500℃的低温下对前体进行热处理， 多声道声波发光条件下的声化学反应。 醇溶液含有二氧化钛（TiO 2）和氢氧化锂（LiOH）。

公开(公告)号：KR100982972B1

公开(公告)日：2010-09-17

申请号：KR1020080056769

申请日：2008-06-17

Applicant: 중앙대학교 산학협력단 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 심일운 ,  옥강민 ,  박종필 ,  김신규

IPC: C07F3/06 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 ZnO 박막 제조용 전구체 및 이를 이용한 화학기상증착법에 의한 ZnO 박막의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 ZnO 박막 제조용 전구체는 하기 화학식 1의 구조를 가진다.

(상기 식에서, R은 C
1 내지 C
4 의 직쇄 또는 분쇄의 알킬기이다)
본 발명의 ZnO 박막 제조용 전구체 화합물을 이용하면 ZnO 박막 증착 공정을 500℃ 이하의 낮은 온도에서도 수행할 수 있으며, 원하는 곳에 ZnO 박막을 용이하게 형성할 수 있다.
Zn0 박막

Abstract translation: 本发明涉及用于制备ZnO薄膜的前体和使用该前体通过化学气相沉积法制造ZnO薄膜的方法。

公开(公告)号：KR1020090131015A

公开(公告)日：2009-12-28

申请号：KR1020080056769

申请日：2008-06-17

Applicant: 중앙대학교 산학협력단 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 심일운 ,  옥강민 ,  박종필 ,  김신규

IPC: C07F3/06 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  C07F3/06 ,  C23C16/407 ,  H01L31/0392

Abstract: PURPOSE: A precursor for preparing ZnO thin film and method for preparing ZnO thin film through chemical vapor deposition using the same are provided to perform ZnO thin film deposition process at low temperature and use in solar cell. CONSTITUTION: A precursor for preparing ZnO thin film has a structure of chemical formula 1. In the chemical 1, R is straight or branched alkyl group of C1-C4. A method for preparing the precursor for preparing ZnO thin film of chemical formula 1 comprises: a step of reacting tetramethylethylenediamine with zinc chloride; and a step of reacting reaction product with alkyl acetoacetate sodium. The alkyl acetoacetate sodium is ethyl acetoacetate sodium or tertiary butyl acetoacetate sodium. The ZnO thin film is formed using the precursor through chemical vapor deposition.

Abstract translation: 目的：制备ZnO薄膜的前体和通过化学气相沉积制备ZnO薄膜的方法，用于在低温下进行ZnO薄膜沉积工艺并用于太阳能电池。 构成：制备ZnO薄膜的前体具有化学式1的结构。在化学式1中，R是C1-C4的直链或支链烷基。 制备化学式1的ZnO薄膜的前体的制备方法包括：使四甲基乙二胺与氯化锌反应的步骤; 和使反应产物与乙酰乙酸烷基酯钠反应的步骤。 乙酰乙酸烷基酯钠是乙酰乙酸乙酯钠或叔丁基乙酰乙酸钠。 使用前体通过化学气相沉积形成ZnO薄膜。

公开(公告)号：KR101212015B1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：KR1020110034610

申请日：2011-04-14

Applicant: 중앙대학교 산학협력단

Inventor： 심일운 ,  박종필 ,  황차환 ,  송미연

IPC: H01L21/20

Abstract: 본발명은다중기포음파발광조건에서초음파발광법을이용하여 II 내지 VI 족반도체양자점또는나노입자를제조하는방법및 상기양자점또는나노입자의크기를제어하는방법에관한것으로, 다중기포음파발광조건에서초음파발광법을이용하여어떠한전처리및/또는고온조건없이편리하고간단한원팟반응을통해고 수율의 II 내지 VI 족화합물의양자점을제조할수 있다. 또한, 상기양자점을소성하여나노입자로전환시킬수 있다. 아울러, 상기초음파처리조건또는소성조건을제어하여상기양자점또는나노입자의크기를제어하는효과가있다.

