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公开(公告)号：KR1020090131015A
公开(公告)日：2009-12-28
申请号：KR1020080056769
申请日：2008-06-17
Applicant: 중앙대학교 산학협력단 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: Y02E10/50 , C07F3/06 , C23C16/407 , H01L31/0392
Abstract: PURPOSE: A precursor for preparing ZnO thin film and method for preparing ZnO thin film through chemical vapor deposition using the same are provided to perform ZnO thin film deposition process at low temperature and use in solar cell. CONSTITUTION: A precursor for preparing ZnO thin film has a structure of chemical formula 1. In the chemical 1, R is straight or branched alkyl group of C1-C4. A method for preparing the precursor for preparing ZnO thin film of chemical formula 1 comprises: a step of reacting tetramethylethylenediamine with zinc chloride; and a step of reacting reaction product with alkyl acetoacetate sodium. The alkyl acetoacetate sodium is ethyl acetoacetate sodium or tertiary butyl acetoacetate sodium. The ZnO thin film is formed using the precursor through chemical vapor deposition.
Abstract translation: 目的：制备ZnO薄膜的前体和通过化学气相沉积制备ZnO薄膜的方法，用于在低温下进行ZnO薄膜沉积工艺并用于太阳能电池。 构成：制备ZnO薄膜的前体具有化学式1的结构。在化学式1中，R是C1-C4的直链或支链烷基。 制备化学式1的ZnO薄膜的前体的制备方法包括：使四甲基乙二胺与氯化锌反应的步骤; 和使反应产物与乙酰乙酸烷基酯钠反应的步骤。 乙酰乙酸烷基酯钠是乙酰乙酸乙酯钠或叔丁基乙酰乙酸钠。 使用前体通过化学气相沉积形成ZnO薄膜。
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公开(公告)号：KR100982972B1
公开(公告)日：2010-09-17
申请号：KR1020080056769
申请日：2008-06-17
Applicant: 중앙대학교 산학협력단 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 ZnO 박막 제조용 전구체 및 이를 이용한 화학기상증착법에 의한 ZnO 박막의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 ZnO 박막 제조용 전구체는 하기 화학식 1의 구조를 가진다.
(상기 식에서, R은 C
1 내지 C
4 의 직쇄 또는 분쇄의 알킬기이다)
본 발명의 ZnO 박막 제조용 전구체 화합물을 이용하면 ZnO 박막 증착 공정을 500℃ 이하의 낮은 온도에서도 수행할 수 있으며, 원하는 곳에 ZnO 박막을 용이하게 형성할 수 있다.
Zn0 박막Abstract translation: 本发明涉及用于制备ZnO薄膜的前体和使用该前体通过化学气相沉积法制造ZnO薄膜的方法。
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公开(公告)号：KR101800132B1
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：KR1020160129460
申请日：2016-10-07
Applicant: 중앙대학교 산학협력단
IPC: C01G21/00
Abstract: 본발명의극성비중심대칭성붕산염계결정체는구조식 PbBOCl로나타내고, [PbBO]로나타내는원자단양이온을포함하는 [PbBO]층을포함하며, 서로마주하는 [PbBO]층들사이에염소이온(Cl)이배치된구조를갖는다.
Abstract translation: 本发明的极性非中心对称的基于硼酸盐晶体是由以下结构式PbBOCl表示，其包括含有由[PBBO]，氯离子（CL）之间[PBBO] yibaechi表示的原子团阳离子的[PBBO]层彼此面对的层 它具有以下的结构。
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公开(公告)号：KR101595533B1
公开(公告)日：2016-02-19
申请号：KR1020150097325
申请日：2015-07-08
Applicant: 중앙대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은신규한혼합금속산화물에관한것으로, 혼합금속산화물의층상골격구조에의한특성을기반으로, 레이저소자, 비선형광학소자, 압전센서, 무선통신, 촉매, 전력저장수송장치, 컴퓨터소자, 양자간섭장치, 층간삽입복합체, 약물전달체, 이차전지양극제또는전기광학재료물질등에적용된제품개발에사용할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种新型的混合金属氧化物，其可用于显影应用于诸如激光装置，非线性光学元件，压电传感器，无线通信装置，催化剂，电力传输和存储装置，计算机元件，量子干涉 基于来自混合金属氧化物的层状骨架结构的特性的装置，中间层插层复合物，药物递送载体，二次电池用正极或电光材料。 本发明的新型混合金属氧化物通过Rb2CO3，Sc（NO3）3xH2O（x = 0〜6）和SeO2的水热反应合成，并由化学式RbSc（SeO_3）_2表示。
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公开(公告)号：KR1020140142760A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：KR1020130062594