公开(公告)号：KR101125227B1

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：KR1020090057036

申请日：2009-06-25

Applicant: 중앙대학교 산학협력단 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 심일운 ,  곽호영 ,  옥강민 ,  정한철 ,  강기문 ,  박재영 ,  김신규 ,  박종필

IPC: C01G3/00 ,  C01G15/00 ,  C01B19/00 ,  B01J19/10

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 다중기포 음파발광을 이용한 칼코파이라이트계 입자의 제조 방법 및 상기 입자를 포함하는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 유독성을 가지는 첨가제를 사용하지 않고, 온화한 조건에서 단시간 내에 나노크기의 균일한 칼코파이라이트계 입자를 효과적으로 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 방법에 의해 제조된 칼코파이라이트계 입자는, 예를 들면, 태양전지의 광흡수층에 적용되었을 때, 탁월한 효과를 나타낼 수 있다.
칼코파이라이트계 입자, 다중기포 음파발광, 열처리, 태양전지, 광흡수층

公开(公告)号：KR1020100094900A

公开(公告)日：2010-08-27

申请号：KR1020090014090

申请日：2009-02-19

Applicant: 중앙대학교 산학협력단 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 심일운 ,  곽호영 ,  옥강민 ,  박종필 ,  김신규 ,  박재영 ,  김하나 ,  한소영

IPC: C01G45/02 ,  C01G51/04 ,  B01J19/10 ,  B82B3/00

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a metal oxide nanoparticle and a lithium nanoparticle is provided to use a MBSL(multi-bubble sonoluminescence) to uniformly manufacture the nanoparticle in a short time. CONSTITUTION: A manufacturing method of a metal oxide nanoparticle comprises the following steps: maintaining the multi-bubble sonoluminescence condition of a reaction system including a metal compound and a base within a solvent; and reacting the metal compound and the base. A manufacturing method of a lithium nanoparticle comprises a step of maintaining the multi-bubble sonoluminescence condition of a reaction system including a metal oxide nanoparticle and a lithium compound within a solvent, and reacting the metal oxide nanoparticle and the lithium compound.

Abstract translation: 目的：提供金属氧化物纳米颗粒和锂纳米颗粒的制造方法，以在短时间内使用MBSL（多气泡声发光）均匀地制造纳米颗粒。 构成：金属氧化物纳米颗粒的制造方法包括以下步骤：在溶剂中维持包括金属化合物和碱的反应体系的多气泡声发光条件; 并使金属化合物和碱反应。 锂纳米颗粒的制造方法包括在溶剂中维持包括金属氧化物纳米粒子和锂化合物的反应体系的多气泡声发光条件，使金属氧化物纳米粒子和锂化合物反应的工序。

公开(公告)号：KR1020130097904A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：KR1020120019547

申请日：2012-02-27

Applicant: 중앙대학교 산학협력단

Inventor： 심일운 ,  박종필 ,  송미연 ,  정원목

IPC: C07F7/22 ,  C23C16/06 ,  H01L31/042

CPC classification number: Y02E10/50 ,  C07F7/2284 ,  C23C16/305 ,  H01L31/0392

Abstract: PURPOSE: A tin sulfide thin film containing a precursor is provided to obtain a high purity tin sulfide thin film of a single phase through chemical vapor deposition. CONSTITUTION: A precursor for forming a tin sulfide thin film contains a structure of chemical formula 1. The precursor is an asymmetric structure. A method for manufacturing the thin film comprises the step of forming the thin film through deposition of the precursor. The deposition is a chemical vapor deposition.

Abstract translation: 目的：提供含有前体的硫化锡薄膜，以通过化学气相沉积获得单相的高纯度硫化锡薄膜。 构成：用于形成锡硫化物薄膜的前体包含化学式1的结构。前体是不对称结构。 制造薄膜的方法包括通过沉积前体形成薄膜的步骤。 沉积是化学气相沉积。

公开(公告)号：KR101512749B1

公开(公告)日：2015-04-17

申请号：KR1020120019547

申请日：2012-02-27

Applicant: 중앙대학교 산학협력단

Inventor： 심일운 ,  박종필 ,  송미연 ,  정원목

IPC: C07F7/22 ,  C23C16/06 ,  H01L31/042

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 내지 화학식 3 중 어느 하나 이상의 구조를 포함하는 전구체 및 이를 이용한 황화주석 박막의 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]

화학식 1에서, R
1 내지 R
4 는 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다.
[화학식 2]

화학식 2에서, R
5 내지 R
9 는 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다.
화학식 3의 구조를 포함하는 황화주석 박막 형성용 전구체;
[화학식 3]

화학식 3에서, R
10 내지 R
12 는 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, n은 1 내지 4의 정수이다.