申请日：2013-05-31
Applicant: 중앙대학교 산학협력단
CPC classification number: C01F17/0018 , C01D1/00 , C01G15/006 , C01P2006/37 , C01P2006/60
Abstract: 본 발명은 알칼리 금속, 갈륨 및 셀레늄을 포함하는 복합금속산화물에 관한 것으로, 상기 복합금속산화물은 비선형 광학 특성 및 열적 안정성을 통해 다양한 분야에 적용할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及包含碱金属，镓和硒的复合金属氧化物，并且可以基于碱金属的阳离子的尺寸提供框架结构和性质。 复合金属氧化物具有非线性光学性质和热稳定性，因此可用于各种领域。 例如，复合金属化合物可以包括由下述化学式1表示的结构。 [化学式1] MGa（SeO 3）2。 在化学式1中，M是碱金属。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101458831B1
公开(公告)日：2014-11-10
申请号：KR1020130089730
申请日：2013-07-29
Applicant: 중앙대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 주족 금속 양이온 및 고립전자쌍 양이온을 포함하는 신규한 유사 육방정계 텅스텐 산화물 층상 골격구조의 혼합금속산화물에 관한 것으로, 촉매, 이온 교환, 층간 삽입 등의 특성으로 인해 촉매, 층간 삽입 복합체, 약물전달체, 이차전지 양극제 또는 전기/광학재료물질 등에 사용될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及包含主族金属阳离子和单对阳离子的六方晶系氧化钨样分层框架的新型混合金属氧化物。 由于催化剂的性质，六方晶氧化钨类层状框架的新型混合金属氧化物可用于催化剂，嵌入复合物，药物载体，二次电池阴极材料，电/光学材料等 ，离子交换，插层等
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公开(公告)号：KR101290198B1
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：KR1020110017219
申请日：2011-02-25
Applicant: 중앙대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 인듐, 바나듐 및 텔루르 또는 셀레늄 전구체들의 표준 고체상 반응을 통해 결정과 순수 벌크 분말 형태로 합성되는 4기의 혼합금속산화물에 관한 것으로, 중심대칭인 화합물은 2차원 층상구조를, 비중심대칭인 화합물은 3차원 골격구조를 나타내며, 비중심대칭 화합물은 비선형 광학 특성을 가지고 있어 다양한 분야에서 사용할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101251368B1
公开(公告)日：2013-04-05
申请号：KR1020100084604
申请日：2010-08-31
Applicant: 중앙대학교 산학협력단
IPC: C01B19/00 , C01G15/00 , B01J27/057
Abstract: 본 발명은 신규한 층상 구조의 인듐 셀레늄 산화염화물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고체상 합성 반응을 통해 셀레늄 산화염화물의 골격에 인듐이 도입되어 뒤틀린 InO
4 Cl
2 팔면체 및 비대칭 SeO
3 다면체가 산소 원자에 의해 연결되어 층상 구조를 형성하며, 할로겐 친화성 및 친황 모이어티가 서로 분리되어 있고, 사방정계 공간군에서 결정화되어 우수한 물적 특성을 나타내어 다양한 용도로 사용할 수 있다.-
公开(公告)号：KR101171890B1
公开(公告)日：2012-08-07
申请号：KR1020100038759
申请日：2010-04-27
Applicant: 중앙대학교 산학협력단
IPC: C07F5/00 , B01J20/22 , C07D211/00 , G21F9/12
CPC classification number: Y02C10/08
Abstract: 본 발명은 신규한 층상 구조의 인듐-유기 골격 화합물에 관한 것으로, 수성 용매 하에서 인듐 화합물, 구조유도체, 불소 화합물 및 두 자리 유기화합물의 수열반응을 통해 인듐을 함유한 다면체와 두 자리 카르복실산 유기 링커가 배위되어 이차원 층상 구조를 이루고, 기공이 없는 결정 형태로 분리되어 크기가 작은 방사성 금속의 흡착 또는 저장 용도로 사용할 수 있는 신규한 인듐-유기 골격 화합물을 제공하는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR101062398B1
公开(公告)日：2011-09-05
申请号：KR1020080096584
申请日：2008-10-01
Applicant: 중앙대학교 산학협력단 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 비대칭 구조를 갖는 구리 전구체를 화학증기증착법으로 증착하여 기판 상에 구리 박막을 제조한 후, 상기 구리 박막이 형성된 기판에 인듐-셀레늄을 포함하는 비대칭 전구체를 온화한 온도 및 시간 조건 하에서 연속 증착하여, 구리: 인듐: 셀레늄의 비율이 1:1:2를 충족하는 단일상의 고순도 CuInSe
2 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 CuInSe
2 박막에 관한 것이다.
본 발명의 제조방법은 비대칭 전구체를 이용하고 화학증기증착법으로 증착함으로써, 종래보다 상대적으로 낮은 온도 및 단축된 시간 내에 조성의 변화 없이 일정하고, 불순물의 유입없이 고순도의 CuInSe
2 박막을 제조할 수 있으며, 제조된 고순도의 CuInSe
2 박막은 태양전지의 광흡수 박막층, 양자점 또는 LED 박막분야에 유용하게 적용될 수 있다. 나아가, 본 발명의 고순도의 CuInSe
2 박막은 초박막 광흡수층 태양전지(Extremely Thin Absorber layer Solar cells, ETA Solar Cells) 분야에 활용할 수 있다.
화학증기증착법, 비대칭 구리전구체, 인듐, 셀레늄, 태양전지소자
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